本帖最后由 criterion 于 2024-11-27 00:09 编辑 # o# z- R/ w2 Y, [* h9 F, P8 N
2 M! M) X; _- }# @1 I+ T
先查看 MCU的电源跟晶体 是否有透过落地电容共地 有的话 拔电容试试
3 y% V1 ~/ `8 Y- P# q/ b C* L
" X9 Y4 t. x* C* B8 F& }6 k
一般而言 32.768k是很低频的讯号了 其谐波会去干扰到射频讯号的机会很低 所以 分布在主频信号的两边的杂散 不是晶体谐波 而是交互调变
; Y# @1 r/ `2 J' O3 u2 R( Y
4 Z* z" k5 K+ n) @% V3 ?2 @' L
- D6 w3 E0 g7 }# N, T# Q
7 q0 v! r& a2 [. W; R3 }2 l6 N j9 N9 z: N2 \1 q. z- K
如果32.768kHz 透过共地 窜到落地电容 再流入MCU
. S: K1 ^8 W0 [4 h: s! C5 d跟RF主频 产生2阶交互调变8 F; a; h, |. B, V* t4 b; u
(RF +- 32.768kHz)
7 Z' Z' ~! v* f, F就会出现你所说的* g0 e3 B8 {, x/ [( E3 G, Q
“杂散分布在主频信号的两边”
- c+ b) a8 N; d, Q) c- Q- d; }7 `+ D9 j' L }7 H! k
" S* l6 ?$ ~2 }( B
要验证的手法也很简单 你把RF信号的功率调小( |7 \0 v- N; \& k9 |" ` C8 f$ g
看杂散是否也跟着变小
4 w4 g T# p4 u1 j( c; K* h如果是 那就八九不离十了
8 b4 B$ a8 E5 V" W因为交互调变的功率 会跟RF信号功率 有连带关系& T6 J, S6 ]8 V! Q1 f; L4 d
/ K' k( i- g }% I
6 W1 s h( _% }$ T, l4 L1 C
5 y/ x" a J6 E# A, l' V9 I5 u' ^2 I/ R此时可能有人会提出两个疑问
! W) [# @3 E- `9 F2 o. J* e( M! W# j! x& H
第一个疑问 电容不是隔直吗?( Q8 J4 y* c! V% v9 f) o( _9 b0 B
32.768kHz这么低频讯号 怎么可能流得过电容?
6 s3 a7 l) U5 V4 M9 h
; _7 r1 _# j! c0 l# y答案是: 当然流得过 只要电容值够大
1 i1 V7 C9 o2 H& k) n来做个仿真 5 [3 Y, P4 p$ _4 f( B
- k" Q1 H" ?0 r: v! x
2 _9 p6 b9 c& L* n# r" g3 H4 p1 Y, d+ q$ w; A
& Q, v8 a+ m. X5 W
0 h" v! a7 g* _8 F3 x o+ N- F; e: F9 e: s
! a. M. K" u' w+ V- O# l+ H该1uF电容 对于直流讯号 当然有隔直作用
7 A' ?* R) o* |/ S% h但是 32.768kHz的讯号 终究不是直流讯号8 z6 K% E1 N9 d+ l; ]2 [7 u
只要电容值够大 其谐振频率够低 意味着低频范围的阻抗很低$ h0 X& ]: [, F
对于极低频讯号 几乎无抑制能力 那当然就流得过6 N7 ^6 w9 Z' J1 ~: ?$ t/ Q
: u: t0 D* @- _0 i0 e" b
6 D- ^* O% `& U4 |$ b/ u- v
第二个疑问 任何讯号 包含噪声
0 b/ y; a+ O; W! t$ W肯定是高阻抗流向低阻抗* T) ?3 B( g. E( f- W: `7 j
怎么可能会从GND逆游而上 流到电源走线?; A! p; V) _, o, \, J+ y o, |
# @, S: t) ]- e; f/ x$ V$ D- J+ {! a2 u, _* t2 z
答案是 如果GND的阻抗 比电源走线还高 那就有可能了
) Y s* E' G/ }& G( ~" i- O0 b. i0 t/ I4 B$ C' u, M+ p2 O
) c# I$ _$ N. |7 J% x+ d& i
: a- Y8 ^" S" {! _( l; C, \! [. U T
( V5 O3 m; w% v- f3 W首先分析电源走线的阻抗 在走线放落地电容* y; Q- A+ u- g
等同加大了该走线的电容性 依照阻抗公式/ T9 L6 f7 O) B" u6 h6 R3 m
- Y/ Q; X# K7 S9 j* o/ O4 u8 P) B; @7 o/ k; w
- c, y" F/ S9 A6 U8 B" \( v8 ?
" P/ P) W0 d# |) @$ n% E( w. s( b2 S
电容性增大 其阻抗就降低
' x: ?# O# T7 u1 x如果是uF等级的大电容 阻抗就降更多
# S6 W, Z n* J, h
& x. \8 m. c3 I7 ^1 s1 w/ m& r2 j0 W" J
再者 电源走线 通常会有多颗落地电容并联, e4 N# {6 O# v$ w$ p0 S' X7 m
而电容是越并越大
7 a' \! ?% B4 X D0 l0 ?1 w% y; e; D4 c: [( d
0 p: l$ Y' Z$ P; P0 K" D
/ [9 A' d3 Y4 P) W5 S, H3 q7 X
2 Z! H# j. ?8 W! j+ s0 ]1 I& @. P, |
/ a' g$ t# C" c1 ?如此又更进一步 大大降低了电源走线的阻抗3 f8 ?( t+ i' ^
' [8 r2 o' N) C再来分析GND的阻抗 很多时候 碍于Layout空间限制
( c/ x: y8 e3 n很可能GND是极为零碎的 且面积也不大1 h7 I! z& H) D
同时又因为面积不大 所以无法打太多地孔" A# E7 T" i2 E" l. U
这些情况加种下 就会导致GND的阻抗 其实不如想象的低
' H- v, }$ q9 d: f, R+ i# r+ |甚至有可能比电源走线还高4 W/ ~. ~! r0 t7 `+ \
如此一来 噪声从GND逆游而上 就有可能发生' d. b4 F E! q1 W
3 U; t! d( [ o8 I3 i0 Z i
因此 一开头才说 拔电容试试2 C$ z5 P* M. C9 U8 e. q
/ n6 b. `5 {: H0 Q* j0 M0 ^4 H2 _* y4 R) f0 D/ i# E
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