怎么判断MOS管是否处于开关饱和状态？有哪些简单的办法可以量测出来

QWE4562009 · 发表于 2025-4-7 19:03

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超級狗 · 发表于 2025-4-8 07:40

本帖最后由超級狗于 2025-4-8 07:42 编辑

MOSFET 工作在飽和區（Saturation Region）的條件是：

V_DS ≥ V_GS − V_th

其中：

V_DS：漏極對源極的電壓
V_GS：閘極對源極的電壓
V_th：MOSFET 的臨界電壓（Threshold Voltage）
& | P- n( t1 \: f2 B
9 o* V* H2 U+ @& `2 ~3 x

超級狗 · 发表于 2025-4-8 11:01

本帖最后由超級狗于 2025-4-8 11:03 编辑

超級狗发表于 2025-4-8 07:483 U' B' F8 H2 f' Y. H
暗蝦密（On-Semiconductor）的文檔！+ h2 S- ]/ C& E3 ?/ o2 c- f
8 J/ W- x$ K N, ?
原文

暗蝦密（On-Semiconductor）文檔裡面的這張圖，也是很不錯啦！

超級狗 · 发表于 2025-4-8 10:38

本帖最后由超級狗于 2025-4-8 11:41 编辑

huo_xing 发表于 2025-4-8 09:346 v# L- {- f' P ~# g9 ^/ Y
我的意思是实际工作中量gs电压就好了，4.5V已经基本是饱和导通。' z& y2 C- ^$ F
以nmos常规应用low side为例，导通后d ...

MOSFET 的很多特性是藉由 Source Meter 量測的，或稱為 SMU（Source Meter Unit）。

了解這些參數是怎麼量測的，就能解開大家的疑惑。

狗弟收藏的這篇文章，能算是珍品！

myiccdream · 发表于 2025-4-8 10:11

huo_xing 发表于 2025-4-8 09:34
- v) d3 c1 Z; _' j" q* }: _我的意思是实际工作中量gs电压就好了，4.5V已经基本是饱和导通。
' w' I* ]. Q4 d4 M1 M7 X4 x以nmos常规应用low side为例，导通后d ...

你有没有想过有的电路就是不能让NMOS完全导通。就是要让他工作在线性区域。
比如电子负载

超級狗 · 发表于 2025-4-8 07:48

本帖最后由超級狗于 2025-4-8 07:56 编辑

暗蝦密（On-Semiconductor）的文檔！

原文
0 I1 t2 Q* }. N8 i6 ]6 pMOSFET saturation mode is defined as operation with high V_DS, specifically where V_DS > (V_GS − V_th).

huo_xing · 发表于 2025-4-8 08:29

超級狗发表于 2025-4-8 07:40
% Y, @+ w: \; o8 C1 L' H+ a0 oMOSFET 工作在飽和區（Saturation Region）的條件是：
: ?5 Z: H* l4 n+ M! C( b0 J5 b; m! H1 b8 Z7 i$ u$ {* `% N( ?: H3 Z
V ≥ V − V

涨知识了。工作中mos关注的手册手册上的4.5V，10V的内阻。信号mos还看个2.5V
按这个说法，gs给10V，d没有电压不算导通吗？

Dc2024101522a · 发表于 2025-4-8 09:29

huo_xing 发表于 2025-4-8 08:291 l- O' H6 i# d
涨知识了。工作中mos关注的手册手册上的4.5V，10V的内阻。信号mos还看个2.5V' @% }/ S+ y$ q) G2 t6 E& t3 c, [
按这个说法，gs给10V，d没 ...

通肯定是通的，题主不是点名饱和区了嘛，那就涉及mos的输出特性曲线了，Vgs只是让反型层达到最大，此时流通能力达到最大，但是流通电流Ids的大小会受到Vds的影响

huo_xing · 发表于 2025-4-8 09:34

Dc2024101522a 发表于 2025-4-8 09:29
/ S% e! {4 u8 x# p& T, O+ ^' L, q通肯定是通的，题主不是点名饱和区了嘛，那就涉及mos的输出特性曲线了，Vgs只是让反型层达到最大，此时流 ...

我的意思是实际工作中量gs电压就好了，4.5V已经基本是饱和导通。
以nmos常规应用low side为例，导通后d和s都是gnd，没有电压的

超級狗 · 发表于 2025-4-8 13:10

超級狗发表于 2025-4-8 10:38
, R5 c. Y) Q! V' K( @ DMOSFET 的很多特性是藉由 Source Meter 量測的，或稱為 SMU（Source Meter Unit）。
4 m* |2 n( c% }+ j. J" ?; G4 j" k$ |/ V
了解這些參數是怎 ...

好漂亮的畫面！

QWE4562009 · 发表于 2025-4-8 14:28

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QWE4562009 · 发表于 2025-4-8 14:32

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huo_xing · 发表于 2025-4-8 18:59

超級狗发表于 2025-4-8 13:109 f- Q' ~/ Q# r3 u+ ]
好漂亮的畫面！

这些理论东西容易误导人，特别是对于现在教育系统培训出来的做题家们。
实际上看gs电压简单粗暴。你提供的这些图片都是4.5V进入饱和导通

Dc2024101522a · 发表于 2025-4-11 14:31

myiccdream 发表于 2025-4-8 10:11! x& r8 B* [* @$ D6 N
你有没有想过有的电路就是不能让NMOS完全导通。就是要让他工作在线性区域。
T2 a- ]6 O# ]9 m5 q) ?) p+ P比如电子负载

我其实也是这个意思，饱和区和放大区实际上两个不同的应用场景，只是我们在应用mos管大多数情景都是应用mos工作在饱和区的特性

clp783 · 发表于 2025-5-8 18:06

路过，看不懂。

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QWE4562009 QWE4562009 当前离线积分 7256 头像被屏蔽该用户从未签到	电梯直达 1^# 楼主\| 发表于 2025-4-7 19:03 \| 只看该作者 \|只看大图 \|倒序浏览 \|阅读模式提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽
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QWE4562009 QWE4562009 当前离线积分 7256 头像被屏蔽该用户从未签到	11^# 楼主\| 发表于 2025-4-8 14:28 \| 只看该作者提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽
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