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各位大侠1 ^; R, B+ H# Q
现在碰到一个问题7 y! C3 b7 r9 F: \9 z: R
就是ddr2内存接续的问题
8 ^, L |/ B, v现在系统cpu是三星的32位的s3c2450（ARM9核心），支持ddr，mobile ddr和ddr2
p P7 |2 G2 z3 `. { The S3C2450 Mobile DRAM Controller supports three kinds of memory inteRFace - (Mobile) SDRAM and mobile! d! _2 v3 h/ ^4 e4 L! ]
DDR and DDR2. Mobile DRAM controller provides 2 chip select signals (2 memory banks), these are used for up7 e$ |( N3 \% f5 {
to 2 (mobile) SDRAM banks or 2 mobile DDR banks or 2 DDR2 banks. Mobile DRAM controller can’t support 3+ p" }7 p \ G% `2 y
kinds of memory interface simultaneous, for example one bank for (mobile) SDRAM and one bank for mobile: d) H+ z; I+ _% A3 q/ }6 C8 m& p
DDR.
3 ^$ |5 T* ~$ kDDR2 Features
* R- e( o) G9 V− Support DDR2 having 4-bank architecture, don’t support 8-bank architecture.$ l z+ e* U' [
− Support 16-bit external data bus interface! i# u7 k5 X7 [. i0 a. ]
− Support AL(Additive Latency) 0, don’t support posted CAS, it needs EMRS setting.
$ J1 J/ a2 n" q" r4 K− Don’t support ODT and nDQS function, it needs EMRS setting.
& j& p. Z1 W* J− All other features are same to the features of SDR/mDDR
* {- C; d9 t5 u7 H6 U% ^ o9 T$ r/ S( u# e8 s7 ~. m1 A
但是我看他们接续的时候, m3 \2 R* Y$ }5 U9 D! o: B
接续了两个ddr2 （32M*16），而内存上只有十六位数据线9 Y3 f+ P/ ?' W' A+ A Q( f+ D
于是他们就将两个内存芯片的数据线分为高十六位和低十六位
6 |! @+ o$ i, P9 M, |# v" |- H4 t* l
: T, g6 e/ |$ g4 \+ Y我的问题就是) G& s8 P, G# `$ I$ y2 E1 j
1，要是接两个内存芯片的话必须这么接么？这么接有什么好处？
/ C8 f" Y. j. m1 L) N# B1 H2 Z" m2，要是接两个芯片的话可不可以将两个芯片的数据线都接续到一起？
9 Y. ^$ v# ^3 ^$ P. c3，我现在是用了两个ddr2 （32M*16），但是我要是用一个ddr2 （64M*16）的话这两种方式谁更快一点，原因？
6 x* y- B) I3 u8 ]4 `) m4，现在内存标称频率还有待于选择，比如说我现在可以用ddr2 667的内存，也可以用ddr2 533的内存，要是都工作在533MHz的话
, c8 T, d G- z- M ddr2 667的电磁干扰（EMI）会不会更大一点啊？ |
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发表于 2009-10-24 11:32
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