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1、收集现场场数据: f ^; E7 @4 v
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2、电测并确定失效模式 z) {* a9 x2 r7 L! Y! U. A( l; _
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W. I; ^9 p4 |' e电测失效可分为连接性失效、电参数失效和功能失效。 / h9 t) B: q# ~0 B
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连接性失效包括开路、短路以及电阻值变化。这类失效容易测试,现场失效多数由静电放电(ESD)和过电应力(EOS)引起。 $ m! _ d! N& m, C
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* ~' S0 }7 V" b' g' e3 x9 B( q% D: \' E电参数失效,需进行较复杂的测量,主要表现形式有参数值超出规定范围(超差)和参数不稳定。 ; e# i0 V7 c/ y! \; g
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2 n1 w1 h% S! R6 X. O k7 _+ E确认功能失效,需对元器件输入一个已知的激励信号,测量输出结果。如测得输出状态与预计状态相同,则元器件功能正常,否则为失效,功能测试主要用于集成电路。 7 w* c" Y5 r9 C) X9 O9 Z W
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: } J$ h' g2 R* p& m三种失效有一定的相关性,即一种失效可能引起其它种类的失效。功能失效和电参数失效的根源时常可归结于连接性失效。在缺乏复杂功能测试设备和测试程序的情况下,有可能用简单的连接性测试和参数测试方法进行电测,结合物理失效分析技术的应用仍然可获得令人满意的失效分析结果。 4 N; h8 S) f- O" h/ Z7 l
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3、非破坏检查
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4 N( u' W+ E, c$ d2 BX-Ray检测,即为在不破坏芯片情况下,利用X射线透视元器件(多方向及角度可选),检测元器件的封装情况,如气泡、邦定线异常,晶粒尺寸,支架方向等。 ' Y2 J0 l* U9 o
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适用情境:检查邦定有无异常、封装有无缺陷、确认晶粒尺寸及layout * t& K7 Q( m N8 J4 G
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优势:工期短,直观易分析劣势:获得信息有限 8 a" ^( y# N4 v* ]
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局限性:+ N4 I K" n1 C/ g. S& T& Q( L
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1、相同批次的器件,不同封装生产线的器件内部形状略微不同;0 G7 ?" i1 Y. `8 a1 i( E( y
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8 ]; {7 x* l' p* z7 N2、内部线路损伤或缺陷很难检查出来,必须通过功能测试及其他试验获得。- ]5 E+ K" _8 N: R; j5 r
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