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请教大神一个铺铜皮的问题。

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1#
发表于 2019-8-16 13:28 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
请教大神一个铺铜皮的问题,非常感谢!7 k; M; ~7 [2 u' ?8 _) S% J$ V0 S
之前看过一个帖子,RX线下方挖一层是为了降低寄生电容,可以在同等阻抗的情况下拓展线宽,降低插损。可是通常只挖0402期间下面的GDN,走线却不挖,走线也就是到BGA的线为什么不挖呢?
1 k' ]7 P3 O+ Q& P* B" z1 v/ @! Z/ f1 d- y! G% Y
   
( V9 K- e/ P8 g/ P) Y
& G0 ], S5 a9 m$ i
  • TA的每日心情
    开心
    2019-11-20 15:05
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    [LV.1]初来乍到

    2#
    发表于 2019-8-16 15:55 | 只看该作者
    因为器件在高频电路中还有一个等效电路,而且这器件的面积相对PCB的走线要大。) l9 U+ Y2 `8 y8 S- o" x
    寄生电容就是两个极板的面积成成比,两个极板的间距成反比,: A% [2 ]! Y: ^0 B% ^9 Z
    这样在增加了面积后,而为了保证寄生电容不怎么变化,只有增大两个极板间的间距。
  • TA的每日心情
    开心
    2019-11-19 15:19
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    3#
    发表于 2019-8-16 15:56 | 只看该作者
    我觉得是0402焊盘宽度比较宽,如果要做阻抗,就必须挖层才能满足阻抗。

    该用户从未签到

    4#
    发表于 2019-8-16 15:57 | 只看该作者
    线宽小的走线不要挖,这需要根据计算的,是的参考不挖的这层地的走线的阻抗需要满足50OHM。如果不挖能满足50OHM就不用挖。

    该用户从未签到

    5#
    发表于 2019-8-16 15:58 | 只看该作者
    到芯片处走线下面挖了就要加宽走线来保证阻抗,你去BGA下面走那么宽试试?

    该用户从未签到

    7#
    发表于 2019-9-2 17:50 | 只看该作者
    本帖最后由 criterion 于 2019-9-6 12:19 编辑
    5 v  D& F9 I$ M( q8 w9 W( j
    8 A  o/ C0 Z2 E) U4 _  dRX线下方挖一层是为了降低寄生电容
    % e+ L7 A4 T  u4 K$ M; L  s
    =>  未必!!
    5 y- u+ }8 ^! u9 V/ [7 q# P. e* I
    , K! h4 `) @, e5 N4 S+ V; B+ M) t' z" d9 c

