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[仿真讨论] DDR3大牛进

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1#
发表于 2013-11-8 13:46 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 lkzuihao 于 2013-11-14 09:54 编辑
) d" R5 v+ t3 ?, d/ E
( n) C" t2 d4 T- L一块嵌入式板子,电源等问题已经排除。DDR3的时钟DDR_clk 600+M时系统崩溃,且必现,调整到400+M时系统稳定工作,LAYout各项等长都做的很好,电源分割什么的和人家的DEMO板都一样,刻就是出问题呀,这个怎么破,还有啥可以调的,请大牛给个指导啊,一个半月了{:soso_e109:} : V0 i; [) j/ D/ Q1 v* _
" m4 e# l+ ~% n
忘了跟大家说以下情况,系统崩溃之发生在跑业务的时候(大量数据读写),不跑业务的时候不会崩溃

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发表于 2013-12-13 14:13 | 只看该作者
1: 看看ODT是多少? 一般建议ODT60,或120
+ x% R8 I7 F0 l2: 2T模式打开,如果是地址出现时序的问题,2T模式会有帮助
7 w( `* E! d9 p, K2 {4 n3:自己的芯片,还是别人的芯片。自己的就要看IC内部设计是否有问题了!

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发表于 2013-11-16 09:55 | 只看该作者
没有测试工具情况下的调试只能是猜了,我建议可以在安全的情况下调高一下1.5V的电压,如调整50同mV,外接稳压源只能提高电源的输出电流,别的帮不上多少忙。而且你外接电源时,用的电缆线如果过长过细的话,会有很多别的问题。" O% }, W( w) E2 M* `& Y
你可以作一下对比测试:, q2 c8 N9 R& s4 f) t# E% k
两种情况下DDR芯片下电压的变化,用示波器记录,打开余辉模式,用直流档,电压分辨要达到10mV的级别,可以示波器的offset功能,当然你的示波器得有这个功能。看看两种情况下电压的波动有什么不一样。
* b# i5 ?' n! E% _, \4 H第二种办法:在DDR芯片的的电源上引脚上多加些电容,大大小小组合起来用,看有没有效果。
) b$ u  b1 t0 E1 N% E第三,调高1.5的供电压50mV,看有没有效果。
5 ?' @# L3 G5 P- d如果是电源的问题还可以调调看,如果是时序或是由于叠层不当引起的问题,那可能比较难搞。2 J2 B# G  c, ]
如果你的示波器能看到一个完整的波形(包括过冲,下冲,反射,振铃等细节),这样你可以调一下ODT,找到一下最好的情况,再作其它的调整。# L3 P* H! Z* i2 R+ l9 ^' r
最好的办法就是仿真,找调试方向。
$ w, n! t" _6 g' ]/ M$ o! v# e

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 楼主| 发表于 2013-11-15 14:13 | 只看该作者
本帖最后由 lkzuihao 于 2013-11-15 15:02 编辑
5 S* y# u6 i1 \5 w' a( G
Dandy_15 发表于 2013-11-14 20:38% _$ P- k* T" r4 Y: X1 X( Q
不知道是不是你示波器或是探头的带宽不够,波形没有任何细节,应该是方波的东西,被测出来接近三角波。
% t$ s4 i6 a% |+ z* H如 ...

+ X, U4 s7 |# @
2 G7 p* y0 r: ~- S( _9 r% L多谢这位兄台的分析。
& h( u! u/ h/ E我们这条件不够,看不了眼图,现在使用的已经是我们公司最好的示波器了,就是测到600+M的时钟结果都不很稳定,捉急。
; v% l4 U: L! D! }0 [, U/ {我觉得SSN可能性更大一些,现在我已经把核心电压和DDR3的1.5V都外接稳压电源了,高速还是这个问题,对比低速运行,1.5V的峰值电流会高50mV左右,别的没啥区别。
; r0 l1 _" p0 H& A, ]现在这板子已经来不及讨论FLY-BY还是T了,我希望能在T下解决目前的问题。  U) d( O6 r0 B& T
也不知道在现有条件下,还能做些什么工作。我懂一点UBOOT下的知识,能自己调整配置DDRC的寄存器,目前做过一些ODT、Trc、Tcl、Tras、Trp的调整,但是也没有什么效果。6 E3 w; l4 x# a/ S
有4快一样的板子,有2快情况好一点,运行的时间会长一些,另外2块就不行了,很快就会崩溃。

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2#
发表于 2013-11-8 13:59 | 只看该作者
就是跑不了高速率嘛。SI 或者PI问题
& {; [' r  _& a- X, ?4 o$ N9 n! T1、查一下信号质量问题,是否过冲太大。附上图片。
# h: v2 Q4 `6 ^; w0 \8 m2、时序,等长,结合眼图
; N5 {6 b" }$ A2 m0 K3、电源噪声。也附上图片吧

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3#
 楼主| 发表于 2013-11-8 14:41 | 只看该作者
eeicciee 发表于 2013-11-8 13:59
6 a, e' a6 a% ?就是跑不了高速率嘛。SI 或者PI问题
; D- c3 [. h  E+ x3 l1、查一下信号质量问题,是否过冲太大。附上图片。# z5 m& o  C1 }! ?# i) N
2、时序,等长, ...

