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关于DDR2终端电阻的添加?

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1#
发表于 2010-8-2 10:02 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
如题:6 X  r- m' v. ^0 U5 w
DDR2到底需要添加终端电阻不?& \+ B% w$ k4 C* z- z% Q
9 {: Y3 F# W9 q6 H8 |
/ ]3 o3 @0 ?; |3 i2 x& F% |+ n, y
DDR2中有个ODTPIN,  是内建核心的终结电阻器,资料上显示DDR2可以根据自己的特点内建合适的终结电阻,这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本,还得到了最佳的信号品质,这是DDR不能比拟的。作用:DDRII内建了终结电阻器,在DRAM颗粒工作时把终结电阻器关掉,而对于不工作的DRAM颗粒则打开终结电阻,减少信号的反射。, ~' C# l1 j: \, A3 }3 A4 l! n; i5 E* \
& l! ]1 |+ Y. M( L" _
但是一些DDR2的实例显示要使能跑起来需要在外部添加终端电阻。4 O# f: H- ?" W3 M* a& T, D
  g" T5 z  S8 ?7 x. b
那么DDR2到底需要添加终端电阻不?或者是什么情况下需要?什么情况下不需要?

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2#
发表于 2010-8-2 16:28 | 只看该作者
回复 1# 忘顰
8 v7 g, K% K4 D) ^
$ O& e. F1 w3 T) T5 T* i- E! z# X" t4 k
    帮你顶起,这个问题我也想知道,如果使用了odt,那读ddr2的数据,要不要匹配电阻,怎么匹配?

该用户从未签到

3#
发表于 2010-8-5 09:28 | 只看该作者
首先明确ODT是针对数据线的,还要明确数据线是大多数1对1的(不过也有通过/CS来区分1:2的情况)。
# D) x, Y4 m; J% q$ i5 z& }DDRII数据线可以不用外部上拉电阻。但是地址/控制线在颗粒多于2的情况下,需要增加上拉电阻,因为地址/控制线没有ODT功能。
7 H7 ?9 `, V) z2 n# F. I“DDRII内建了终结电阻器,在DRAM颗粒工作时把终结电阻器关掉,而对于不工作的DRAM颗粒则打开终结电阻,减少信号的反射。”$ x* K- e" _, x  |% M
Qiang:个人解释一下,就是说明数据线是处于1:2的情况下,这个时候不工作的DRAM相当于工作DRAM的远端节点,而打开远端结点的ODT功能,工作的确没打开,这个是菊花链匹配的效果(可以研究一下菊花链匹配的反射计算)。如果打开工作的ODT,而未工作的ODT没打开,就是一段线的反射(影响的效果跟速率与线长有关,此时是线太长了)。如果同时打开,相当于端接电阻变小49.9/2 = 25 Ohm,端接不匹配。

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4#
发表于 2010-8-5 11:32 | 只看该作者
回复 3# liqiangln 3 Z4 c0 s8 p+ l; _" x; p6 d

) r% `8 o& _0 x, D: m/ L/ G
) l( B" I! p' R, f0 s/ o    版主,ODT就相当于是内部并行端接吧。那是不是应该就是相对于ddr2那一端的,也就是谢数据的时候进行的匹配。但如果读数据的时候,就是ddr2作为驱动端呢?odt还有用吗?

该用户从未签到

5#
发表于 2010-8-5 12:34 | 只看该作者
读数据的时候ODT是关闭的。1 w( u7 c6 A, l3 ]$ c8 ?" L
是在写数据的时候,才会开启的,看看手册的时序图。

该用户从未签到

6#
发表于 2010-8-5 12:54 | 只看该作者
那么DDR2到底需要添加终端电阻不?7 I- h5 l% H" N; U% ~% z
---肯定要加,防止信号反射,详细查阅有关资料。: F: m5 ~( W" N. ^4 i3 ^
或者是什么情况下需要?
$ M' R' [, H) ^* ?  s# k---工作就需要
3 X7 q$ J: k( O" t: C! N. r$ z: _( Z$ s
什么情况下不需要?9 x+ B  c* |9 P+ `. h! `+ f
---为什希望不要加上了?

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7#
发表于 2010-8-5 14:11 | 只看该作者
回复 5# liqiangln
  C' y8 d1 e5 R# z& {% ~3 \: D8 V6 l, x2 v9 m! Y
+ u8 H$ J, E! k
    这个我知道,那读数据的时候,岂不是要外部匹配?

该用户从未签到

8#
发表于 2011-9-9 13:34 | 只看该作者
很想知道这个问题的答案,因为公司做了一款,软件上可以把ODT关掉,降低功耗,求详解。
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