    6 P8 D/ c! ^8 C  e3 u+ o' n% L2 P5 Z# @3 X3 J1 g

    ) b- }2 X7 h4 U$ f5 ]
    在同样50奥姆阻抗下
    走线挖空    反而有可能   让寄生电容变大

    " D+ A4 G8 d$ w- @( r. ]5 q
    9 u! ]9 A2 [: |! C4 i
    我们拿实际迭构来做计算

    / S! n! P( R+ t# n

    % e+ Y' D# V$ p& D* x- q, B

    0 N  q' h4 X  w1 x

    5 E/ A7 E9 B; `7 W! b
    因为原本单位是um   转换成mil (1um = 0.03937mil)
    所以才小数点后面一堆数字

    ' G; s- y! @7 s, Y* `

    4 Q9 \  B" x8 w, N
    0 i0 n0 h  r9 ]: G

    9 b+ T: y8 M& B  V6 C5 V  z4 d# n+ a3 ?1 H

    : s# ^. ]6 [8 K5 j& E2 Q' g2 f6 _$ V. d2 A) A

    5 t$ Z! b" p5 W7 P6 y$ f3 s* K$ U' P. R. a7 P7 b& d

    * L" R! W5 A# a' E& Q
    如果以L2为参考地   不挖空   50奥姆的线宽是3mil

    # T9 `0 B5 [& o% `7 M* c

    5 s* F+ _1 J5 J/ T8 S5 D; i' g
    # o6 E" d/ Q9 r' e4 D% k7 G

    5 Z! U1 `1 P. C4 H4 d2 T! \! ~# S3 ?
    ) e" Q/ y6 x/ r! O4 C5 Z. A

    . l: f+ \9 C& u5 ?) A
    9 f. K! Q) V% w: R6 Q  I2 e8 U7 H; E  d8 Y. g  B

    0 a: t. d6 y3 d1 k  Z! X; v0 C: ~$ ^) g& W$ f" Q8 _

    3 _# P1 i8 C1 Y
    ' N0 G: f5 s1 f' G# d5 O. f+ `) V) Q" S7 M% X
    2 A+ X8 e8 R. v! @7 h" C  ^
    如果以L3为参考地   挖空   50奥姆的线宽是9mil
    . F. M6 u$ M5 p0 Q- ^/ l+ y
    ( u6 U9 z4 `" g/ y4 h  b; X( E( c* |4 K

    0 S8 c5 s7 {" O6 v
    7 `3 _" p0 v& [. C! _0 N! c" P- l! c' t% i+ s- X6 [9 Z" K

    & l/ `2 B7 M6 P, t
    ; m7 J7 }4 q1 V2 D
    # A3 F  _4 d8 j6 G3 w/ l# j6 R/ S, ]0 x* G1 ^4 j( x8 _. r& X
    4 @8 o8 B0 D# X- }- x
    根据电容公式:

    ) s. x  _2 b# a) }% L2 d) k* B

    % Q& `; v, L; ?1 T7 Z* B

    1 H0 T- f4 a: O7 P
    ; `, Q4 \6 t0 p: c; _+ i
    & G( E% I4 u9 ~4 @
    # R: z) c  S) d: s* \
    如果要比谁的寄生电容大    介电常数就不用算了   因为两者的介电常数都一样
    那就看谁的A/d比较大    对吧?
    4 }( f" g% S% i
    : A1 s) @1 R; G( ~6 m0 l* R" m
    . D5 k- X) F; E; C

    0 U$ d6 e3 t6 m

    # }# j, a& l' N+ B% \: X
    * f/ c7 [* E' \  g' [
    5 r; s/ c6 F8 F
    . u, ]1 w/ z6 T' v; `/ p- P; A6 ]$ N; n1 a. d# ~. P

    4 g/ R2 x- Y8 `+ G' k8 F$ ~5 a  {3 D8 i8 e2 n0 x2 Z

    " E' z' B! K7 D) h$ |% l6 ^7 p  ~' w. G$ _  k# I
      b$ n$ ]' x/ g# F5 ^2 `. r9 ~2 H
    ! s! q1 d6 x1 ?: y2 W, P: E
    / ^3 \% q4 Y" l& f# w- @* b

    4 [  R4 N" E$ f& |; O% |0 ?
    A是面积     等于W x L
    两者的线长都一样     所以若要比谁的寄生电容大   
    那就看谁的W/d比较大    对吧?
    % s& x. R9 T' w( m" I9 q1 f

    2 _! [- h2 y* c( B" o7 P& h
    # x) X1 n" a  E, q% ?% W% N: D# L8 U
    5 E, c  m) f: m2 G7 U* Z. n
    8 k# p& G/ H0 r+ l, U: J9 v
    $ c' Z, I/ ~: ~0 u6 U
    不挖空:  w/d = 3/1.83 = 1.64
    挖空: w/d =9/4.8 = 1.875
    1.875 > 1.64
    所以   挖空的寄生效应    反而比较大    故得证

    6 `+ b, L# V+ J" K) Y. z8 y
    1 L/ d+ g) V- y) d5 Z% H5 v( w* ^" P: L# }+ p

    & |- t5 ~- g# ]9 L" e) ]
    挖空是走线跟GND距离拉大没错    但你线宽也会拓宽啊
    所以寄生效应  是变大还变小  要透过计算才知道
    + m6 H) g6 L4 M

    ! C# u& O# L$ \. w1 E  Q* H6 ?2 u
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