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DDR3相关处理

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1#
发表于 2019-4-15 09:07 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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求DDR3的电源处理及信号处理

该用户从未签到

推荐
发表于 2019-4-15 17:49 | 只看该作者
1.地址控制与时钟等长;8 k2 _2 f* f( |# t/ b. M& Z
2,数据与DQS登场;
1 Q4 ]# @" _4 P# v/ j/ a3 n5 e因为等长的严格程度并不会造成太大的额外工作量,建议按严格来控制。比如10Mil等长
! n* k" q/ X4 Y  U% B3.地址,数据,时钟,DQS在允许的情况下都按照3W设计,减少串扰,且不要跨分割,参考GND或DDR3自身电源平面
, ~; b- {1 W% Z; [; Q4.SSN优化:重点关注BGA控制芯片DDR3接口的pinmap,有些芯片pinmap排布回流地很少,很容易导致SSN问题,此时在设计时需要在DDR3信号过孔旁尽可能的补齐GND孔
( a0 }( {# t" w" y! h5 E2 ~5.拓扑结构:DDR3一般走fly-by就可以了,一驱多的话就正反对贴+fly-by。* W3 A; c8 K# z' s
6.对于一驱多场景,控制芯片到第一片DDR3的走线阻抗控制40ohm,后面的走线阻抗统一60ohm(经验。不放心的话可以仿真确认)
% Y0 \9 x$ H9 w做到以上6点,不仿真直接设计,也不会有啥问题。$ `$ J6 K- a4 Q% r/ ]- F

点评

你好,第一跟第二点又关联吗,一般地址控制与时钟线都会比数据DQS长一点,这个有控制在一个范围吗,比如说多少百mil之内,还是有点关系没有,还是说随便,严格按照第一,第二点走就行了?望指点指点,我以前都是全部  详情 回复 发表于 2019-5-24 15:58

该用户从未签到

3#
发表于 2019-4-15 09:32 | 只看该作者
走线不要跨分割,DDR3下面确保平面完整,数据线分组,同组等长而且最好做在同一层,数据线等长误差越小越好,地址线走T或者FLY-BY,看情况用哪一种了,后者居多,地址线参考CLK做等长,地址线误差可以大一点,走线最好是3W,空间紧凑的情况下最少也要保证2W,走线控制好阻抗(单端、差分),差分走线注意等距等长,电源做好滤波,REF。
  • TA的每日心情

    2024-9-24 15:48
  • 签到天数: 8 天

    [LV.3]偶尔看看II

    4#
    发表于 2019-4-15 15:10 | 只看该作者
    重点如下:
    # H& j; I! e% V+ f  `  ~1、阻抗匹配,不能有跨分割,数据线优先参考地,地址线参考地或电源层;是否需要阻抗补偿(有些平台需要将主通道阻抗降低)9 h# O' G3 p/ }: w  n
    2、等长匹配,同组同层同等长,DQS跟CLK间的等长: O# Y3 b4 B0 `: x2 Y5 g
    3、间距,组间间距、组与组的间距以及单线跟DQS/CLK的间距
    $ H/ G4 A7 h) s4、电源,最好的用平面层割出、VTT铺铜,VREF加粗* T; |' y9 ?4 g& }
    重中之中是拓扑结构,看芯片是否支持读写平衡再决定走T或FLY-BY  这个错了  以上4点做得再好也是白搭

    点评

    你好,你这里提到的第二点 2、等长匹配,同组同层同等长,DQS跟CLK间的等长是这样理解吗?望指点指点 信号线同组之间等长就可以了不用参考CLK和地址线,DQS跟clk等长,不要参考其他的,你这里地址线没提到,地址  详情 回复 发表于 2019-5-24 15:44

    该用户从未签到

    6#
    发表于 2019-5-24 15:44 | 只看该作者
    wsbg3690 发表于 2019-4-15 15:10% \( m0 `3 [. \7 }
    重点如下:# `5 D& J( E; w6 B, r6 y0 Q
    1、阻抗匹配,不能有跨分割,数据线优先参考地,地址线参考地或电源层;是否需要阻抗补偿(有 ...
    . ?6 y! A, h7 j+ M$ c; h9 b# ]# F$ \
    你好,你这里提到的第二点   2、等长匹配,同组同层同等长,DQS跟CLK间的等长是这样理解吗?望指点指点
    ) t% ?0 J1 C8 B信号线同组之间等长就可以了不用参考CLK和地址线,DQS跟clk等长,不要参考其他的,你这里地址线没提到,地址线是参考CLK吗?: e. ]+ X- K4 c0 A1 c& R2 j9 B