  K* S7 E8 \, U: o1 ]+ q% `4 Q等长数据表我就不贴出来了
- `: r: K0 s+ r7 B, f! K电源我们用台式串联稳压电源替代过,应该不会有问题
* K! N1 u' L+ ^8 Y, D8 r+ T  {$ Q( D% k/ \  \
数据已于 14:39 保存10 秒后保存 保存数据 | 恢复数据    字数检查 | 清除内容    加大编辑框 | 缩小编辑框
" q' m3 ~+ y1 G+ d1 s附加选项& _( f4 s0 o, `& s6 _( K' o
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0 L# i) r9 |4 }/ P( s          8 d; u% {6 u5 ^8 j

ddr_dq0.png (41.6 KB, 下载次数: 3)

DDR_DQ0波形

DDR_DQ0波形

DDA0_a0.jpg (285.2 KB, 下载次数: 2)

地址线DDR_A0走线

地址线DDR_A0走线

DDA0_a0.png (29.71 KB, 下载次数: 5)

地址线DDR_A0波形

地址线DDR_A0波形

DDR0_DQS0.png (53.16 KB, 下载次数: 3)

DDR_DQS0波形

DDR_DQS0波形

DDR0_DQS0_P.jpg (355.58 KB, 下载次数: 4)

DDR_DQS0走线

DDR_DQS0走线

ddr_clk0.jpg (370.37 KB, 下载次数: 2)

ddr_clk0走线

ddr_clk0走线

ddr_clk0.png (57.42 KB, 下载次数: 3)

ddr_clk0波形

ddr_clk0波形

ddr_dq0.jpg (365.72 KB, 下载次数: 5)

DDR_DQ0走线

DDR_DQ0走线

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4#
 楼主| 发表于 2013-11-8 14:42 | 只看该作者
本帖最后由 lkzuihao 于 2013-11-8 15:14 编辑
' H3 }! `0 b( ]( ~5 |/ }% q) y5 F$ _' O
贴的图顺序被打乱了,好像没法调整
4 G6 G+ z$ L- E% a& e( {+ x4 H. ]我把波形图整合到一起,如图

对比.jpg (142.44 KB, 下载次数: 3)

对比.jpg

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5#
 楼主| 发表于 2013-11-8 14:47 | 只看该作者
eeicciee 发表于 2013-11-8 13:59
6 V" y; ^6 k& f- c$ K就是跑不了高速率嘛。SI 或者PI问题. I" Y# p" A. Y4 j4 w1 c$ l" H
1、查一下信号质量问题,是否过冲太大。附上图片。3 e4 Y/ `3 h2 n" q7 W
2、时序,等长, ...

  d. r. Q6 N1 P4 }' |系统崩溃后,地址线A0上的信号就没有了,但是CLK、DQS、DQ信号都还在
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    2024-2-21 15:59
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    [LV.8]以坛为家I

    6#
    发表于 2013-11-8 14:49 | 只看该作者
    DDR3一般建议地址线走Fly-By,而且要有终端VTT匹配。如果走T型拓扑,VTT匹配应当放在T点处。
    0 _3 Q0 N. q* }+ K3 ~& y曾经把DDR3走成T型拓扑,VTT匹配放在T点处,时钟频率只能到400mhz,再往上就跑不起来了。
    . d, `" ]: c8 [) @当然,不同IC的要求不尽相同。

    该用户从未签到

    7#
     楼主| 发表于 2013-11-8 14:54 | 只看该作者
    dzkcool 发表于 2013-11-8 14:49( R  A% a, X! e! A6 m
    DDR3一般建议地址线走Fly-By,而且要有终端VTT匹配。如果走T型拓扑,VTT匹配应当放在T点处。0 i+ L7 f+ Z  @+ q) I" y$ X
    曾经把DDR3走 ...

