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, t% O5 Z K& R5 T; L
失效分析
. ?6 e: U. W8 v8 s& R8 i失效分析的总章与目录。
# N$ c t! P) m; q& Z ]' L
/ \! g; B O0 r7 N' }4 Z6 k/ A失效分析基础
8 X9 \' V# u& P7 Kl 可靠性工作的目的，失效分析的理论基础、工作思路: ~$ J7 ~# W" R q& S1 O, C
l 术语定义与解释：失效、缺陷、失效分析、失效模式、失效机理、应力……+ M% |) m. d; p* I9 C
l 失效分析的问题来源、入手点、输出物、相关标准
* K5 {7 g6 C+ c6 v1 r1 [+ U2 l0 C+ c$ q1 c d
失效分析技术方法, T5 p0 N6 I6 v5 S: C
A、失效分析的原则$ ~) m5 `* G" R$ e1 W5 U. c; [
$ N r- ]1 N8 b6 ^4 nB、失效分析程序0 ?5 Y) U% K) e0 U3 K4 @/ B5 w( X
- l 完整的故障处理流程
- l 整机和板级故障分析技术程序
- l 元器件级失效分析技术程序（工作过程和具体的方法手段介绍）; u0 [ o& R! h
) n) v) x8 n3 S- e4 Y6 i5 hC、失效信息收集的方法与具体工作内容2 ~: O4 g$ A5 J+ a$ H
- l 如何确定失效信息收集的关注点
- l 样品信息需要包括的内容
- l 失效现场外部信息的内容
- l 信息收集表格示例
- l 信息收集为后面技术分析工作贡献的示例
: M' J1 P, [2 e+ T( h% ]) F
& ~ E/ R8 F3 [
D、外观检查3 C7 S. I) B) N: B8 [
- l 外观检查应该关注的哪些方面
- l 外观检查发现问题示例
- l 外观检查的仪器设备工具. [ H+ h' F3 K+ c9 S0 F
. G5 }; Y8 m* [7 R; VE、电学测试
/ I$ z3 q8 Y) b6 k6 m- l 如何用电测验证失效模式和预判失效机理
- l 电测的具体方法
- l 几种典型电测结果的机理解析
- l 电测时复现间歇性失效现象的示例
- l 在电测中如何利用外部应力与失效机理的关联
- l 电测的常用仪器设备/ n( f$ h' X1 Z/ E" ^
& ?- {/ X0 O$ z7 T! o2 Y: CF、X－RAY& V8 e" ^9 u+ r' G1 W
- l X-RAY的工作原理与设备技术指标
- l 不同材料的不透明度比较
- l X-RAY的用途
- l X-RAY在失效分析中的示例
- l X-RAY的优缺点
- l X-RAY与C-SAM的比较3 I' ]2 j( l9 A( G2 K+ K
+ Y8 t( b+ p- d. k1 Y" UG、C-SAM! O! s! f6 f6 H3 T5 R
- l C-SAM的工作原理与设备技术指标
- l C-SAM的特点与用途
- l C-SAM、X-RAY在失效分析中联合应证的使用示例
- l C-SAM的优缺点) p& U, b0 G, o# j1 r
; ]* K/ V, Q, p0 Y8 Z1 |* A8 V& L
H、密封器件物理分析
$ I, b$ I4 W% D2 `' K; w% |- l PIND介绍
- l 气密性分析介绍
- l 内部气氛分析介绍
- I、开封制样
- l 化学开封的方法、设备、技术要点介绍
- l 化学开封发现器件内部失效点的示例
- l 切片制样的具体方法与步骤
- l 切片制样发现器件和焊点内部失效点的示例
; H# A; J. z/ `9 I8 b9 v t
6 g& w0 ^6 z2 g: k; {/ a; q
J、芯片剥层
; N/ D. F+ F/ N4 t K- l 化学腐蚀法去除钝化层的具体方法，及其特点与风险
- l 等离子腐蚀去除钝化层的具体方法，及其特点与风险
- l 腐蚀钝化层后样品观察区的形貌示例
- l 去除金属化层的具体方法与示例
3 w& [0 o8 q5 Y5 e9 U
: j, V; G s5 e! AK、失效定位－SEM
; g) e0 U$ x L, p- l SEM的工作原理与设备特点
- l 光学显微镜与SEM的性能比较
- l 光学显微镜与SEM具体成像区别示例
% q: ^( L7 t- } `1 c. @
6 g. `! ^7 t# S# e. S3 G) _L、失效定位－成份分析
9 M4 A+ C( `% e. O- Q5 r- l 成份分析中的技术关注点经验
- l EDS、AES、XPS、SIMS、FTIR等成份分析仪器的用法比较
- l 成份分析在器件内部分析中的作用示例$ G" J3 f9 _0 b1 ~
, p5 S. Q* B4 X
M、内部热分析－红外热相
- r2 y& Z3 h" `$ k8 E- @ U
& u1 _. \/ b# R# ^: NN、内部漏电分析－EMMI+ }2 V0 w+ v# \8 v0 p9 [! {
( } c' b; ?- O. {' jO、芯片内部线路验证－FIB6 U% G% L2 a: V
