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HAST在贴片薄膜电阻失效分析中的应用

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  • TA的每日心情
    开心
    2019-11-29 15:39
  • 签到天数: 4 天

    [LV.2]偶尔看看I

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    1#
    发表于 2019-12-4 18:15 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    x

    $ M8 I$ f% E, x- Z5 ]+ J# n; N: {; @+ ~. h) P
    6 a6 \" B) P. ~: a7 J) N' J
    前言

    & ~5 h3 j' S/ k5 q7 B( G
    & B$ v1 }/ v/ l" C1 |$ v' v0 X( r! L( B0 l
    电阻器作为运用最广泛的电子元器件之一,在电子设备中使用数量很大,因而电阻器失效导致设备故障的比率也相当高。特别是贴片精密薄膜电阻(以下简称电阻),因其工艺及结构的特点,近年来因湿热导致阻值漂移甚至开路的案例越来越多,厘清失效原因及机理,已成为迫切需要研究的课题。而传统的40℃、90%RH和85℃、85%RH的温/湿度偏压试验方法(THB)需要花上千小时,已不能满足当今高时效性的需求。

    9 U0 [, j: G+ L+ b, o+ m
    PCT高压蒸煮试验有结露现象,不能加偏压,故需要进一步改进加速试验。HAST就是为代替传统的温度/湿度试验而开发的方法,目前在微电路及半导体分析中已得到广泛的应用。
    * V& J0 g. p+ J/ f
    本文将HAST应用于电阻失效机理的研究和耐湿热性能的评估中,展示了HAST在电阻失效分析中的实践应用,为电阻的工艺改进及可靠性检验提供了一套快速、有效的测试方法,对电阻品质的改善与提升具有一定的指导意义。

    5 c# x' H# Z9 c0 Z. i! Z# `1 f% J- P3 j; ]) l
    8 ^) P5 ?& u& A! Q9 H6 p) U1 R
    分析背景
    2 o; ?* r, W7 o7 X% J8 B8 G
    ' R7 v( m0 r6 i- f" a* R! {
    " Q% _! @' |& a( `/ n9 ?
    某产品客户端失效,经测试发现为电阻开路所致。电阻规格:348KΩ±0.1%,额定功率:0.1W。电阻命名如表1。
    # {+ F# ?/ n6 B, U
    厂商
    A
    B
    电阻
    不良品
    正常品
    同批次
    未使用品
    同料号
    比对品
    命名
    A-NG
    A-OK
    A-原材
    B-原材
    ; E- ]/ a; ~: W+ R, n3 }2 N4 C3 T0 z
    2 M0 [" E5 J% }2 T6 F6 X: Y6 J

    # t. r  ^2 }1 t) `7 e3 ~  ?- P
    分析原因
    # \7 [+ H" _5 S6 P7 O; t

    ) ~% |" \% X4 e7 H6 R6 K- c' V9 ]8 t/ r; G. m9 m8 M1 o
    外观观察

    - f$ _+ s" O$ z" @' j1 T- t( U% R* j
    先用实体显微镜(Olympus SZ61TR)对电阻保护层进行外观观察,如图1红色框起处,A-NG陶瓷基体外露,保护层未覆盖至边缘。再用SEM(Hitachi S-3400N)对A-NG、A-OK边缘保护层形貌进行放大观察,如图1a、1b所示,A-NG保护层边缘疏松粗糙。

    ; X; c8 Y  H1 u0 M* |3 @. R+ p6 ^9 t
    0 g; Z/ X" Q0 Q: k
    去除保护层

    " \6 |& g7 N; t5 N# O$ P/ ^
    先用有机溶剂去除电阻保护层,再用金相显微镜(Olympus BX51M)进行观察。如图2a黄框所示,A-NG边缘位置金属膜缺失,用万用表对缺失膜两端进行电性确认显示开路,故电阻失效的原因为金属膜缺失所致。如图2b所示,A-OK金属膜完整,未见明显异常。
    ! x# S- x4 b: `  E

    ( j" h/ G: K$ y6 h  z& U7 a
    原因探讨

    6 m  k# p5 m1 f' y7 y( P
    电阻是导体的一种基本性质,与导体的材料、长度、横截面积和温度有关。当阻值为R时,可用公式R=ρL/S表示,其中L、S分别表示导体的长度和截面积;ρ表示导体的电阻率,对某一电阻器而言,L、ρ是已经确定的,阻值随着S的变化而改变。金属膜缺失使电阻S变小,从而导致电阻阻值偏大或开路。
    ' y0 z2 X  @% e7 x& [9 b& P
    金属膜缺失原因主要有:
    (1)使用过程中过电应力致使金属膜熔损。(2)因湿热、环境或电流(电压)等因素,使原本存在的金属膜遭受电解反应而破坏、消失,此现象称之为电蚀。

