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NMOS应用在高端,需要自举电容叠加电压才能打开NMOS

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1#
 楼主| 发表于 2025-1-21 09:38 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
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  • TA的每日心情

    2025-7-22 15:01
  • 签到天数: 8 天

    [LV.3]偶尔看看II

    推荐
    发表于 2025-2-8 09:00 | 只看该作者
    哥们,$ m; Z! Z$ F4 m0 Y
    1、这是外置mos DCDC控制器,具体的输出电压是看高侧mos 漏极上的电压,而不是dcdc控制器的工作电压,实际就是200V
    ' S, W9 H- Y' d2、Nmos和Pmos虽然从原理上是对称的,但是由于实际工艺和材料的问题,导通电阻会不一样,我印象中Pmos的会比Nmos的大,而版主的图片也印证了我的记忆

    该用户从未签到

    推荐
    发表于 2025-1-21 14:27 | 只看该作者
    MOS在高端应用时需要自举电容叠加电压才能打开时,通常指的是在一个电路中,NMOS的栅极(G)电压需要高于其源极(S)电压才能导通。由于电路中的电源通常只能提供固定的电压,而NMOS的源极可能连接到这个电源电压或更高的电位上,因此需要额外的电压来打开NMOS。这个额外的电压通常通过自举电容来提供。

    该用户从未签到

    4#
    发表于 2025-1-21 14:31 | 只看该作者
    N+P v.s. N+N Half Bridge' W8 \4 K; V7 n" J
    & ~; }8 p! z* W4 Z0 U

    ! V3 J' H$ u9 H/ W, j

    Half Bridge Configuration (N&P or N&N).jpg (58.57 KB, 下载次数: 10)

    Half Bridge Configuration (N&P or N&N).jpg

    该用户从未签到

    5#
    发表于 2025-1-21 17:37 | 只看该作者
    本帖最后由 超級狗 于 2025-1-22 07:34 编辑
    - h  [, A; k5 q  o1 U/ c3 H, ^4 r: q- E/ N8 ]
    MOS 管的導通電阻 RDS(ON) 很小,導通時 DrainSource 的電壓幾乎是一樣的。3 b) R* I5 k( {, d
    # J5 D; ~( b4 Y8 m# W5 y: i, k; V
    VHS 是一個浮動的電壓,會隨上、下臂的開關狀態變化。
    4 h- n& ~! Z5 J) d1 u  s) s) J# N) q. I, \% N% b, H& r/ \
    上臂驅動器Driver)的電源是接 VHS 【相當於驅動器的 GND】和 VHS + VB【相當於驅動器VCC】。
    & O1 v9 x# C) ^, m9 `& j* K) E5 I
    • 上臂導通、下臂關閉% r7 E1 i/ @! y4 y6 o8 a
      VHS = VBUS6 u7 Z: ]* M6 D# D% h! O
      VHO = High = VHS + VB = VBUS + VB
    • 上臂關閉、下臂導通
      , c, L- W0 I, ?& Z1 x$ e  |" D
      VHS = GND
      5 g, [& H! y4 L- C3 I: }% |VHO = Low = VHS = GND- q4 V  k4 c0 p7 x/ f6 Z
    : b, W, V* }/ l& C

    + c' L: }. i3 L. f* I& ?5 E; D/ @/ ]. m- h

    $ b5 u6 ^  U7 Y5 |! f8 d( w2 p

    Bootstrap Circuit.jpg (22.23 KB, 下载次数: 5)

    Bootstrap Circuit.jpg

    点评

    年底抽奖,这哥们以后还会不会问类似的问题?  发表于 2025-1-22 13:30
  • TA的每日心情
    慵懒
    2025-5-16 15:06
  • 签到天数: 17 天

    [LV.4]偶尔看看III

    6#
    发表于 2025-2-25 15:17 | 只看该作者
    上桥臂用PMOS,截止状态时候的自举更难设计吧。不加自举,驱动器最大只能输出15V,PMOS的Vs高达200V,Vg最大只能是15V,PMOS会一直处于导通状态
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