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电源完整性之阻抗问题

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1#
发表于 2015-7-13 16:10 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
5金币
请问各位大神,在做电源完整性是,别人提供给我一份由siwave导出的snp文件。
7 S, }6 A6 k" {, L6 S6 q我把文件导入了ansoft designer,想问一下,如何看它的电源阻抗?; g& q  C' V2 q8 _% b. e3 A
是看两个port之间即Z21还是Z11。
, c/ |5 U7 `/ M, I; Z谢谢各位!5 j& y. u3 u* X( ]5 E3 [/ B

+ @( M$ U4 M1 N6 b; a- e

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PDN可以只有一个端口,单端口就只关心1MHz以上的回路阻抗。是不上电状态PDN。 两个或者两个以上端口,有两种处理方式: 1.电压源处加VRM,简单的模型就是0.01ohms以下电阻或者直接短路。这是模拟系统上电状态的PDN 2.加归一化的端口,这是模拟系统不上电状态PDN

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2#
发表于 2015-7-13 16:10 | 只看该作者
PDN可以只有一个端口,单端口就只关心1MHz以上的回路阻抗。是不上电状态PDN。$ `4 R8 `: G# o( @
两个或者两个以上端口,有两种处理方式:2 {4 t" M& O5 K9 k. X
1.电压源处加VRM,简单的模型就是0.01ohms以下电阻或者直接短路。这是模拟系统上电状态的PDN6 \" Z! ?" u! d* \8 F3 w9 O  [
2.加归一化的端口,这是模拟系统不上电状态PDN
" y; K' c5 }: l& D
: X5 B7 w: R1 F( i

点评

我尝试了这两种方法: 1)只用一个端口PORT1,另外的VRM端接地 2)用两个端口PORT1和port2,另外的VRM对应的port2的归一化阻抗为0. 得到的结果是一样的。其实不都相当于模拟电源内阻的情况吗?  详情 回复 发表于 2015-7-16 09:05

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3#
发表于 2015-7-13 16:42 | 只看该作者
Z11

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请问为什么是Z11,默认的PDN至少有两个端口,在对SNP格式的文件进行仿真时,对另外一个端口怎么处理? 谢谢!  详情 回复 发表于 2015-7-15 13:05

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4#
发表于 2015-7-13 23:42 | 只看该作者
从一个port看过去就可以啦,所以看Z11即可

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5#
发表于 2015-7-14 08:39 | 只看该作者
回去看看理论吧

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能推荐一下资料吗? 这些对于你们来说确实简单了些!  详情 回复 发表于 2015-7-14 11:12

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6#
 楼主| 发表于 2015-7-14 11:11 | 只看该作者
菩提老树 发表于 2015-7-13 23:42
- `( x0 Q4 L; @) G, u! J+ j从一个port看过去就可以啦,所以看Z11即可
* F6 C1 V. g3 j* p# v( k( `
Z11是在其他端口open的情况下看去的输入阻抗,也就是自身的自阻抗。. w. ~& e9 ~3 {" y
在port1上加去耦电容是可以的,Z11会减小。这是没有问题的。% d2 q+ Y# \. O) |
那我在另一个端口(如port2)加一个接地电容,但Z11却不变。  `( Z7 W8 u, _  e6 a' \3 g" k
我觉得根据输入阻抗计算公式,在第二种情况下,z11应该是有所变化的?
6 i/ C# c$ x  N5 g5 x能劳驾解释一下吗?但实际却不是。( u% ^3 v, _% [0 }

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7#
 楼主| 发表于 2015-7-14 11:12 | 只看该作者
qingdalj 发表于 2015-7-14 08:39
' [6 {# m- R: B' [1 k回去看看理论吧
, W) Q  Q* E) ]" Q& O
能推荐一下资料吗?
( X* z  A9 l' O4 c" R5 P* K这些对于你们来说确实简单了些!& B+ p- B# u3 C" o/ _' ?5 Q; Z5 x

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8#
发表于 2015-7-14 13:35 | 只看该作者
ares0260 发表于 2015-7-14 11:12
4 U0 P8 X- i) H5 T能推荐一下资料吗?
/ p8 A$ Z- P' q7 _" Q这些对于你们来说确实简单了些!

8 G2 h! p6 L1 m<Power Integrity Modeling and Design for Semiconductors and Systems  >
6 B1 j. Y# u$ F/ w2 N% Owritten by Madhavan Swaminathan   A.Ege Engin7 e6 j- ~( w, j" m8 h2 t' c

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9#
 楼主| 发表于 2015-7-15 13:05 | 只看该作者
cousins 发表于 2015-7-13 16:42- Y) @8 U- A. W, u+ K  [/ Y! ]/ ^
Z11
. K2 u. B% L' u2 U

/ S- @2 m+ O% y! J# n$ @请问为什么是Z11,默认的PDN至少有两个端口,在对SNP格式的文件进行仿真时,对另外一个端口怎么处理?# d. g0 D* X- i8 U) z. \! c' u
谢谢!8 ?+ @" f! t0 ?% C4 X

