TA的每日心情 | 擦汗
2020-1-14 15:59 |
|---|
签到天数: 1 天 [LV.1]初来乍到
|
EDA365欢迎您登录！
您需要 登录 才可以下载或查看，没有帐号？注册
x
欢迎讨论：siwave与HFSS微带线仿真对比！- }! _( U! n% V$ i6 T. b
: J. [% o/ H" U
仅仅作为仿真，结构并不一定非常合理9 @ k! O% _4 o. o
" r4 E' w: M4 x7 ]2 x; w
微带线宽10mil! N' K- n& ^4 b2 y) C$ e3 |# Z
微带线厚2mil1 l4 v: H1 }# b; d0 S n
微带长度5010mil. ]$ ^& E! B1 H9 R& V5 f0 t$ M
中间介质厚10mil，介电常数4.4（按仿真工具里面默认的FR4选择）- ] U: g# }, e, }" D
参考面厚2mil+ h% |5 c0 K; P6 M7 M$ B( W$ _
$ m% ?; |1 m6 ?) E& \5 v) @+ i( j c$ m- s( [
TDR仿真设置：
9 G) S9 e: m" ^7 z/ |5 O; wrise time：100ps；della time：10ps* F5 a7 E Q) t6 X7 P) \1 s, t
5 q: ?5 ]# t& P2 W
在SIWAVE中画一根5010mil的走线；有一个完整的参考平面
( l. A) ~* h5 q& y" ?6 p然后得出的S参数与TDR仿真结果如下
8 b; I, ]2 M9 j+ {8 d
8 E/ |) k0 _9 Q- p; r
( L( U: _4 z ~3 P1 [. S--------------------------------' k' K1 l5 Y" X5 `2 Q" ^- E3 J
K u! C2 T( d, ?
在HFSS中，画一个参数化结构，PCB长宽100mil X 100mi，端口使用内嵌deembed功能（-4190mil）
- K6 H# a$ z8 C! F: q使用终端驱动摸索，waveport端口处的的设置：
: N+ K5 v5 U- c4 s: g dsheet宽是走线的5倍关系，长是微带线与介质厚度的11倍关系( ?# [" H0 u9 E% D! R1 K+ H+ `+ {
然后得出的S参数与TDR仿真结果如下4 `' t5 T% ?7 ^) v3 y
/ ^# x4 d. I `6 U' s6 E
3 G6 V3 Z7 |2 V' }9 S5 M6 s9 V
/ J; O( @$ Z- x, J; N
+ E9 P. D) |- F: @
1 A* l# m% F, ~: M) [% B
|5 Y1 ?" N1 o- m7 q; u, o+ Y0 B: \问题：7 g" `! ^) h, R
（1）siwave仿真的结果跟使用polar的仿真结果基本接近；hfss怎差了好几欧；这样的结果是否是正确的
$ e0 `" L: H* P! f2 ~3d与2d的适应范围与精度是如何进行评估呢？* w1 O3 L! R n! w: }) B
( [: i o3 }7 u+ m（2）因为目前没使用仪器测试过TDR，希望有经验的朋友能提供一些仿真与实测的数据对比结果1 a3 @" i# O7 J* a2 N
7 E4 j7 u6 \- n& ]" u
（3）从史密斯园可以看出那些情况？转的圈数是不是就是谐振点数？也就是这跟走线上经过的波的数量？如何能快速了解这跟走线到底走了多少波长？ u8 U6 I) S J8 i8 Q2 I
6 y. W/ A$ J" v+ N1 o3 H（4）如果在hfss按照微带5010mil长度建模，好像仿真得出的结果差异非常大，不知道这个结果是不是跟模型走线过长，存在严重的辐射边界反射导致的？在正确使用waveport的时候应该注意那些问题？下图是这个的仿真结果，看着比较诡异+ t/ Q6 m% K1 o; |: a5 m
0 V+ H& p, _. e/ T! J- k
; Z! B- j2 U6 q1 m# w6 m* \, i
0 v9 ^, ]" S. Y- D# L3 p: r9 m/ d
7 E! X) C- ` w: v3 ~+ K
9 x% h2 {' G4 ^8 ~1 R& ^4 k* @5 p
' \" H+ ~2 n/ [9 T" v- N' g* A3 k, {( q4 a2 G. Q1 \* h
|
|
/1 
发表于 2012-4-16 22:12
收藏
淘帖
支持！
反对！
楼主