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EDA365电子论坛网»电子社区 › 研发技术版块 › 射频RF|微波技术 › 关于mmic的偏置电路
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关于mmic的偏置电路

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prain
  • TA的每日心情
    开心
    2019-12-17 15:15

    • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到
    跳转到指定楼层
    1#
    发表于 2019-12-17 14:47 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    如图，这是AMMP-6408的偏置电路，画圈这里的线是连接到芯片下面的ExposedPad吗，那EP还要接地吗

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    prain
  • TA的每日心情
    开心
    2019-12-17 15:15

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    [LV.1]初来乍到
    2#
     楼主| 发表于 2019-12-17 16:56 | 只看该作者
    还有引脚1和引脚7闯过RFin那根线怎么做，一般是背线还是跳线呢

    “来自电巢APP”

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    cariban
  • TA的每日心情
    郁闷
    2019-11-19 15:45

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    [LV.1]初来乍到
    3#
    发表于 2019-12-17 18:27 | 只看该作者
    这个芯片已经是obsolete了，你确定要用它?

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    prain
  • TA的每日心情
    开心
    2019-12-17 15:15

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    [LV.1]初来乍到
    4#
     楼主| 发表于 2019-12-17 22:28 | 只看该作者
    cariban 发表于 2019-12-17 18:27:31% ~9 B3 Q' @8 |4 K! F/ y# X; l; |
    这个芯片已经是obsolete了，你确定要用它?
    8 {! R* Z8 [; N$ V" I
    6 W# @5 Y- [5 B  ]; i
    刚好合适。。能说说它怎么连吗，拜托了
    ! _3 n& K6 c6 s' e

    “来自电巢APP”

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    THL
  • TA的每日心情
    慵懒
    2020-6-2 15:36

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    [LV.4]偶尔看看III
    5#
    发表于 2019-12-18 14:42 | 只看该作者
    画错了嘛，是人就会出错的
    3 {, d+ i% z! a2 v1 [看起来你框住的那根线应该是多余的

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    prain
  • TA的每日心情
    开心
    2019-12-17 15:15

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    [LV.1]初来乍到
    6#
     楼主| 发表于 2019-12-18 15:38 | 只看该作者
    THL 发表于 2019-12-18 14:42:10
    4 m! a, j: M/ Q' F7 Q: D画错了嘛，是人就会出错的
    # g" I9 _5 o% d) O$ f看起来你框住的那根线应该是多余的

    5 V+ o5 x1 c: f  {4 B
    3 t' A4 P3 h' p6 \4 X" o+ j这样啊，那这两个电容就是引脚7的旁路电容了，但引脚1也是Vgg，需要添加和引脚7一样的电容吗。或者说有两个-0. 8V电源分别给这两个引脚供压，只是这上面没画出来。' x9 m% B) _) o: m# w3 M' ~

    “来自电巢APP”

    点评

    THL
    看你具体电路的工作频段吧，我看这个参考电路的去耦电容配置法，一般也就保证1GHz一下的工作性能，1GHz以上就很难说。 这个芯片这种对称结构的设计，最好每一边的电源管脚都能就近配置小容值去耦电容，因为小容值电  详情 回复 发表于 2019-12-18 16:25
    cariban
    https://docs.broadcom.com/docs/AV02-0243EN datasheet里说得很清楚了，底部的pad就是GND，大功率芯片基本都是这种设计，方便散热。 参考电路注释说了，Pin 2 和Pin 6, Pin 1 和 Pin 7, 两者在芯片内部是连接  详情 回复 发表于 2019-12-18 16:15

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    THL
  • TA的每日心情
    慵懒
    2020-6-2 15:36

    • 签到天数: 25 天

    [LV.4]偶尔看看III
    7#
    发表于 2019-12-18 16:25 | 只看该作者
    prain 发表于 2019-12-18 15:388 m3 H/ Q$ h$ N9 m6 a. k
    这样啊，那这两个电容就是引脚7的旁路电容了，但引脚1也是Vgg，需要添加和引脚7一样的电容吗。或者说有 ...

    ' p7 p7 @) K1 t. q" u看你具体电路的工作频段吧，我看这个参考电路的去耦电容配置法，一般也就保证1GHz一下的工作性能，1GHz以上就很难说。+ t9 P: x0 p& y7 |  W* _2 |
    这个芯片这种对称结构的设计，最好每一边的电源管脚都能就近配置小容值去耦电容，因为小容值电容的去耦半径更小，工作频率越高越需要这么做，这也是我会得出上面结论的原因。1uf这么大的一般丢到这一个电路的电源总入口处
    . E# M! O& u! _3 B

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    prain
  • TA的每日心情
    开心
    2019-12-17 15:15

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    [LV.1]初来乍到
    8#
     楼主| 发表于 2019-12-18 17:27 | 只看该作者
    cariban 发表于 2019-12-18 16:15:13+ w2 b) c* n% h" W# a/ N
    本帖最后由 cariban 于 2019-12-18 16:20 编辑
    : Q( m! [* N3 o7 @# @0 z7 d  ?, l; f6 Q/ p
    [quote]prain 发表于 2019-12-18 15:38
    3 L+ W8 `- ]0 P* Q这样啊，那这两个电容就是引脚7的旁路电容了，但引脚1也是Vgg，需要添加和引脚7一样的电容吗。或者说有 ...
    ' N+ [# c( m8 r- _" F2 z( J' }
    https://docs.broadcom.com/docs/AV02-0243EN' i, ~: V+ A2 Q