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10#
 楼主| 发表于 2015-7-16 09:05 | 只看该作者
cousins 发表于 2015-7-13 16:100 g5 b7 B8 y: f0 |% e; q( w
PDN可以只有一个端口,单端口就只关心1MHz以上的回路阻抗。是不上电状态PDN。
; ?5 b5 o' B5 p) m9 \; ^6 k/ O两个或者两个以上端口,有两 ...
) {- X2 [: I$ T
我尝试了这两种方法:
& k' ?1 _/ {: L$ F/ S: k8 y1)只用一个端口PORT1,另外的VRM端接地
6 i; V7 ~3 M1 q* _& ]: Q2)用两个端口PORT1和port2,另外的VRM对应的port2的归一化阻抗为0.
$ ^2 N! k" f! R  @得到的结果是一样的。其实不都相当于模拟电源内阻的情况吗?) `! ^: s3 @5 R+ h

) Z0 A* Q) t9 c$ h6 d* o

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11#
发表于 2015-7-16 09:31 | 只看该作者
ares0260 发表于 2015-7-16 09:05, c$ ?/ j4 {- z# X! O0 i% v
我尝试了这两种方法:1 [$ A8 k( s0 V- c
1)只用一个端口PORT1,另外的VRM端接地
1 n9 A  q: _4 O& |) r- ]2)用两个端口PORT1和port2,另外的VRM ...

! A0 u5 o  l8 F" {0 p' C7 {9 Q归一化阻抗应该设置为50ohms或者0.1ohms以下,不能设为0.. g' z- Q, J6 u* M3 v- O; x- i: @# p
0ohms怎么归一?    b: O8 I& W; X# ~/ y1 }

# d$ A+ d' C8 }* B& ^: N5 G归一是要用Z/Zref的...' A0 d/ C' [6 N7 H1 Y
结果是不会完全一样的,在1MHz以上的结果是基本一致的。: N5 V! ^$ B6 ?! S. x& r( [
有vrm的在1MHz以下的Z11扫频对数结果为接近于一条直线,值很小。. _% o  s3 K" |6 _
无vrm的在1MHz以下的Z11扫频对数结果为从无穷大线性减小到一个很小的值,这个很小的值是靠近第一次出现电容谐振的位置。7 b% P1 u: w( P6 i& r) z: C2 L
记住以对数(log scale)的方式查看Z11。* k  Y( t5 G7 W1 _8 i# B

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12#
 楼主| 发表于 2015-7-22 16:08 | 只看该作者
cousins 发表于 2015-7-16 09:31
3 o, f) j. B; F+ T: x) `归一化阻抗应该设置为50ohms或者0.1ohms以下,不能设为0.6 B* }. v2 ~2 b" Y8 b" u# Y, ?
0ohms怎么归一?  
8 f2 J& k! T; F* A' B( }
Hi Conusins,5 f2 _/ i' C$ y4 @, b: [' y% u
请教您一个问题。
! }% G4 ]2 d$ D6 W% G7 G. `0 ~. S枣做电源完整性的时候,会生成一个SNP文件。
4 w0 J; X" B7 {  p放到ansoft designer中去,做它的时域瞬态响应分析。: H) z9 T( s7 b; T
因为以前没有接触过PI,真的不知该如何下手。- y3 t" o* s5 m8 V
望您能指点一二。
2 d: u0 \* y: a% m一般情况下,会给它一个阶跃信号(0 to 1.2v)测得芯片输入端的电压即可。6 T( d+ L& s, j$ E2 C  N0 [* O
但是参考的图中却没有看到对应的芯片(dut),这样对吗?
" F4 S* s$ O! w' g8 S

时域分析.PNG (22.76 KB, 下载次数: 12)

时域分析.PNG

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13#
发表于 2015-7-22 17:23 | 只看该作者
你要给的不是阶跃信号,是带交流分量的直流,交流分量为纹波。! Z+ F" l/ Z- i6 [
这个架构是对的,如果要仿真芯片接受的信号,就要加入封装参数。但如果对比板级测试的话,你测试点是加不到封装内的。只要加到pin上就可以了。
: ^+ T3 v2 H& ^3 ~+ F3 f% ]6 m4 \7 P* O

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 楼主| 发表于 2015-7-23 11:35 | 只看该作者
本帖最后由 ares0260 于 2015-7-23 11:45 编辑 6 F. y  z. }+ J. c* |& \, c
cousins 发表于 2015-7-22 17:230 \' \& x8 W/ {3 o# C: `2 N  l
你要给的不是阶跃信号,是带交流分量的直流,交流分量为纹波。1 e  z/ V7 z! N4 E5 y
这个架构是对的,如果要仿真芯片接受的信号 ...
如何体现纹波的频率呢?
( ?% d9 p) n% G6 ?能劳驾你给一个电路模型参考一下吗?或者一个小例子。
" P, D! j! A) O, Y拜谢!!!4 y0 n  v  B) C9 o
下图是从别人哪里看到的结果,纹波应该是0.04V,可是我总是做不出来。! d+ w4 N3 ]( j4 @9 B
可能是我了解的信息不全。我也把电路模型发给你了,你帮忙看看。7 \9 W6 ]$ o, G9 z/ d/ M5 _
非常感谢!!!
7 Y5 `, C# |/ Q* n; {* G. n% y
* @4 X5 D+ h- ^! p" V- P
( ^' S" C' m1 G: _+ ?/ ^+ ?" v% E

捕获.PNG (98.52 KB, 下载次数: 10)

捕获.PNG

TEST.rar

26.49 KB, 下载次数: 1, 下载积分: 威望 -5

电路模型

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15#
发表于 2015-7-23 11:44 | 只看该作者
提取平面的s参数即可。
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