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本帖最后由 Heaven_1 于 2022-7-1 18:37 编辑
( n$ J# U( h# g) G0 X1 l1 [/ b+ m# J: r
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c" \8 R/ E: Q# Q; ^' }, `MOS管电平转换电路
v" M4 b7 a9 a4 l; D电平转换在电路设计中非常常见，因为做电路设计很多时候就像在搭积木，这个电路模块，加上那个电路模块，拼拼凑凑连起来就是一个电子产品了。而各电路模块间经常会出现电压域不一致的情况，所以模块间的通讯就要使用电平转换电路了。
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上图是用MOS管实现的I2C总线电平转换电路，实现3.3V电压域与5V电压域间的双向通讯。挂在总线上的有3.3V的器件，也有5V的器件，通过这个电路，大家就可以愉快地玩耍聊天了。
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实物对照图如下。实物的上拉电阻用了4.7K欧姆，可以提供更大的电流驱动能力。在满足电路性能的前提下，我喜欢用阻值更大的电阻，因为功耗更低更省电。# Y" p1 L$ S- ?; E" c
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原理分析( i- l0 q- H9 g/ D3 P
简化来看，留下I2C的一根线来分析就可以了，如下图。. H0 _0 s B$ A2 j
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分四种情况：* J+ y/ r) z! m5 X
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1、当SDA1输出高电平时：MOS管Q1的Vgs = 0，MOS管关闭，SDA2被电阻R3上拉到5V。: ~' W0 v- v* }. e
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2、当SDA1输出低电平时：MOS管Q1的Vgs = 3.3V，大于导通电压，MOS管导通，SDA2通过MOS管被拉到低电平。 S9 y( J; C# n
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3、当SDA2输出高电平时：MOS管Q1的Vgs不变，MOS维持关闭状态，SDA1被电阻R2上拉到3.3V。4 f% e c% h9 k. l: ]
* t' C+ I! i; u' a$ g( G _' t4、当SDA2输出低电平时：MOS管不导通，但是它有体二极管！MOS管里的体二极管把SDA1拉低到低电平，此时Vgs约等于3.3V，MOS管导通，进一步拉低了SDA1的电压。
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3 _( T* r. b* n8 ^ ~注：低电平指等于或接近0V。高电平指等于或接近电源电压。所以3.3V电压域的器件，其高电平为等于或接近3.3V；5V电压域的器件，其高电平为等于或接近5V。& f9 H6 ~ |2 T! L
8 U6 F% n" G7 _0 r具体要求看芯片的数据手册是怎么说明这个限定范围的，常见的比如说0.3倍的“芯片供电电压”以下为低电平，0.7倍的“芯片供电电压”以上为高电平。也就是说“芯片供电电压”为5V的时候，5 x 0.3 = 1.5V 以下为低电平，5 x 0.7 = 3.5V 以上为高电平。
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+ }9 X' ^8 I3 E4 K3 F( M9 X* j I某一个芯片数据手册里关于高低电平的阈值范围说明
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注意事项
) \; l- ^+ w# Q* ?+ c; M6 S以上是3.3V与5V之间的情况，如果换用其他电压域之间的转换，如3.3V、2.5V、1.8V等电压值的两两之间，需要注意MOS管的Vgs开启导通电压。. k5 z2 d% [& N$ U, P. [3 _- T
, y1 y% W% l9 V! ] i给MOS管过高的Vgs会导致MOS管烧坏！给过低的Vgs会导致MOS管打不开！不同型号的MOS管这个参数值还不一样！！！8 P% K3 g; b8 V& n' V5 `
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举例：其中一个厂家生产的2N7002的数据手册，Vgs不能超过正负20V; o! k }0 i: R. j% N
再来看一下，设计电路时Vgs可能设计过小的情况，下图是2N7002的数据手册：
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举例：其中一个厂家生产的2N7002的数据手册，Vgs的开启电压为1V- m. r' s- {' x p
实际使用时为保证完全开启、完全导通，设计上要多预留余量，比如实际电路中Vgs起码给到1.8V。因为1.8V的设计参数接近数据手册标注的1V临界值，尤其注意用实验验证，确保万无一失。' D9 ^4 k. U& N" j/ \5 m
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总结
7 r) K" D. ^3 q) Z4 C7 }& X6 S3.3V跟5V互转的电路已经是一个经典电路，实在是硬件设计师居家旅行、护院看家，必备良药！MOS管型号就记住用2N7002，这个型号便宜，性能久经考验，不像有些MOS管外型看起来跟2N7002一样，但实际是大功率的，有部分性能规格浪费了，有部分性能规格又不一定能满足需要，主要是还贼贵，具体其他MOS是怎样的这里就不细究啦。
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发表于 2022-7-1 15:01
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