    9 [7 M7 a1 z: _& G* }& D
    . E+ J% c5 c' {! A8 E( m: Y( S% p9 c( H3 ~4 s
    机理研究

    9 P3 L5 o' _: N' p2 s8 ^( {7 D/ Q0 z2 A3 B( E) a0 e6 X6 m

    2 a) E2 s* _- {, a' y
    为进一步厘清失效真因和机理,模拟不同条件下的失效现象,论证失效机理。
    7 z& d0 B, g7 T1 ~
    (1) EOS试验
    采用直流电源供应器(Chroma 62024P-600-8)进行测试,测试电压分别为600V、1000V,持续时间(5±1)s。
    2 k" i6 M. S# \$ Y8 K: n
    (2) HAST试验
    采用高加速寿命试验箱(Hirayama PC-422R8D)进行测试,测试条件:温度130℃、湿度85%RH、真空度0.12MPa、偏压10V、时间96H。测试标准:JESD22-A110E。HAST的目的为评估电阻在高温、高湿、偏压的加速因子下,保护层与金属膜对湿气腐蚀抵抗的能力,并可缩短器件的寿命试验时间。
    % ~/ L( F; m& o% u
    试验条件及结果见表2,EOS、HAST试验后电阻均出现阻值偏大或开路的现象。

    7 U# X9 o0 N( e/ Y1 o
    试验
    实验条件
    实验结果
    影响因素
    EOS
    600V
    阻值偏大
    过电应力
    1000V
    开路
    过电应力
    HAST
    130℃/85%RH8 t% G; Q( E: R. Z- D
    /0.12MPa/10V/96H
    阻值偏大、开路
    高温、高湿、偏压
    表2

    7 g' G& ]# m8 T# P. [7 c4 ]
    图3为试验不良品去除保护层图片,如图3a、3b所示,EOS试验不良品金属膜均有不同程度的熔损,电压越大膜熔损越严重,阻值变化越大甚至开路,此现象与A-NG金属膜缺失现象不同。如图3c所示,HAST试验不良品可见电阻边缘位置金属膜缺失,与A-NG失效现象一致,失效机理为电阻在高温、高湿、直流负荷的作用下发生电蚀。
    $ a. \% p! S2 A7 ?1 `4 D
    电蚀失效主要以薄膜电阻为主,常见的失效机理有2种:(1)在金属膜沉积后,印刷保护层之前这段时间有杂质污染,成品通电时造成电蚀。(2)保护层有外伤或覆盖不好,杂质和水汽进入导致电蚀。
    # t3 Z6 M0 U0 o- {4 A% [, P0 p# k
    为进一步研究失效机理,寻求改善方向,对以上2种失效机理进行深入探讨,选取A-原材、B-原材进行结构分析与比对。图4为电阻的结构图,电阻的金属膜是以Ni-Cr合金溅镀沉积而成的薄膜,基板为氧化铝,保护层材料为环氧树脂。
    9 t+ ]/ M3 W( h$ e' ]9 r. |
    ' i2 k! _, U3 ^% t
    杂质污染检测

    + N; L/ y* X4 O+ Q
    当陶瓷基体及金属膜中含有K+、Na+、Ca2+、Cl-等杂质时,电解作用加快,阻值迅速增加,失效速度加快。为验证A-NG金属膜表面有无杂质污染,对去除保护层后的金属膜进行EDX(HORIBA EX-250)成分分析,如图5a、5b分别为缺失膜与正常膜区域的元素检测结果,后者可见金属膜Ni、Cr元素,未发现K+、Na+、Ca2+、Cl-等杂质元素,排除金属膜表面杂质污染导致电蚀的猜测。
    5 H7 @& \6 L! T8 x. D# n

