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本帖最后由 Vincent.M 于 2009-3-27 14:40 编辑
# ~. D$ H* b! q- m6 M3 J在通过电源和地路径的电流发生变化时，在电源路径和地路径的阻抗上将产生一个压降。这个压降就意味供给芯片的电压减小，可以看着是电源与地之间的电压减小或塌陷。
6 f9 \% N0 Y( M% @2 ?8 y但是怎么样能够减小这个噪声，难道就只有使电源路 ...7 D8 h6 M( c; S" G; P8 s% s
even_zhou 发表于 2009-3-26 10:00 ![]()
# s. r# A3 Q& q% U; R4 \这个问题不好回答，最好有实际经验，根据情况来逐个分析并提出解决方案，我的经验也很少，以下是我个人的总结！! S7 U3 w5 b* X$ k8 l1 D
增加旁路及去耦电容：& c; _# L S" A3 H* T0 t
1、不同等级的电容稳压：Bulk电容为存在大量慢充放电电压的区域稳压，小电容提供少量快充放电区域的稳压2 z* g$ b* d/ j6 R/ F5 _0 f
2、不同电容值的去耦电容：低频去耦、低ESL的高频去耦电容。去耦电容要紧靠IC与电源层及地层的连接部位。
2 W: M e) m% k; W/ B0 V C' H1 s( D8 o3 _ f( N
过孔：
, ^% P5 s( a& V3 H+ u1、尽可能的少用过孔( a& d, d: p# D8 v/ R9 P2 H
2、如果必须用过孔，在过孔反焊盘不产生内电层开缝的情况下，过孔之间要紧挨着，以增加过孔间互感，从而减小电流回路总感抗
1 _+ }: l3 f6 }1 m, T$ O
; U) m* R4 u4 \ z电源和地层的分布：" h$ X3 o5 w& ^$ o6 K/ A
1、以增加层间固有电容的原则设计层叠方案，即产生低频去耦作用; J4 F* K! D" G: a# H
2、减小层间谐振阻抗：减小层间距、增大ER、增大介质损耗
& G' B R. Y7 b5 e. G6 ^! o8 X1 Y( g3 K, _% C
IC:, o% g4 `& c8 e* _
1、选用低自感的ic封装3 _3 s6 }% A. I z1 n* [! e
2、少用IC插座, V/ X% Z) a( e+ }9 S/ O! {
3、选用多电源管脚的IC |
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发表于 2009-3-26 10:00
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发表于 2009-3-26 19:56