    1 L2 e$ I  U% z/ H; B; v  z我们的是T型的,不过这个应该没有问题的,之前在别的板子上已经屡试不爽了(同一个IC的解决方案),600+M跑的哗哗的,从来没有出过问题

    该用户从未签到

    8#
    发表于 2013-11-8 18:23 | 只看该作者
    本帖最后由 honejing 于 2013-11-8 21:54 编辑
    3 a( n, Q5 C& t! i* ]
    : r7 ?" W* |6 h3 W# n+ o( Z如有 Layout 檔案,也許看看可以给你一點意見。% W' ]2 |9 i/ e# V
    . W5 e3 [) A4 |" I
    信號要這麼量,你量的電壓峰值有點小,DQ 信號也沒在 VDDQ/2 中間,怪怪!
    3 S% t' a" N5 h

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    9#
     楼主| 发表于 2013-11-12 14:44 | 只看该作者
    eeicciee 发表于 2013-11-8 13:59: b# c# X8 ]3 [$ p" V% F
    就是跑不了高速率嘛。SI 或者PI问题
    5 R+ x, i8 A! q/ [1、查一下信号质量问题,是否过冲太大。附上图片。
    - I* G6 a$ n2 N7 a2、时序,等长, ...
    7 }0 y( D0 {/ u5 @' L
    大家看一下我们的电源分割,图中高亮的铜皮是1.0V核心电压,左边是DCDC,右边是终端,紫色部分被割到第3层了,绿色部分在电源层,4片DDR被包围在里面。一致觉得这个不是很合理(这个我没办法),大家觉得会影响那么大么?3 B2 o4 k9 ~0 \0 _/ s, Z) B  r

    dy.jpg (309.82 KB, 下载次数: 3)

    dy.jpg

    该用户从未签到

    10#
    发表于 2013-11-12 15:01 | 只看该作者
    lkzuihao 发表于 2013-11-12 14:44
    2 U. y. z6 h& c. K7 {1 A3 K大家看一下我们的电源分割,图中高亮的铜皮是1.0V核心电压,左边是DCDC,右边是终端,紫色部分被割到第3 ...
    , c  s) D9 [/ o- y2 f  }* [7 v' N- T0 ]
    想知道是不是电源的原因,有一个办法。
    1 h( \  N% M) M! o: e1 b1、你跑一下正常的速率,然后测一下1.5V的电压波动范围。一般在1.425V~1.575V之间是正常2 |5 Q- I5 Z; A' F2 S2 x
    2、你跑一下不正常的速率,然后测一下1.5V的电压波动范围。如果1.425V~1.575V间,可以排除1.5V电源的因素;如果在1.425V~1.575V之外,那电源是因素之一,这个时候要多加点电容,把电压范围调整到1.425V~1.575V间,看看跑不跑得起来。
    ( n5 R) Z" A& n8 a  q; G个人意见……
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    11#
    发表于 2013-11-12 17:04 | 只看该作者
    都是牛人啊学习了

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    12#
     楼主| 发表于 2013-11-12 17:20 | 只看该作者
    honejing 发表于 2013-11-8 18:231 U7 j  b. r: H
    如有 Layout 檔案,也許看看可以给你一點意見。
    3 H% y. e3 j) r" ?" n$ g2 K6 P8 t+ f% n: L$ w- I
    信號要這麼量,你量的電壓峰值有點小,DQ 信號也沒在 VD ...

    & d4 A8 p6 ?8 R3 x: O, {( w上传了叠层文件

    dc.jpg (101.58 KB, 下载次数: 3)

    dc.jpg

    该用户从未签到

    13#
    发表于 2013-11-12 22:54 | 只看该作者
    Hi,Lkzui" J# _$ K% T& w/ Q5 O9 l1 @# v; @

    " B+ ~# s; n' a5 B. T! }8 A& I7 wFor your reference.
      N1 q9 E0 F' P+ {/ V8 N1 Y

    该用户从未签到

    14#
     楼主| 发表于 2013-11-13 10:33 | 只看该作者
    honejing 发表于 2013-11-12 22:54  _3 ~* X: e# j) q9 O
    Hi,Lkzui
    2 a3 z9 u* ^; N( s
    * K2 b& G+ d% qFor your reference.

    9 q, D' G4 h$ o% ^honejing:. w0 X$ M7 W- `) I
    昨天切割了下铜皮,貌似不是这个问题

    fg.jpg (107.06 KB, 下载次数: 3)

    fg.jpg

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    15#
    发表于 2013-11-13 11:56 | 只看该作者
    一點速度上的改進都沒有嗎?仿真可以看出這片 GND plane 在一些頻點有2xx mV 的電位差。
    5 d. @- @+ I5 n8 [3 Z若不行只能實際量一些信號在判斷,可以先看寫DRAM 的 DQS/DQSB, Clock 對相位差。) e% k3 ~3 E) X+ M
    另外要設法知道是寫錯或是讀錯?8 B( O1 F2 g& V8 s1 Z
    或找出哪一個 DRAM 先錯,再抓問題。
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