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电源和地分配网络的轨道塌陷噪声

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1#
发表于 2009-3-26 10:00 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
在通过电源和地路径的电流发生变化时,在电源路径和地路径的阻抗上将产生一个压降。这个压降就意味供给芯片的电压减小,可以看着是电源与地之间的电压减小或塌陷。& r" w# I9 d0 p( v3 ?6 q, i
但是怎么样能够减小这个噪声,难道就只有使电源路径和低路径的阻抗尽量小吗?如果是的话怎么才能是这个阻抗尽量小?

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2#
 楼主| 发表于 2009-3-26 11:02 | 只看该作者
怎么没人回答呢???

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3#
发表于 2009-3-26 17:34 | 只看该作者
将电源平面和地平面靠近。这样可以使的电源与地之间的阻抗非常小。

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4#
 楼主| 发表于 2009-3-26 18:11 | 只看该作者
通常在layout的时候,电源平面和地平面就是挨着的啊!那靠近是什么意思?

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5#
发表于 2009-3-26 19:56 | 只看该作者
在通过电源和地路径的电流发生变化时,在电源路径和地路径的阻抗上将产生一个压降。这个压降就意味供给芯片的电压减小,可以看着是电源与地之间的电压减小或塌陷。
7 D5 n, v* F( S% Z/ A, b但是怎么样能够减小这个噪声,难道就只有使电源路 ...+ {2 {" K6 e  L  r% b  C% a! @+ C( F
even_zhou 发表于 2009-3-26 10:00

* F1 W* m9 [" ]% N9 M& A) R; q; ~
append decoupling capacitor

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6#
 楼主| 发表于 2009-3-26 20:42 | 只看该作者
[quote]1 |7 x. n4 D4 r1 j% V

) N: v) F7 a# R( q" K4 ]) sappend decoupling capacitor5 L8 k* T, \( T5 M
forevercgh 发表于 2009-3-26 19:56 [/quote什么意思?2 ]+ J0 w, G$ u
解释解释吧!]

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7#
发表于 2009-3-27 14:36 | 只看该作者
本帖最后由 Vincent.M 于 2009-3-27 14:40 编辑 $ G' h( ?* V( s0 I% v7 g' W
在通过电源和地路径的电流发生变化时,在电源路径和地路径的阻抗上将产生一个压降。这个压降就意味供给芯片的电压减小,可以看着是电源与地之间的电压减小或塌陷。
* S2 C. D, F5 Z但是怎么样能够减小这个噪声,难道就只有使电源路 ...% U$ g- d4 e: r& C% E, B0 c
even_zhou 发表于 2009-3-26 10:00
( g$ {: O) H) v8 [: D
这个问题不好回答,最好有实际经验,根据情况来逐个分析并提出解决方案,我的经验也很少,以下是我个人的总结!
  Z& I- s  X1 M8 [7 O增加旁路及去耦电容:
+ N% S+ F0 `7 Z1、不同等级的电容稳压:Bulk电容为存在大量慢充放电电压的区域稳压,小电容提供少量快充放电区域的稳压2 M( v5 ^5 ?; j9 ^
2、不同电容值的去耦电容:低频去耦、低ESL的高频去耦电容。去耦电容要紧靠IC与电源层及地层的连接部位。# @0 c- j* C# L4 T) d. H+ Y: i4 G
2 k' o, C: p) ~
过孔:
# E7 t7 S' D$ e$ l# k1、尽可能的少用过孔) R2 [) _$ @4 ^7 a
2、如果必须用过孔,在过孔反焊盘不产生内电层开缝的情况下,过孔之间要紧挨着,以增加过孔间互感,从而减小电流回路总感抗& V* D0 I& I, j, T1 X. T: E8 v
( E3 Z0 M- Z2 b0 u$ I
电源和地层的分布:7 b) F7 n7 K7 `0 W
1、以增加层间固有电容的原则设计层叠方案,即产生低频去耦作用# u0 k: v+ T) E$ y
2、减小层间谐振阻抗:减小层间距、增大ER、增大介质损耗
5 ~9 e1 N  s; L0 o# D: L" m/ H7 x( {. x# r
IC:
* V8 D  d3 i, g9 w% |1、选用低自感的ic封装
* L7 [9 k7 c# u9 X% R2 k2、少用IC插座
! u- \! R6 |2 z6 |2 z* |* l3、选用多电源管脚的IC

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8#
发表于 2009-3-27 18:46 | 只看该作者
append decoupling capacitor5 H6 ]9 k& z- t
forevercgh 发表于 2009-3-26 19:56 [/quote什么意思?9 L. N: |9 A. U) q1 x* \: f
解释解释吧!]% U/ L" b) M; _5 F
even_zhou 发表于 2009-3-26 20:42
. i) x% e6 D; {9 t; U
% ^$ F4 `+ Y  R' M3 D) a
5 q) C* C3 G) V" y
研究下电容的阻抗特性比较有帮助
0 K; B+ i" i: ?  s一般的EMC教程都有讲到,如" W7 n& N5 z+ ]' E: X8 Y
清华大学出版社 《电磁兼容原理及应用教程》第二版

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9#
发表于 2009-3-27 21:49 | 只看该作者
7# Vincent.M 4 j( L0 g# I4 M

: t* s4 A& O  r/ e" K+ [! k总结的很好。。。
* o! P/ q3 G* U9 C) e补充一点,少使用过孔不是绝对的。灵活的利用过孔的特性有时候可以减小电感。

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10#
 楼主| 发表于 2009-3-30 11:08 | 只看该作者
17413
/ K7 F# u/ Y( C( y# V
( m5 b) i' ^  S: h, G7 W研究下电容的阻抗特性比较有帮助
3 t- N! U$ x8 r& O1 J一般的EMC教程都有讲到,如* T' `  U/ ~& b' x: o
清华大学出版社 《电磁兼容原理及应用教程》第二版% Z# W  C$ R7 ~) A4 y& U
forevercgh 发表于 2009-3-27 18:46

8 a: }" m  V- Y" @+ G  ^你有这本书的PDF吗?有的话能传上来吗?5 g' k+ l8 ]7 \+ K* N
谢谢

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11#
发表于 2009-3-30 19:37 | 只看该作者
自己搜索一下吧,可以在线阅读,但是下载不了的。

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12#
发表于 2012-1-11 11:19 | 只看该作者
学习了。。 我感觉还要把路径尽量做大来减小这个压降,还有过孔可以多打,。这样寄生电感会小的。

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13#
发表于 2012-5-28 18:36 | 只看该作者
vikingrex 发表于 2009-3-27 21:49 / h* }( J2 X; J& G6 Y. t: |
7# Vincent.M  : h: s! }: ]- e0 }& Z
( w0 ^/ l  \9 O* V/ H
总结的很好。。。
. Z; K9 j* }$ a, g9 ^. H1 J
如何灵活的利用过孔的特性来减小电感呢?

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14#
发表于 2012-5-29 15:42 | 只看该作者
学习下!!!

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15#
发表于 2012-6-1 17:21 | 只看该作者
学习了
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