|
|
EDA365欢迎您登录！
您需要 登录 才可以下载或查看，没有帐号？注册
x
失效分析5 V: \, I4 k5 x. L( l' ^' A0 {
( y* q* T" q5 @% {# s& }' ?
失效分析的总章与目录。% S6 l5 t% ~( h8 d. C- H, [1 s
8 Q: n% D7 P3 \9 y9 v
3 b/ G+ C: R: q# \) G失效分析基础
; Z. j* Y5 R% `# A: z6 w" T9 U# r# Z2 P5 A* ~7 n
l 可靠性工作的目的，失效分析的理论基础、工作思路% j9 h. b' o3 |; Q& ?; Z$ s
4 W m& _7 T6 I( ^0 y
l 术语定义与解释：失效、缺陷、失效分析、失效模式、失效机理、应力……. V% `9 ]! d8 _ t6 i/ K7 @
" ?9 S4 Z1 s O7 p. U& rl 失效分析的问题来源、入手点、输出物、相关标准, w' p& ^ l( g+ C
; L; t. d: s% ^4 S
# x, E* O" y/ Z4 L3 \失效分析技术方法：3 w, ^: w- d1 Y4 b. \
3 @8 q; e5 `6 E( i5 n u. u9 _8 J
A、失效分析的原则
# ?% C! E9 w3 M3 A
- t0 N+ V/ E3 v+ ?' q1 k8 d8 k0 ]0 xB、失效分析程序
0 V: p) U, t# w3 F/ h" `2 Y# J- l 完整的故障处理流程
- l 整机和板级故障分析技术程序
- l 元器件级失效分析技术程序（工作过程和具体的方法手段介绍）$ `% g3 Y! s4 B7 |2 V& y. [( |4 l
; R( E4 l; o9 u
) r# l0 ~2 g+ q/ b8 e4 K# oC、失效信息收集的方法与具体工作内容
" A; u, t% [+ J- G% H/ O. H( c1 t- l 如何确定失效信息收集的关注点
- l 样品信息需要包括的内容
- l 失效现场外部信息的内容
- l 信息收集表格示例
- l 信息收集为后面技术分析工作贡献的示例3 b/ x# v% i7 m5 m! [ {4 E
: A. A# v) l( I
& A" f! i2 L( c: \3 [D、外观检查
9 v. X, h" {6 _8 `; e+ a- l 外观检查应该关注的哪些方面
- l 外观检查发现问题示例
- l 外观检查的仪器设备工具+ ^8 g9 Z3 U9 R
4 i, t6 o6 M6 X
Q c) ^$ Z% |+ `' R
E、电学测试
/ s3 w2 h- r, f" q4 l- l 如何用电测验证失效模式和预判失效机理
- l 电测的具体方法
- l 几种典型电测结果的机理解析
- l 电测时复现间歇性失效现象的示例
- l 在电测中如何利用外部应力与失效机理的关联
- l 电测的常用仪器设备1 ~2 F3 A# J9 c: u
5 ~$ j4 j# j2 X- Q
# D# P+ e+ u# S& m5 l" p* u
F、X－RAY
2 ^* E p9 ]2 R% \( m- l X-RAY的工作原理与设备技术指标
- l 不同材料的不透明度比较
- l X-RAY的用途
- l X-RAY在失效分析中的示例
- l X-RAY的优缺点
- l X-RAY与C-SAM的比较
& w( w) |' r, `3 N, N( t
6 w& E6 x/ ^' n' O* ]5 m8 M G) E# h/ \* @9 }4 E
G、C-SAM4 |+ u3 x3 M& t0 F/ L& l; m0 s* M
- l C-SAM的工作原理与设备技术指标
- l C-SAM的特点与用途
- l C-SAM、X-RAY在失效分析中联合应证的使用示例
- l C-SAM的优缺点0 Y9 Q5 T! h0 j7 Z- ]. u& w% N
: @' `$ F5 W7 r1 {- p
0 @; {+ O7 J/ x. NH、密封器件物理分析
