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H6801 芯片关键参数汇总 类别 参数细节
. B% G. O# G2 `: \: a 输入电压范围 2.7V ~ 25V（工作范围）；启动电压低至2.5V
J! h6 ~( n8 } 输出电压范围 可调输出，最高36V（需外部反馈电阻设置） ( R+ M/ ^3 f7 O% y T
工作模式 自动切换PWM/PFM/Burst模式，轻载效率优化 4 a# X6 l, u! z0 X4 ~* [9 u9 H
开关频率 固定390kHz，支持抖频技术（降低EMI） 8 M9 ~1 F$ b+ {# z/ ^
转换效率 >95%（典型值，取决于外围设计） ' _8 b+ e7 D0 B0 Y
待机功耗 EN拉低时，关机电流<2μA 0 }; _. m6 B( Y/ E
保护功能 输入过压保护（OVP: 25.2V）、过流保护（OCP）、过温保护（OTP） / H7 [4 T6 }. }3 e7 N
封装形式 ESSOP-10，底部散热片连接GND，优化散热 " P' S' m0 i0 n3 P+ _* M" n
LDO供电 内置40V LDO，增强系统稳定性 引脚功能定义（ESSOP-10封装） 引脚号 名称 功能描述 8 p* v0 B, J1 x4 ^1 Y% j
1 VIN 电源输入，需就近接滤波电容
+ K, [- {/ E7 P 2 EN 使能端：高电平（≥2V）工作；低电平（≤0.4V）关机
( ] h0 m. P! M2 \ 3 SS 软启动控制，外接电容设置启动时间（避免浪涌电流）
* B. V W3 {9 W5 ? 4 FB 反馈端，接电阻分压网络调节输出电压（公式：Vout = 0.8V × (1 + R1/R2)）
7 B7 G t9 x1 [ 5 COMP 补偿网络，连接RC电路稳定环路
- \7 q7 D5 u6 s! i( j 6 GND 功率地，需低阻抗连接至散热铜箔 ; u! `3 O7 l: B9 C; O5 w5 x
7-8 SW 开关节点，连接电感与肖特基二极管
) n! A0 T2 b& u 9-10 NC 空脚 保护功能详细规格 4 c) l- ]* M# \+ n5 `
- 输入过压保护（OVP）) E/ F r7 K) j
, q. G6 _+ H; k; S0 j
- 触发阈值：25.2V ±5%# G7 A; j7 |6 E# S- {6 P7 ?
- 动作：停止升压，SW端关断，直至输入电压恢复至正常范围。9 L" R" B5 x3 O
- 过流保护（OCP）
' \$ Y" M0 g, j3 q, d: J. @
- r9 q# U' E3 S* H+ w% p - 峰值电流限制：通过外部电感及MOSFET参数设定（需计算电感饱和电流）。$ `+ c$ Z5 e q! I2 Z% v2 o& M
- 过温保护（OTP）/ J$ Z* L. ]- g: v
. X! Y) j W* v- E+ C4 [/ f) O - 关断温度：150°C（典型值）
! h$ W. V6 [ b& C# T - 恢复温度：125°C（滞后设计，防止振荡）。
) D5 \3 j& I, N4 T4 v
设计注意事项 5 R+ d+ ~$ G* U
- 电感选型& J$ J" Y! F4 }+ X7 B' s8 x2 ^% _
$ L/ ^9 Y1 k/ k* I2 C) f
- 建议使用4.7~22μH饱和电流充足的电感，如铁硅铝磁芯材质，降低高频损耗。. a `( e3 R/ b& i% s$ \# l9 _2 E
- 二极管选择9 o0 C) y: z( f
' F& V9 ]- W- ~7 G$ v - 必须采用40V以上肖特基二极管（如SS34），以减小反向恢复损耗。9 K6 n+ i& a/ B6 S- m8 |/ b6 G% P
- EMI优化4 x. O' e" h7 S* p, b, P5 l
) ]4 [- [/ F1 I2 c! f! G* J5 M - 利用抖频特性，布局时减小SW节点环路面积，必要时添加RC snubber电路。# e7 Y- k2 u" ]: {; v( l
- 散热设计
- C: O& m4 t, J0 d$ f+ [
z, h; @' r9 U% B4 f& J+ i - PCB底部铺设GND铜箔并增加过孔，利用芯片散热片提升热性能。
7 g" a4 N; E' y
典型应用电路示例 12V输入 → 24V/2A输出
# ~4 M/ `0 j$ {) ^6 W9 ]( ^; ^ - 反馈电阻：R1=28.7kΩ, R2=1kΩ（Vout=0.8×(1+28.7/1)=24V）
\& u7 ~. u- R% t - 电感：10μH/5A（推荐Coilcraft MSS1048）( @8 A) e+ c+ c9 q) y4 f
- 输出电容：47μF陶瓷电容（X7R）+ 100μF电解电容（低ESR）
& z9 x( n) f: K; `
应用场景扩展设计 . u, F* u+ T( S! W& R* L/ B- L
- 太阳能供电系统：搭配MPPT算法控制器，输入侧增加TVS管防止浪涌。/ ^! O/ ^" r7 y: R7 v
- LCD背光驱动：FB端叠加PWM信号实现调光（需隔离电容避免干扰反馈）。, b# q: y$ D- R3 {: p% |
- 音频功放电源：输出级并联高频滤波电容（0.1μF陶瓷电容）抑制开关噪声。7 I3 |1 k% T8 G/ o5 P: B
效率曲线参考 负载条件 效率（典型值） $ u: G- q3 u/ J: a
轻载（10mA） 82% (PFM模式)
% W) T4 @7 q4 x$ _ 中载（500mA） 93% (PWM模式)
7 s2 ~& T8 g7 }: M# s G& V 重载（2A） 96% 电路原理图
% m4 h) F" f, b4 {! m8 O | 
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