本站微信 收藏本站 设为首页
 找回密码
 注册
关于网站域名变更的通知
EDA365电子论坛网»电子社区 › 研发技术版块 › 硬件设计讨论 › 大电流模块短路试验
返回列表 发新帖
查看: 406|回复: 10
打印 上一主题 下一主题

大电流模块短路试验

[复制链接]
Chenmiking
  • TA的每日心情
    奋斗
    2020-7-17 15:39

    • 签到天数: 13 天

    [LV.3]偶尔看看II
    跳转到指定楼层
    1#
     楼主| 发表于 2025-11-4 17:19 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

    EDA365欢迎您登录！

    您需要 登录 才可以下载或查看，没有帐号？注册

    x
    我有一个大电流模块，电流大概200A，需要六个MoS管并联，我有三个方案，一个方案是三个一组，分为两组，用两组开关去控制两组MOS管，每个mos管带独立的栅级电阻还；有一个方案是用六个开关去控制六个MOS管；第三个方案是用一个驱动信号去控制六个mos管，六个mos管都有独立栅级电阻，我想问一下，在做短路试验的时候，这三种方式，哪个更容易造成MOS管的损坏？

    “来自电巢APP”

    点评

    谢谢分享！: 5.0
    超級狗
    谢谢分享！: 5
    全看哥的目的，看你是想弄死它，還是希望它在測試後存活下來。^_^  发表于 2025-11-5 22:37

    评分

    参与人数 1威望 +5 收起 理由
    超級狗 + 5 算是個不錯的問題！

    查看全部评分

    下载资料威望不够？点击查看获取威望的N种方法>>
    回复

    举报

    EDA365微信号及QQ群号！
    Dcpc086397900
  • TA的每日心情
    奋斗
    2025-11-21 15:00

    • 签到天数: 60 天

    [LV.6]常住居民II
    2#
    发表于 2025-11-4 20:04 | 只看该作者
    我的看法是，有200A的mos，价格不贵，用一个，直接控制即可。

    评分

    参与人数 1威望 +5 收起 理由
    超級狗 + 5 觀念正確、但 KW 級需要鱷龜般大的 ＭOS 管.

    查看全部评分

    下载资料威望不够？点击查看获取威望的N种方法>>
    回复 支持 反对

    举报

    超級狗

    该用户从未签到
    3#
    发表于 2025-11-4 22:26 | 只看该作者
    本帖最后由 超級狗 于 2025-11-5 09:18 编辑
    ' r! O( Q! e7 ?8 u' j3 ]- E
    ) `/ |2 l% U' u) l/ Z3 y; }1 w爽乎？
    7 K" T. w; R- q) m0 i
    " T& |$ j6 N/ |6 |- X重點不在於你做不做短路測試，每個 MOS 管的特性都不一樣（開關速度、導通電阻...等），如果開關時間不一致，平時工作就有可能會往生，不用等到短路發生。# I, B& U+ ]! ~" C! f0 N
    - D9 @- p: X( ~2 m& ]& L
    • 一次要推多顆 MOS 管，Gate Driver 的驅動能力需要注意。
    • MOS 管儘量選擇同一個批號，特性會較一致。
    • 需要追加過流保護（OCP）機制。
      ) b. U# Z$ l- v: S( C8 q$ x- e1 C  l
    : E: e; a+ V2 ?1 N0 b
    踢哀（TI）參考設計 TIDA-00364) N: X; z, I: L" b3 ^1 ~4 L

    , x8 i1 y: x! }    TIDA-00364 reference design | TI.com
    ) x) u7 U3 b/ T; l1 U4 D! N7 l1 t1 S8 A9 U

    " ~4 {, O( z0 F$ t* H5 K  E$ u, s

    5KW Power Stage Reference Design.jpg (30.13 KB, 下载次数: 2)