( {6 F( i2 |! Q$ A- l PIND介绍
- l 气密性分析介绍
- l 内部气氛分析介绍
- I、开封制样
- l 化学开封的方法、设备、技术要点介绍
- l 化学开封发现器件内部失效点的示例
- l 切片制样的具体方法与步骤
- l 切片制样发现器件和焊点内部失效点的示例1 l' o; J7 v) e$ A
+ k. P. o5 H/ f* P3 c
: K% ~, _( c4 E3 N2 q9 [+ J9 TJ、芯片剥层
5 `5 |+ I- ^1 K- l 化学腐蚀法去除钝化层的具体方法，及其特点与风险
- l 等离子腐蚀去除钝化层的具体方法，及其特点与风险
- l 腐蚀钝化层后样品观察区的形貌示例
- l 去除金属化层的具体方法与示例* K( W0 l/ |; J8 C
8 ^; e$ s8 ^2 }# V, T! V0 z' A
5 f$ u- |$ C9 Y6 }& fK、失效定位－SEM
7 Z9 q+ t; V8 h: t- l SEM的工作原理与设备特点
- l 光学显微镜与SEM的性能比较
- l 光学显微镜与SEM具体成像区别示例
% w8 Y5 j9 O' |1 W
2 B3 _1 I, @' W' U* W) o
; G+ l& m: R, n$ N/ s
L、失效定位－成份分析
- q* g1 i; Y5 B( o' i% Y- l 成份分析中的技术关注点经验
- l EDS、AES、XPS、SIMS、FTIR等成份分析仪器的用法比较
- l 成份分析在器件内部分析中的作用示例
' g' k/ M7 i( j7 I
) I B% \3 o. P. k/ M' B1 t
, c# K+ g; }. C c2 L* m' N* _$ n
M、内部热分析－红外热相; V8 |9 t3 L* X& x6 Y( x% m
4 @4 Y6 A! L* w) J/ N) k: X+ Z7 }, X7 \% K
N、内部漏电分析－EMMI/ p, l- H9 @/ t$ W
* e ?8 F6 v6 Y' o
O、芯片内部线路验证－FIB
+ `3 {. c! X$ }+ z1 T+ ?7 |
" P' v* Q8 c! m4 m. [P、综合分析与结论
4 L* a0 W- t. c- l 综合分析中的逻辑思维能力
- l 结论的特点与正确使用
- `/ a7 t. ?/ u* K4 g1 [' k
% z9 Z1 ?% W! {" E+ O: q# E- M2 w: Y% m5 ]$ Q
Q、验证与改进建议
4 `4 Z4 M% ^6 ]5 ~! ?4 u& W. B- l 根本原因排查与验证
- l 改进建议及效果跟踪& u. Z5 s( [" q+ W
* r9 {, r. j& c1 ? ?; a8 Z
% p, G4 I8 v! d4 A
* p9 }# `3 Y1 p8 w9 h: W
各类失效机理的归纳讲解与相应案例分析：4 q0 ~4 e$ b6 a* Z7 \
; s" G9 d& K- I |8 ?: c+ Z& \1、失效分析全过程案例
/ Q% V' L5 G0 E/ g- A、失效信息收集与分析
- B、思路分析
- C、过程方法
- D、逻辑推导
- E、试验手段
- F、综合分析
- G、结论与建议
1 s* F. _2 c6 \, z9 u0 T0 h8 z# K
5 q. S e, R9 W/ [7 T
a! M( }4 v. M/ p6 Z2 u8 i2、静电放电失效机理讲解与案例分析* r: J6 d, h3 i' @9 h
- A、静电损伤的原理
- B、静电损伤的三种模型讲解
- C、静电损伤的途径
- D、静电放电的失效模式
- E、静电放电的失效机理
- F、静电损害的特点
- G、静电损伤的案例（比较器、单片机、微波器件、发光管、功率管）3 C- ~6 _: o( @
: ]1 ^0 t5 Y5 }$ ?, S; `" z
" i# V: s+ A: F; y3、闩锁失效机理讲解与案例分析* S) Z5 X1 C1 R: F. I
