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本帖最后由 alexwang 于 2020-3-24 14:28 编辑 ; |2 a: Y' v, I$ ~ S
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30年行业产品研发经验，荣获多项PCT国际专利。曾创建华为射频PCB设计团队，在行业内率先将HFSS引入PCB设计领域；为射频与板级高速无源链路精准建模做出过突出贡献；为公司解决多项产品疑难及技术攻关问题。 曾荣获华为个人金牌奖一次、团队金牌奖两次。 9 y6 t8 \; }/ {% s4 o% j
关于 3月12日何老师当天直播的问题，老师已经帮大家一一解答，现在整理如下，如果还有别的疑问，可以跟帖留言哈，关于何老师以及其他老师的课程回顾，可以下载电巢APP直接观看。
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8 p$ U$ o) N/ R' \, ]: T; l问题一：这里Q值定义是？ & Y) L/ z v' F) h, [5 |$ p
Q值就是传统的定义，处于最低自谐振频率的屏蔽腔，等效于LC并联谐振电路。所以屏蔽腔最低自谐振频率的Q值，也等效于LC并联谐振电路的Q值，例如Q值等于振荡能量与损失能量之比。
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我们看到本征仿真的自谐 振频率Q值也有100左右，看起来Q值也不低，但是屏蔽腔毕竟不是谐振腔，内部的PCB和元件不能正好形成合适的加载结构，所以Q值100的本征模式是谐 振不起来的，所以不用关心。根据仿真经验，我们要关注那些Q值超过1000的自谐振频率。 ; u& g# z: K, R9 t" S& d' ?
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问题二：为什么缝隙越大，隔离度越大？ & U$ u- w* I5 \& V* C5 e; i7 D
因为屏蔽盖缝隙越大，屏蔽腔就会越开放些，开放的屏蔽腔会对外辐射能量，会降低自谐振的Q值，Q值会降到谐振不起来的适度。
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我们的前两步的仿真模型中，已经证明了屏蔽腔内部隔离度与自谐振密切相关：本征模式仿真的高Q值自谐振频点正好是隔离度劣化尖峰频点。 8 ]) v1 i- [0 u2 R$ t0 C: C$ K
所以缝隙越大，自谐振Q值越低，腔体越不容易谐振，那么隔离度就越高。 4 A. p) ?) w: ^3 S$ V( o
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问题三：请问Q值怎么定义呢？阻抗虚部除以整部？为什么Q 值高频率选择性高？ / _ h) Z+ x+ m1 G; Q0 A4 L5 i
谐振电路（或谐振结构）的Q值都是一样定义的。 9 |7 ^3 v0 f# F y! t
Q值就是传统的定义，处于最低自谐振频率的屏蔽腔，等效于LC并联谐振电路。所以屏蔽腔最低自谐振频率的Q值，也等效于LC并联谐振电路的Q值，例如Q值等于振荡能量与损失能量之比。 9 v3 s0 i1 {- K) g% s1 Y
这位网友问的都是基本理论，建议网友自己找相关资料学习，书上讲的肯定比何老师回答的更精确。
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问题四：结构越小自谐振频率越高吗？
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那当然是。 , w" ^: R) f, Z |
无源射频微波电路有等比例缩放的特点。3D结构尺寸等比例变化，则特征曲线在频率轴上等比例平行移动。
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问题五：改如何增大近场磁场，而减小远场（四分之一波长以外）的辐射？
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没有描述清晰的场景，所以网友的这个问题无法回答。
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问题六：带孔缝的腔体能仿真自谐振频率吗? 用本征模求解？
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能仿真啊。
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对，是用本征模求解。
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但要设置好模型的边界条件，要与真实情况一致，否则仿真结果是不对的。 4 E: \+ b/ B1 P- o$ ?
如果能量会从孔缝辐射出去，那么就要在外面罩个较大的六面体空气盒，并将空气盒的六个面设置为辐射边界条件（吸收边界条件）。 * S9 D6 [- Z4 |3 C; q$ b" o
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问题七：射频功放板也是有这种模型仿真吗？ % ?" _ o* K! m" m
HFSS只能仿真无源电路，所以只能仿真没有电源的功放板。
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HFSS无法仿真有源电路，因此不能仿真功放板的有源参数，如功率、失真等。
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发表于 2020-3-17 09:46
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发表于 2020-3-18 18:05