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本帖最后由 criterion 于 2024-11-27 00:09 编辑
9 @4 \2 \* K6 Z' L" C
9 t" b6 l3 ~: U, {6 M$ |9 O先查看 MCU的电源跟晶体 是否有透过落地电容共地 有的话 拔电容试试
$ _0 ]2 s r& f* u6 ]& G
8 C$ s+ s3 e; l& R7 f* `
一般而言 32.768k是很低频的讯号了 其谐波会去干扰到射频讯号的机会很低 所以 分布在主频信号的两边的杂散 不是晶体谐波 而是交互调变 % d: B' {9 X# `5 ~1 r
& g' T: Q0 C/ { `
k. Y# I* r. z" S) H( x: F! B; [7 [: b0 B" U$ |! }* i
0 {( C; y( h1 R- R, o4 {7 _/ x3 T如果32.768kHz 透过共地 窜到落地电容 再流入MCU
7 a- b8 a, O1 D3 k跟RF主频 产生2阶交互调变; ]" R. z4 I8 R
(RF +- 32.768kHz)3 {. l) f) L9 d4 _, x: n* b6 }
就会出现你所说的
% |1 o( w/ a6 D/ T“杂散分布在主频信号的两边”% O$ j! E0 K8 U6 l/ X; k. m* V5 g
: h3 g6 c9 {/ H1 Q& U# K+ g# j' u; R
要验证的手法也很简单 你把RF信号的功率调小+ ^0 F4 Q/ p( c, s. \8 `
看杂散是否也跟着变小
7 J. T( J, R' ? V如果是 那就八九不离十了% z" m q# `3 l9 S, p7 P5 J
因为交互调变的功率 会跟RF信号功率 有连带关系
, s( T& Z5 A5 U0 f
6 Q1 R0 V9 {2 B" q$ q* ~ }! L, |. G4 z; k
4 R8 e- P( v5 l( E0 G6 |$ L0 q, u此时可能有人会提出两个疑问0 [: G" y" e, `" C1 H" I6 r
- G) a1 \9 [! j9 X+ R/ Y9 b第一个疑问 电容不是隔直吗?/ w7 J, r- ]! Z; R& `
32.768kHz这么低频讯号 怎么可能流得过电容?( B5 ?- N3 ~+ _+ O. {% T8 n. t
/ } H- M# E; J# y/ s+ R# o
答案是: 当然流得过 只要电容值够大7 [+ {9 v. ?: h( i8 X; ~; n0 j
来做个仿真
/ N0 A! j0 \# O& q9 Y( o R
4 |6 }! Z7 E: K/ Z
: o' q: W1 }5 k' X. l0 t8 u! Z# p/ K7 [, o9 f$ N
+ w3 c# u. o4 B |8 s
2 }* N5 [" O( P x% G% C0 H
1 d! G5 Z; Y( [ Q, \' x& Y1 ?+ `& r7 z \) Q
该1uF电容 对于直流讯号 当然有隔直作用! o1 d2 k2 e' E" Z" I# t
但是 32.768kHz的讯号 终究不是直流讯号
; k6 o" F$ j8 U& `; U- Y4 A# |只要电容值够大 其谐振频率够低 意味着低频范围的阻抗很低
( u, n2 N9 M' e( X+ L* Q! r7 F对于极低频讯号 几乎无抑制能力 那当然就流得过
; h1 M( l) T, H$ M o/ t
2 Y _* w( I2 R! ^! B4 P! f. D* ]- h8 A7 Z: p. Q; z
第二个疑问 任何讯号 包含噪声+ {! B S _6 t3 e+ A
肯定是高阻抗流向低阻抗% f# ]! X0 m& w- B
怎么可能会从GND逆游而上 流到电源走线?
* J) I# [+ k+ c5 ^& N2 e, O
2 r) X; a9 F: e7 V1 m7 a9 G( Z$ b/ ^3 K9 @, g+ [
答案是 如果GND的阻抗 比电源走线还高 那就有可能了3 I P% ^! B" \6 \
2 f+ R5 G& \ m. F
" p+ m% Y) H8 D8 v5 l* {
/ p8 ]. \% I+ N) z8 k) ?
) F! C( M' v( s' p
首先分析电源走线的阻抗 在走线放落地电容
" k0 U+ `" ^. @4 K$ B( B) t5 D等同加大了该走线的电容性 依照阻抗公式1 g- E+ D* d( `( x- o* J6 h A
4 M" e5 a6 U+ Z, c2 x+ V
. O' i* Y/ Q6 L1 ?
- W# v5 i" } w* V
) \8 V" M1 J3 O J/ [& j( p5 ?0 k4 S& r# I
电容性增大 其阻抗就降低
8 D+ o$ N- f6 j7 x. F2 {% Z如果是uF等级的大电容 阻抗就降更多
+ @" W) Z* A8 k" A1 X; R2 G) h& { Z5 j8 v% y7 g4 f) v
% X( D7 g4 E' I8 v% w* @再者 电源走线 通常会有多颗落地电容并联
8 t" s* A$ }& q* Y而电容是越并越大
y( F0 y9 D8 P, \( [. {- |' y! t7 L+ l3 s
' H; V2 T3 d4 s& C
5 U3 Q% ~( d" u6 k
; _0 [6 z6 I6 k3 i+ L9 I
) O$ m8 K4 E5 G7 m' T- ~如此又更进一步 大大降低了电源走线的阻抗
0 j. s0 z+ q: r/ E* L* [) s+ ^# U0 G1 g e
再来分析GND的阻抗 很多时候 碍于Layout空间限制, M) z8 p V) p# Y7 L
很可能GND是极为零碎的 且面积也不大
8 g* w8 D, J# s) [8 u4 p同时又因为面积不大 所以无法打太多地孔# R! h7 u% H8 N! @) t5 K
这些情况加种下 就会导致GND的阻抗 其实不如想象的低/ i. s8 Q/ P3 l2 x L& _# G
甚至有可能比电源走线还高1 [6 r5 C+ v/ ~, `( W+ m: d* P
如此一来 噪声从GND逆游而上 就有可能发生
. R. E5 U n+ W. H5 Z
6 q1 {, ^# z( u- D因此 一开头才说 拔电容试试
+ k+ h6 y3 J1 R5 U( E7 m5 S; t
" B! K' b! m8 j% _: P2 \6 ~, B, K2 S, _5 L% r8 C) y- q
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