这种复合管有两个NMOS 每组有两个D极却只有一个栅极G和一个源极S 哪个知道的科...

QWE4562009 · 发表于 2025-1-9 18:26

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QWE4562009 · 发表于 2025-1-10 16:33

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再见海贼王 · 发表于 2025-1-10 10:19

再见海贼王发表于 2025-1-10 09:40, B. t; ]/ ]' x: O& \! S
电源芯片上次过来说V结构的MOS散热一般放在D极，H结构可以在S极；不知道是不是这个原因。

我瞎猜的，不知道对不对，上次电源IC的来说放D极散热和EMI要权衡，GaN的H结构散热在S极就方便多的。狗门弄斧了

再见海贼王 · 发表于 2025-1-10 09:40

电源芯片上次过来说V结构的MOS散热一般放在D极，H结构可以在S极；不知道是不是这个原因。

ybing12 · 发表于 2025-1-10 09:40

芯片手册肯定有应用电路，根据应用电路估计有突破口

QWE4562009 · 发表于 2025-1-10 10:59

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QWE4562009 QWE4562009 当前离线积分 7256 头像被屏蔽该用户从未签到	电梯直达 1^# 楼主\| 发表于 2025-1-9 18:26 \| 只看该作者 \|只看大图 \|倒序浏览 \|阅读模式提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽
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