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失效分析的一般程序

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发表于 2020-3-4 13:54 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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1、收集现场场数据: f  ^; E7 @4 v
2 G- ?& D/ w. N4 o6 C

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0 E3 [1 i4 I0 C  R
8 u" y+ U- `4 g1 E  |
2、电测并确定失效模式   z) {* a9 x2 r7 L! Y! U. A( l; _

# ^4 z+ ~9 n4 O& x

  W. I; ^9 p4 |' e电测失效可分为连接性失效、电参数失效和功能失效。 / h9 t) B: q# ~0 B

) x. H$ Q& E- H1 K% F! K
  B6 }) s+ y" b
连接性失效包括开路、短路以及电阻值变化。这类失效容易测试,现场失效多数由静电放电(ESD)和过电应力(EOS)引起。 $ m! _  d! N& m, C
7 K, v2 L& R+ x$ N# u$ u

* ~' S0 }7 V" b' g' e3 x9 B( q% D: \' E电参数失效,需进行较复杂的测量,主要表现形式有参数值超出规定范围(超差)和参数不稳定。 ; e# i0 V7 c/ y! \; g

3 `( ?1 H) T) S: W9 h. l

2 n1 w1 h% S! R6 X. O  k7 _+ E确认功能失效,需对元器件输入一个已知的激励信号,测量输出结果。如测得输出状态与预计状态相同,则元器件功能正常,否则为失效,功能测试主要用于集成电路。 7 w* c" Y5 r9 C) X9 O9 Z  W

$ l) L3 U$ w0 E5 l

: }  J$ h' g2 R* p& m三种失效有一定的相关性,即一种失效可能引起其它种类的失效。功能失效和电参数失效的根源时常可归结于连接性失效。在缺乏复杂功能测试设备和测试程序的情况下,有可能用简单的连接性测试和参数测试方法进行电测,结合物理失效分析技术的应用仍然可获得令人满意的失效分析结果。 4 N; h8 S) f- O" h/ Z7 l
' w- N7 v6 A% U" H, `9 n
# o- b1 _; L( {% y; w
% h+ S8 ]- G3 v8 D% E1 S
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3、非破坏检查
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: ]7 V  M6 A0 e/ h2 P+ }
3 h8 e4 ?- U5 `8 c- ~4 E. N- i
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& M$ p: l" {( ?+ o# @
- m' O- t$ ?$ [# w
- f4 e7 H0 i2 n4 v; T- W7 U

4 N( u' W+ E, c$ d2 BX-Ray检测,即为在不破坏芯片情况下,利用X射线透视元器件(多方向及角度可选),检测元器件的封装情况,如气泡、邦定线异常,晶粒尺寸,支架方向等。 ' Y2 J0 l* U9 o
) ^* j% X, @" U
( H5 F" r2 g  ]% q9 \$ \- R% ]

- K4 S- q7 ?# e2 ]* K
' G8 F( h, [/ u0 K
" S$ j: O$ P/ v4 {/ p
适用情境:检查邦定有无异常、封装有无缺陷、确认晶粒尺寸及layout * t& K7 Q( m  N8 J4 G
- T4 M  p) E7 \4 X
' i0 ?$ f& N3 m; a4 _2 }7 f/ O
优势:工期短,直观易分析劣势:获得信息有限 8 a" ^( y# N4 v* ]
1 O* F4 ?- l  T
. b3 ?' R8 F- r, m9 |
局限性:+ N4 I  K" n1 C/ g. S& T& Q( L

8 ?0 Q- v% u# J( [& M
7 w5 V$ A! ?& B7 c" s8 _
1、相同批次的器件,不同封装生产线的器件内部形状略微不同;0 G7 ?" i1 Y. `8 a1 i( E( y

' b2 S) R& a! H3 M5 m' q

8 ]; {7 x* l' p* z7 N2、内部线路损伤或缺陷很难检查出来,必须通过功能测试及其他试验获得。- ]5 E+ K" _8 N: R; j5 r

4 E4 c! n  `" N; e/ f/ F
  ^: q! y- N: R. h! I
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