怎样用最小的代价降低MOS的失效率？

6 t0 l8 v$ y1 W* r　　上图为典型的半桥自举驱动电路，由于寄生电感的存在，在高端MOS关闭后，低端MOS的体二极管钳位之前，寄生电感通过低端二极管进行续流，导致VS端产生负压，且负压的大小与寄生电感与成正比关系。该负压会把驱动的电位拉到负电位，导致驱动电路异常，还可能让自举电容过充电导致驱动电路或者栅极损坏。由于IC的驱动端通常都有寄生二极管，当瞬间的大电流流过驱动口的二极管时，很可能引发寄生SCR闭锁效应，导致驱动电路彻底损坏。
' Q! |& p; d$ d. N) x　　【解决方法】

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　　如上图所示，在自举驱动芯片VS端与Q1的源极之间增加一个电阻Rvs，该电阻不仅是自举限流电阻，同时还是导通电阻和关断电阻。由于占空比受自举电容影响，该电阻值一般不能取得较大，推荐值为3~10Ω较为适宜。电阻和自举电容的容值与其充电时间可以由以下公式得出：! z3 u, n7 x1 j1 o8 H& N2 A
　　其中C是自举电容容值，D为最大占空比。
+ y* L6 ]! z# p$ V# ~% B6 g　　致远电子的PV系列光伏电源，内部的MOS驱动技术就帮助此款产品解决了很多高端MOS的疑难怪症，最终成就了产品的高可靠性。200~1200VDC超宽输入电压范围，长寿命、高效率、低纹波噪声、高可靠性等特点。