这种复合管有两个NMOS 每组有两个D极却只有一个栅极G和一个源极S 哪个知道的科...

QWE4562009 · 发表于 2025-1-9 18:26

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这种复合管有两个NMOS 每组有两个D极却只有一个栅极G和一个源极S 哪个知道的科普一下

QWE4562009 · 发表于 2025-1-10 16:33

再见海贼王发表于 2025-1-10 09:403 W1 V" e ^& q4 j
电源芯片上次过来说V结构的MOS散热一般放在D极，H结构可以在S极；不知道是不是这个原因。

狗哥全网就属你最幽默

再见海贼王 · 发表于 2025-1-10 10:19

再见海贼王发表于 2025-1-10 09:40
4 T* M# x" C& l2 @. ^: X% Z. ^电源芯片上次过来说V结构的MOS散热一般放在D极，H结构可以在S极；不知道是不是这个原因。

我瞎猜的，不知道对不对，上次电源IC的来说放D极散热和EMI要权衡，GaN的H结构散热在S极就方便多的。狗门弄斧了

再见海贼王 · 发表于 2025-1-10 09:40

电源芯片上次过来说V结构的MOS散热一般放在D极，H结构可以在S极；不知道是不是这个原因。

ybing12 · 发表于 2025-1-10 09:40

芯片手册肯定有应用电路，根据应用电路估计有突破口

QWE4562009 · 发表于 2025-1-10 10:59

不抹掉型号就会有广告的嫌疑这个你都不懂？？？

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