    点评

    DQS跟CLK控等长 DQ跟DQS控等长  详情 回复 发表于 2019-11-4 12:21

    该用户从未签到

    7#
    发表于 2019-5-24 15:58 | 只看该作者
    EdisonZheng 发表于 2019-4-15 17:49# {. B1 p% Y& J+ D
    1.地址控制与时钟等长;
      v' ~; c% ^6 L+ J3 T) [/ |  [2,数据与DQS登场;+ P9 Y/ v4 E9 X$ g) t  O
    因为等长的严格程度并不会造成太大的额外工作量,建议按严格 ...

    + m0 y& l' r. w你好,第一跟第二点又关联吗,一般地址控制与时钟线都会比数据DQS长一点,这个有控制在一个范围吗,比如说多少百mil之内,还是有点关系没有,还是说随便,严格按照第一,第二点走就行了?望指点指点,我以前都是全部等长的,太辛苦了$ s  ?2 K/ \' H6 q7 v& ~2 J

    点评

    每个主控平台要求的标准不一样 可以参考芯片设计要求指导书 但是比较通常的是按500以内  详情 回复 发表于 2019-11-18 14:46
    DDR3内部有write leveling功能,CLK和DQS板级不需要控制等长。 所以第一点和第二点没有关联  详情 回复 发表于 2019-5-25 22:35

    该用户从未签到

    8#
    发表于 2019-5-25 22:35 | 只看该作者
    Zebin_Mo 发表于 2019-5-24 15:58
    ' ^1 ]( `# T" K你好,第一跟第二点又关联吗,一般地址控制与时钟线都会比数据DQS长一点,这个有控制在一个范围吗,比如 ...

    0 l, J  a# `' @# J9 G0 ODDR3内部有write leveling功能,CLK和DQS板级不需要控制等长。
    & h3 j, |: O- \/ G所以第一点和第二点没有关联
    1 H) i! F' U9 o  [
  • TA的每日心情

    2024-9-24 15:48
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    [LV.3]偶尔看看II

    10#
    发表于 2019-11-4 12:21 | 只看该作者
    Zebin_Mo 发表于 2019-5-24 15:44
    / c8 B3 S- a/ k. `  _你好,你这里提到的第二点   2、等长匹配,同组同层同等长,DQS跟CLK间的等长是这样理解吗?望指点指点
    + L) T' l( l' u! U0 P* {) x& S5 t- u( a ...

    % J+ R4 Q/ l7 x& a( c! X5 U) V5 FDQS跟CLK控等长   DQ跟DQS控等长

    点评

    基本上 所有线都是参考CLK 的 DQ是间接参考CLK  详情 回复 发表于 2019-11-4 12:22
  • TA的每日心情

    2024-9-24 15:48
  • 签到天数: 8 天

    [LV.3]偶尔看看II

    11#
    发表于 2019-11-4 12:22 | 只看该作者
    wsbg3690 发表于 2019-11-4 12:21
    , w! d" V7 x# t* |7 eDQS跟CLK控等长   DQ跟DQS控等长
    ( B' d/ Y# v( S8 i6 N3 \. N% T  A6 V4 U
    基本上    所有线都是参考CLK 的   DQ是间接参考CLK
  • TA的每日心情

    2024-9-24 15:48
  • 签到天数: 8 天

    [LV.3]偶尔看看II

    12#
    发表于 2019-11-18 14:46 | 只看该作者
    Zebin_Mo 发表于 2019-5-24 15:580 |  m2 y/ b) r- H: T, y! `5 {( S# z$ O" C
    你好,第一跟第二点又关联吗,一般地址控制与时钟线都会比数据DQS长一点,这个有控制在一个范围吗,比如 ...

    + C0 }# P, [% ]1 g) C& K" B* T9 C8 d每个主控平台要求的标准不一样  可以参考芯片设计要求指导书   但是比较通常的是按500以内
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