- A、闩锁损坏器件的原理
- B、闩锁损坏器件的特征
- C、闩锁损坏器件的案例（开关器件、驱动器件等）
- D、闩锁与端口短路的比较
- E、CMOS电路引起闩锁的外部条件
- F、静电与闩锁的保护设计. u' `% k/ ~2 N# g0 j
! t; m: W6 K; z+ u: W3 m3 I
C% Q' f( z% j" n3 _. K$ K& Q4、过电失效类失效机理讲解与案例分析. s7 @% p* ]6 w
- A、过电的类型及特点（浪涌、过电压、过电流、过功率等）
- B、对应不同类型的过电的失效案例, Q# r) \8 C( q
5 b# B3 `0 R( f {! Y
& I% i: e9 P' i! Q" t4 M5、机械应力类失效机理讲解与案例分析
" w' _7 L( T1 P( e7 V9 X8 W/ ^- A、机械应力常见的损伤类型
6 K! N$ a- J6 w
* J) j. f2 X# N8 g. {# o: H. Q: Q/ z1 ?0 [; z) [' u$ `8 @
6、热变应力类失效机理讲解与案例分析$ p$ B* a. Z( S6 v- S" `/ C7 D5 c
- A、热变应力损伤的类型和特征# C5 `' S" M& J6 i: w
% i0 C- c0 F9 U* ], D" `/ {7 ?' b
/ A9 f3 C+ }3 B8 B6 A7、结构缺陷类失效机理讲解与案例分析
: U3 N$ C6 _# n" l/ x8 b- A、热结构缺陷的类型和特征
- B、发现缺陷的技术手段/ a$ p7 Y5 @: _
7 Y& T3 i8 D5 E1 D0 A8 T6 l
3 q- a, \- }) J+ N$ O/ w' q3 L; ~/ _8、材料缺陷类失效机理讲解与案例分析6 I; \1 s r* Y* ? E
- A、绕线材料缺陷
- B、钝化材料缺陷
- C、引线材料缺陷
- D、簧片材料缺陷: q2 Q0 ^0 D/ [, B3 R- P
, {) T; T. F" i4 D. R, b2 B8 K
# P I/ y0 O7 ?& L; a" q9、工艺缺陷类失效机理讲解与案例分析8 N: s$ E: M! P7 r% `
- A、工艺缺陷的类型和主要特征，发现手段2 b8 R1 `, \) m$ k$ C7 C. |& ~# a
1 y7 G/ s2 c1 N, p" F
( z& W$ U9 }" p; i; ]8 N ^10、应用设计缺陷类失效机理讲解与案例分析" @0 n* C% N8 m
3 T2 r* ], F/ g7 Z2 E
11、污染腐蚀类失效机理讲解与案例分析
- z# N$ t! k& g* Z( t' ]: l* n- A、污染的来源与类型，腐蚀的主要原理
, G2 P* B2 M( D h; a' v
8 ^3 D4 c& S, i( Z8 u w1 G# C1 m% X5 ?' {- ^3 f C
12、元器件固有机理类失效机理讲解与案例分析
/ t4 v. Y# q$ m- A、不同类型的元器件固有失效机理的归纳+ f7 [* P# N5 Z
2 V1 f" [, F" k! s5 {
, P$ d5 y, Z! I; w; z
13、面目全非的样品的分析
; v' h* Q1 s- ]8 j0 \7 G& P' L; r, V: b0 G, I: o# K
来自于—工业和信息化部电子工业标准化研究院- ?- D3 ~3 z: R, u l; e- ]
; u! q G) o+ Q4 {6 `. a, f1 a, D
《电子产品及元器件失效分析技术与经典案例解析》专题研讨
1 X3 r) Y& D. @+ b8 j8 A' |4 s9 e5 F1 x4 P0 ]& Q
, U3 J3 `" `; r0 J* H) f" ]2 }& O6 w& c3 [2 p$ g M3 t- y& u
|
|
/1 
发表于 2020-2-24 17:28
收藏
淘帖
支持！
反对！