    : e# q+ j) d! F; U9 ^
    电阻保护层剖析
    8 K: C  w$ N9 M, l# S
    保护层外观形貌观察

    ( }. M- A) k; k% Y9 \
    用SEM对A-原材、B-原材保护层形貌进行观察,如图6a红色箭头所示,A-原材保护层表面有大量孔洞。如图6b所示,B-原材保护层表面均匀致密。
    . ?) D2 `% I! e, h% `( H8 I- J% l
    - V6 W0 K7 t7 u. V
    电阻保护层表面结构观察
    9 k, K( F: l5 e0 q; \& b
    金属膜缺失位于边缘位置,对电阻去除正面端电极后观察其边缘结构。如图7a红色框所示,A-原材边缘陶瓷基材外露。比对可知:A-原材、B-原材保护层边缘结构设计不同,后者边缘保护更充分。

    2 N) C* }% F7 |1 b
    ; M5 M. d. H5 u$ }* M* u7 N
    电阻保护层内部结构观察
    8 \9 v- k. U3 E6 I
    对电阻进行微切片制样,用SEM观察保护层内部微观结构,再进行EDS成分分析。如图8a,A-原材保护层中间与两端厚度差异明显,中间局部可达62.64um,两端厚度在10.58um~19.19um之间,内部填充物颗粒粗大,其主要成份为C、O、Mg、Si。如图8b,B-原材保护层相对较薄,中间与两端无明显差异,厚度约为32.75um,可见不同组分的两层结构,填充物颗粒细小,其主要成份分别为C、O、Al、Si和C、O、Mg、Al、Si、Cr、Mn、Cu。比对可知:A-原材保护层边缘薄,且填充颗粒粗大,水汽易侵入,与失效发生在边缘位置的现象相符。B-原材保护层结构致密,且两层结构可更好的保护金属膜免遭湿气的侵入。

    6 c; o0 ^5 `" t3 H7 F8 C8 _3 `: @/ F
    电阻HAST能力比对
    : J5 k+ ?; D2 ?! ~+ d. w
    选取A-原材、B-原材各10pcs进行HAST试验,比对不同厂商电阻耐湿热能力。把电阻焊接在测试板上,然后插入HAST试验箱,设置条件:130℃/85%RH/
    0.12MPa/10V/96H。规格要求试验前后电阻的阻值变化率(ΔR/R)≤±(0.5%+0.05Ω)。测试结果如图9所示,A-原材ΔR/R皆超出规格,其中1pcs测试开路,B-原材ΔR/R皆满足规格要求。测试结果表明,A-原材耐湿热能力差,其结果与保护层比对结果相对应。A-原材保护层存在孔洞及边缘保护不到位等缺陷,在高温、高湿的环境条件下,金属膜容易被湿气侵入,在电负荷作用下发生电蚀,从而导致阻值漂移或开路。

    7 R; [2 t: D3 u$ @. e  X: ]$ q3 p" ?

    ' |6 J4 w; J3 U1 Y- @9 f! T! M# l2 F
    4 J% S$ I/ i) n; x
    3 [4 D3 J- j3 g0 F( F
    结论
    , O9 i0 g" R# D$ |/ f

    / r. I5 O, O+ I4 [. l3 c' T: Z& B2 X/ Z
    本文从电阻失效分析着手,通过试验模拟探寻失效机理,并通过不同厂家电阻比对寻求改善方向,得出如下结论:
    " X. A( F% ^  F( G1 N
    1) 电阻失效的原因为金属层缺失所致。
    # m  f: z- U2 |' r
    2) EOS、HAST试验结果显示:A-NG失效现象与HAST试验失效样品一致。失效机理为电阻在高温、高湿、直流负荷的作用下发生电蚀。

    8 @' ?  Y+ ]. {1 x
    3) 对A-NG缺失膜与正常膜区域成份进行检测,未发现K+、Na+、Ca2+、Cl-等杂质元素,排除金属膜表面杂质污染导致电蚀的猜测。

    . R1 f! C0 C. l/ T1 m% x1 s$ f
    4) 对比A、B厂商电阻,A厂商电阻保护层存在空洞及边缘保护不到位等缺陷,容易被湿气侵入。通过HAST比对电阻耐湿热能力,进一步印证以上结论。为有效的提高电阻的耐湿热性能,建议从电阻保护层的工艺、厚度以及材质方面加以改善:a.选择填充颗粒细小的材料,减少湿气进入通道;b.调整保护层的厚度,使中间与边缘厚度相对均匀;c.使用耐湿热的保护材料。

    ( o9 m5 {3 v+ R. P3 J, k. Q
  • TA的每日心情
    开心
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    2#
    发表于 2019-12-4 18:32 | 只看该作者
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