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在同一个半导体中，电子的迁移率高于空穴的。
6 e. |: d; o8 K& q& U" W* o1 k* Z) q
1.如传统的N MOS 器件 我们用P衬底，但是算沟道电子迁移率 u=qt/m 其中t 和电离杂质散射和声学散射有关（以Ge为例），此时t和 参杂的Ni 有关，其实就是p衬底的浓度， 这样以来 算电子和空穴 用的都是P衬底的参杂浓度，当然电子的m有效质量大于空穴的， 所以 电子和空穴的有效质量不同 就在于 与 电离杂志散射和声学波散射对应的系数了吗？9 }" R3 o& J5 b* T! T
# C* q4 ]/ A, q1 p. d! K9 q2.我们平常用的mos器件 实际上是反型出来的少子导电，那如果是多子导电，先不考虑工艺实现与否，
" f! v! F/ f& W4 B同等参杂浓度的衬底， 一个是p型 我们用其中的少子电子导电
" x( s3 e3 k2 ^* I7 P, I+ w 一个是n型，我们用其中的多子电子导电# V* k" E+ P0 z
. u5 }+ x5 t! Q; u
直观上看，后者电流应该大: `1 y+ I" c2 m
7 s. ?, a$ b, p- H: `) b
但是要计算两者究竟谁的电子迁移率高 怎么计算？？
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发表于 2022-9-27 13:17
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