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求助:关于mos管发热问题

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1#
发表于 2012-6-19 17:46 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
各位:
* b. J1 H' f/ P; ~+ ^  A; J
+ ~; t# Y; a) Z; B: r0 \最近按照要求画了块板子,但调试时发现mos管烫的厉害,根本无法常时间工作。而且波形幅度值只有8V左右,请问如何解决发热问题,并提高波形幅度。5 l8 f9 z' \! c* t" Y$ E
原理图如下
+ q) `' W; k# u2 U/ ^$ K: i4 X$ O

123.png (153.04 KB, 下载次数: 5)

123.png

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2#
发表于 2012-6-19 17:57 来自手机 | 只看该作者
是贴片的吧!加大散热铜皮,如果是立体,在允许的情况下,加散热片吧!

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3#
发表于 2012-6-20 11:10 | 只看该作者
加大散热铜皮同时多打地孔

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4#
发表于 2012-6-20 12:31 | 只看该作者
本帖最后由 romantic878595 于 2012-6-20 12:34 编辑 * v  w1 W3 R2 y

1 J. B- J# K, o( P% t1,把驱动频率降下来,现在工作是11多M,MOS管开关频率越高,损耗越大,最好能降到500K以下。实在不行,也应降到1M以下。$ P& X: K+ V1 d* U. H  ~
2 ,选用低开启电压的MOS管,也就是所谓的逻辑电平MOS管。如果你用普通的MOS,要求10V的驱动,你的驱动IC只有5V,驱动不足,造成导通电阻大。/ z# r" u! [8 i4 D- a
3 尽量选用低导通电阻,低Nc值的MOS管
6 r4 C( ?! L+ u: @$ z8 Y4 加强MOS的散热。
1 H# m8 {3 h6 O7 g5 在电感线圏处并上防止反向电动势的二极管。
3 T% U- `* d- c! u# S: L6 加强IC的电流驱动能力,HC00还有一个门没有使用,应把他们的输入并联,输出通过一个驱动电阻(约10R)后,然后并联.1 H7 m* z! b- _* O- g7 g- R

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5#
发表于 2012-6-20 15:13 | 只看该作者
4楼说的全面!!

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6#
 楼主| 发表于 2012-6-20 15:40 | 只看该作者
romantic878595 发表于 2012-6-20 12:31
; W/ d: w8 M5 G1,把驱动频率降下来,现在工作是11多M,MOS管开关频率越高,损耗越大,最好能降到500K以下。实在不行,也应 ...
$ L- s! u  n! r* X* q% T2 l
十分感谢你如此详细的解说

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7#
发表于 2012-6-20 21:43 | 只看该作者
gsywm 发表于 2012-6-20 15:40 + z- P8 ]  L- t( z2 r
十分感谢你如此详细的解说
5 B5 b" L2 c% g: h/ D! T
不客气。论坛精神,我为人人,人人为我,相互学习,共同提高。感谢EDA365.

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8#
发表于 2012-6-21 10:49 | 只看该作者
gsywm 发表于 2012-6-20 15:40 1 e9 [  w6 B, @& a' x! x4 p8 W
十分感谢你如此详细的解说

% ^4 P* k+ u$ [问题解决没?

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9#
发表于 2012-6-23 00:22 | 只看该作者
xhymsg 发表于 2012-6-21 10:49
- I3 W7 n- ~+ H( W. h2 t! v  t# p问题解决没?

# x$ E* }8 ^+ F7 V6 }# G2 \1 ?' N就是啊,问题决解了

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10#
发表于 2012-6-25 10:38 | 只看该作者
MOS极性接对了吗? 应该是个NMOS,图上画的却是个PMOS

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11#
发表于 2012-6-26 23:16 | 只看该作者
romantic878595 发表于 2012-6-20 12:31
; b: @$ N. S# d6 A, O  J1,把驱动频率降下来,现在工作是11多M,MOS管开关频率越高,损耗越大,最好能降到500K以下。实在不行,也应 ...
8 A1 W% L& r0 {% E* S
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