; t+ a" T/ c. Z7 V% T
P、综合分析与结论/ X# \) [& Z8 b; B3 k
- l 综合分析中的逻辑思维能力
- l 结论的特点与正确使用
5 ^, u4 ?& M8 ^9 f6 I/ n
9 B- S# h" X4 S) R0 a$ x& R" R- VQ、验证与改进建议5 x% ^* ?* e7 s0 ?- U0 R" Z
- l 根本原因排查与验证
- l 改进建议及效果跟踪$ |+ x$ B1 q8 `( f$ ?- |
- c& t+ a7 h x: I, M
7 S% u7 S4 H) H" K7 d9 c- q4 T各类失效机理的归纳讲解与相应案例分析' g$ g9 ] A5 d# o
$ `* y" {$ B3 R# H; M& N9 \( u( r
1、失效分析全过程案例
4 i+ k6 o- n5 Q! Z& @5 [- A、失效信息收集与分析
- B、思路分析
- C、过程方法
- D、逻辑推导
- E、试验手段
- F、综合分析
- G、结论与建议
- c; }6 v& ?0 n/ J& J, q2 _
0 B% _2 Z/ }- ?5 B A$ O5 d
2、静电放电失效机理讲解与案例分析
+ w6 J8 {) Z0 ]* h; z- A、静电损伤的原理
- B、静电损伤的三种模型讲解
- C、静电损伤的途径
- D、静电放电的失效模式
- E、静电放电的失效机理
- F、静电损害的特点
- G、静电损伤的案例（比较器、单片机、微波器件、发光管、功率管）# _7 ^6 w% _$ \+ G+ Y* _4 L
- i2 y' S% K0 e* T; X v8 N0 X3 k( Y3、闩锁失效机理讲解与案例分析
0 ~5 P& @ j8 J) x. E( u9 R6 d- A、闩锁损坏器件的原理
- B、闩锁损坏器件的特征
- C、闩锁损坏器件的案例（开关器件、驱动器件等）
- D、闩锁与端口短路的比较
- E、CMOS电路引起闩锁的外部条件
- F、静电与闩锁的保护设计 H7 s+ R8 \4 B' E
- ?9 f" C. z. Y9 M4、过电失效类失效机理讲解与案例分析
1 M, r8 N& ^! i- A、过电的类型及特点（浪涌、过电压、过电流、过功率等）
- B、对应不同类型的过电的失效案例' `& T8 S" B! @
, y- q6 D6 s1 S5、机械应力类失效机理讲解与案例分析1 N$ B) w# f+ a& m9 _& `
- A、机械应力常见的损伤类型
. n) o4 t# L) Y
* h1 j" @' W8 b/ i# I+ Z6、热变应力类失效机理讲解与案例分析9 h& \0 l6 F. [
- A、热变应力损伤的类型和特征& l2 i$ ?7 Z7 t8 O6 `
; A# ]. S8 N; D) ?' v& [
7、结构缺陷类失效机理讲解与案例分析; j- G7 |9 Y: r6 k+ W2 y
- A、热结构缺陷的类型和特征
- B、发现缺陷的技术手段
3 q7 g; j- f1 l3 V3 [9 T
$ A" B% t" @8 V1 L i) h. n
8、材料缺陷类失效机理讲解与案例分析, w" Y! o) ~( a% `8 K; T( |
- A、绕线材料缺陷
- B、钝化材料缺陷
- C、引线材料缺陷
- D、簧片材料缺陷
$ R7 j$ \7 Y9 L' ~& J! ]
; K/ |; [4 k3 d x! E# d; c) m
9、工艺缺陷类失效机理讲解与案例分析/ Y) j' w/ p& k9 Z1 Y
- A、工艺缺陷的类型和主要特征，发现手段
% z6 D* e6 Q4 h4 \$ t
: J$ `3 `. r6 p/ K+ T0 X10、应用设计缺陷类失效机理讲解与案例分析" p: R1 U4 f5 s4 q0 h
, o; z7 g2 [* E- P3 q
11、污染腐蚀类失效机理讲解与案例分析6 U4 j0 w0 {) l1 Q/ W1 S2 R! ~6 B
- A、污染的来源与类型，腐蚀的主要原理& ~0 j5 s) u5 {
' j- k6 |* R+ a+ S4 Q( ~# ]1 ~( [0 G" F
12、元器件固有机理类失效机理讲解与案例分析
- e" n3 _) I8 e: b0 X' ]& T- A、不同类型的元器件固有失效机理的归纳* o; W. `; y/ U% M3 {1 z* X# }; N
, C7 _3 s, t: |8 M: i3 ~
13、面目全非的样品的分析
. a7 X- q. [2 x; U$ B( q; T% e( x3 g' @, I; k, J
来自于—工业和信息化部电子工业标准化研究院+ H9 h+ j* b7 ?: X
6 F) h+ s& ~" O+ ^
《电子产品及元器件失效分析技术与经典案例解析》专题研讨
- `1 W% c: I8 h! }. |2 `6 f3 i+ l2 T3 t1 `" H% s
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发表于 2020-2-5 16:06
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