    . j- \3 l! Q! A, F$ P5 m& s0 fdatasheet里说得很清楚了，底部的pad就是GND，大功率芯片基本都是这种设计，方便散热。
    , d! c5 ]. G" O) g0 c3 G$ b. [5 f( i7 U: g" M
    参考电路注释说了，Pin 2 和Pin 6, Pin 1 和 Pin 7, 两者在芯片内部是连接的，外部连接可以二选一。推荐即使不连的管脚也放一个100pF的电容防止串扰。
    ) u) q" Y" X; d0 L. R
    2 n) l, N4 S# j, c" W" G3 f+ z' Z% T, L3 `2 J
    建议楼主把这个链接里的文档都过一遍，你需要的答案都在这里面( ~5 F  A( S& D0 h
    ) E: I$ R( o4 A
    https://www.broadcom.com/site-search?q=ammp-6408
    9 Q( F5 c% Z' A4 B2 g  f
    ' v7 t( H9 }8 ~, ~0 D7 j  ~8 L! I2 Z, g

    8 S4 T5 T! ^) C: W8 c' C" j[/quote]
    ( ]* L  J, e/ N) O4 M4 Y8 @5 A4 A- X6 {, e7 j7 W$ Y2 }2 p9 s* g4 d
    好的 万分感谢5 s8 A$ w* x% c/ W

    “来自电巢APP”

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    prain
  • TA的每日心情
    开心
    2019-12-17 15:15

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    [LV.1]初来乍到
    9#
     楼主| 发表于 2019-12-18 17:27 | 只看该作者
    THL 发表于 2019-12-18 16:25:03
    0 r3 g& E( b1 M9 u. h6 d; P[quote]prain 发表于 2019-12-18 15:38* }8 q# k7 F% C" G, o; V: u
    这样啊，那这两个电容就是引脚7的旁路电容了，但引脚1也是Vgg，需要添加和引脚7一样的电容吗。或者说有 ...
    ! N- N# u0 w" }# y( V9 Y! C1 d5 w3 U
    看你具体电路的工作频段吧，我看这个参考电路的去耦电容配置法，一般也就保证1GHz一下的工作性能，1GHz以上就很难说。1 R; F/ {$ z1 K! @; V
    这个芯片这种对称结构的设计，最好每一边的电源管脚都能就近配置小容值去耦电容，因为小容值电容的去耦半径更小，工作频率越高越需要这么做，这也是我会得出上面结论的原因。1uf这么大的一般丢到这一个电路的电源总入口处
    , h* l0 o" G. G; W+ e[/quote], f4 v& s# B* P6 {9 s! I3 E: A

    . `4 e6 a. K* d" r, w7 W4 x那要做6-18g配置多大电容比较好呢
    , h# z' ]. j- \& O- N6 F

    “来自电巢APP”

    点评

    THL
    6G以上的话，不仅仅是容值的问题，常规的贴片封装电容都很难满足了，寄生参数的影响太大，很难在工作频段内保证去耦电路对芯片来说做到零电容的程度。 具体的相关计算你去参考一下李籍熙写的《射频电路工程设计》这  详情 回复 发表于 2019-12-18 19:07

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    THL
  • TA的每日心情
    慵懒
    2020-6-2 15:36

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    10#
    发表于 2019-12-18 19:07 | 只看该作者
    本帖最后由 THL 于 2019-12-18 19:10 编辑
    $ o* z  b0 t2 R4 h
    prain 发表于 2019-12-18 17:27- U9 ?/ a4 h, U" h, x4 T' ?  M
    看你具体电路的工作频段吧，我看这个参考电路的去耦电容配置法，一般也就保证1GHz一下的工作性能，1GHz以 ...
    8 _3 a( f: t  @1 _+ W2 t! f
    6G以上的话，不仅仅是容值的问题，常规的贴片封装电容都很难满足了，寄生参数的影响太大，很难在工作频段内保证去耦电路对芯片来说做到零电容的程度。& m7 Q4 X7 R: h9 G) ?5 F  l' X
    具体的相关计算你去参考一下李缉熙写的《射频电路工程设计》这本书，好像在射频电路书籍分享贴子里有下载。& X9 i: q6 ^3 q' V* }- T
    不过你看的时候里面的计算结果和公式最好自己也跟着推算一下，不要忙信各种数据结果，还是有一些翻译和编辑上的错误。) h* n6 Y: f1 B  M

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    prain
  • TA的每日心情
    开心
    2019-12-17 15:15

    • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到
    11#
     楼主| 发表于 2019-12-19 09:12 | 只看该作者
    THL 发表于 2019-12-18 19:07:42: S9 p- [) x1 a
    本帖最后由 THL 于 2019-12-18 19:10 编辑 - F1 L; M  k) |  L- U0 ]9 x0 e

    # M9 s: w% U# w[quote]prain 发表于 2019-12-18 17:27
    : h0 G7 N. g( k: N看你具体电路的工作频段吧，我看这个参考电路的去耦电容配置法，一般也就保证1GHz一下的工作性能，1GHz以 ...

    ! x2 t2 K& D& w: h6G以上的话，不仅仅是容值的问题，常规的贴片封装电容都很难满足了，寄生参数的影响太大，很难在工作频段内保证去耦电路对芯片来说做到零电容的程度。
    " R2 I+ _# q6 q4 l' x& C# y+ f% O具体的相关计算你去参考一下李缉熙写的《射频电路工程设计》这本书，好像在射频电路书籍分享贴子里有下载。( _+ ?/ Q, r5 a2 Q9 t
    不过你看的时候里面的计算结果和公式最好自己也跟着推算一下，不要忙信各种数据结果，还是有一些翻译和编辑上的错误。. s' j/ r0 s" o- o+ L+ n* P
    [/quote]
    + a# [2 `. k; n
    + \& B$ a  t& H6 u/ X好的 谢谢
    ; c# V  U) M) r% t8 I! v

    “来自电巢APP”

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