    5KW Power Stage Reference Design.jpg

    slpa020.pdf

    593.65 KB, 下载次数: 6, 下载积分: 威望 -5

    下载资料威望不够？点击查看获取威望的N种方法>>
    回复 支持 反对

    举报

    Dcpc103055205
  • TA的每日心情
    奋斗
    2025-11-21 15:05

    • 签到天数: 26 天

    [LV.4]偶尔看看III
    4#
    发表于 2025-11-5 09:33 | 只看该作者
    在短路试验中，方案三（单驱动信号控制六个 MOS 管）最容易造成损坏，方案二次之，方案一相对最安全。

    下载资料威望不够？点击查看获取威望的N种方法>>
    回复 支持 反对

    举报

    超級狗

    该用户从未签到
    5#
    发表于 2025-11-5 13:11 | 只看该作者

    $ y+ m. u; j( K' d虐死劈你呀（Nexperia）Current Sharing 技術介紹
    7 Y# ~  n2 w0 _9 @4 D在并联两个或多个 MOSFET 以实现高电流能力和降低导通损耗的过程中，设计人员往往难以确保在导通与关断阶段，负载电流可在各独立器件间均匀分配。VGS(th) 值最低的MOSFET 会最先导通，进而承受更高热应力，可能会加速器件失效。为保障足够的安全裕量，工程师通常会对终端应用中所用 MOSFET 的规格进行过度设计。这种方式不仅会增加成本、消耗更多时间，还需开展额外的测试，但仍难以保证器件在高负载电流（数十安培级别）场景下具有稳定表现。另一种方案是向供应商采购经过筛选匹配的器件，但同样会增加终端应用的整体成本。 : G- e2 k0 ~1 D

    $ v: i" {. b; f  |' wNexperia PSMN1R9-80SSJ 和 PSMN2R3-100SSJ ASFET 凭借优异的特性和增强的动态均流功能，可帮助设计人员规避上述两种方案的局限。在导通/关断过程中，针对单器件电流达 50A 的应用场景，这两款开关能使并联器件间的电流差值减少 50%；同时，VGS(th) 参数差异范围缩小 50%（最大值与最小值仅差0.6V）。这一特性结合 1.9mΩ 或 2.3mΩ 的低 RDS(on)，有助于在功率开关应用中提升能效表现。
    3 J" Y' y, z$ l9 N) z; V
    2 U  U  o- M/ Y$ y  l8 w+ j. JNexperia专用MOSFET为高功率工业应用提供增强的动态均流功能 - 半导体器件（产品通报）－全球企业门户－产通网7 Z3 Q/ l3 P% C% ^, c8 }

    - z' U5 w6 @1 _" P% M. P    ! C% p0 Q( r+ V8 s! }1 N

    下载资料威望不够？点击查看获取威望的N种方法>>
    回复 支持 反对

    举报

    Chenmiking
  • TA的每日心情
    奋斗
    2020-7-17 15:39

    • 签到天数: 13 天

    [LV.3]偶尔看看II
    6#
     楼主| 发表于 2025-11-5 21:13 | 只看该作者
    超級狗 发表于 2025-11-05 13:11:52
    ! t# p9 \: y. B' H0 S" M
    6 S/ V8 q- ~8 L虐死劈你呀（Nexperia）Current Sharing 技術介紹
    2 ]) S+ g" W  T) F2 i- |# R- |在并联两个或多个 MOSFET 以实现高电流能力和降低导通损耗的过程中，设计人员往往难以确保在导通与关断阶段，负载电流可在各独立器件间均匀分配。VGS(th) 值最低的MOSFET 会最先导通，进而承受更高热应力，可能会加速器件失效。为保障足够的安全裕量，工程师通常会对终端应用中所用 MOSFET 的规格进行过度设计。这种方式不仅会增加成本、消耗更多时间，还需开展额外的测试，但仍难以保证器件在高负载电流（数十安培级别）场景下具有稳定表现。另一种方案是向供应商采购经过筛选匹配的器件，但同样会增加终端应用的整体成本。 6 E. P5 m7 E6 i0 T2 t( F

    + k( X4 g* g5 q* ~! cNexperia PSMN1R9-80SSJ 和 PSMN2R3-100SSJ ASFET 凭借优异的特性和增强的动态均流功能，可帮助设计人员规避上述两种方案的局限。在导通/关断过程中，针对单器件电流达 50A 的应用场景，这两款开关能使并联器件间的电流差值减少 50%；同时，VGS(th) 参数差异范围缩小 50%（最大值与最小值仅差0.6V）。这一特性结合 1.9mΩ 或 2.3mΩ 的低 RDS(on)，有助于在功率开关应用中提升能效表现。
    8 \9 ?3 n+ @6 J7 {. _: N1 T3 Y+ [/ r$ O  Z; U* T" Y& \
    Nexperia专用MOSFET为高功率工业应用提供增强的动态均流功能 - 半导体器件（产品通报）－全球企业门户－产通网3 f% g/ Y- m5 n: y" i! {1 I
    ! J& t9 G  P0 x" E4 h) ?/ J: g
    4 V; W  J9 o: A, G) K

    / F9 G0 Y. O7 z% z/ Z大神，你感觉这三种方式，哪一种更容易出问题啊？
    , P) ~* c7 H( l/ r2 D  B

    “来自电巢APP”

    点评

    谢谢分享！: 5.0
    超級狗
    其實這個問題可以視為，MOS 管 SOA (Safe Operation Area) 曲線問題的延伸，請看 Jacky 老師的帖子！ MOSFET、 IGBT为什么会烧掉？ - 硬件设计讨论 - EDA365电子论坛网  详情 回复 发表于 2025-11-6 12:54
    超級狗
    時間差造成先開的那幾個，要短暫承受所有 200A 的電流；關掉時也同理，後關的那幾個要短暫承受所有 200A 的電流。@_@|||  发表于 2025-11-6 11:15
    超級狗
    谢谢分享！: 5
    踢哀（TI）不是都告訴你了？六個 MOS 管一起開關才安全，想自刎歸天就讓每個 MOS 管開關時間都不一樣呀～時間差越多越容易往生。^_^  发表于 2025-11-5 22:32

    评分

    参与人数 1威望 +5 收起 理由
    超級狗 + 5 自刎歸天特別獎勵！

    查看全部评分

    下载资料威望不够？点击查看获取威望的N种方法>>
    回复 支持 反对

    举报

    超級狗

    该用户从未签到
    7#
    发表于 2025-11-6 12:54 | 只看该作者
    Chenmiking 发表于 2025-11-5 21:13
    / H' f8 t% p; g3 |% L# }6 b大神，你感觉这三种方式，哪一种更容易出问题啊？
    7 K/ m" y4 V- Q7 S% P
    其實這個問題可以視為，MOS 管 SOA (Safe Operation Area) 曲線問題的延伸，請看 Jacky 老師的帖子！
    " k% ^- s! }' E+ h' v8 k
    $ r3 r+ O. a+ r3 `' {. y8 a! E  EMOSFET、 IGBT为什么会烧掉？ - 硬件设计讨论 - EDA365电子论坛网) r) Y- Z3 c) m8 r5 t3 J  p

    3 C2 C& G. D+ q. H) L2 b

    下载资料威望不够？点击查看获取威望的N种方法>>
    回复 支持 反对

    举报

    返回列表 发新帖
    高级模式
    B Color Image Link Quote Code Smilies
    您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

    本版积分规则

    关闭

    推荐内容上一条 /1 下一条

    EDA365公众号

    关于我们|手机版|EDA365电子论坛网 ( 粤ICP备18020198号-1 )

    GMT+8, 2025-11-22 01:49 , Processed in 0.171875 second(s), 27 queries , Gzip On.

    深圳市墨知创新科技有限公司

    地址:深圳市南山区科技生态园2栋A座805 电话:19926409050

    快速回复 返回顶部 返回列表