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ASEMI大功率MOS管60N10的检测方法

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发表于 2022-6-21 09:20 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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MOS场效应管60N10比较“娇气”。这是因为它的输入电阻很高,而栅极和源极之间的电容很小,很容易被外界电磁场或静电的感应充电,少量的电荷就可以形成一个比较高的电极间电容上的电压,会损坏管子。因此,60N10出厂时将所有引脚扭绞在一起,或装在金属箔内,使G极和S极等电位,以防止静电荷的积累。不使用管子时,所有引线也应短接。下面给大家介绍一下ASEMI大功率MOS管60N10的检测方法。测量时要格外小心,并采取相应的防静电措施。
, j/ \0 c9 z' e
' L& g' `: H  U# `  F5 Y5 Y60N10参数描述! X9 s0 q( ^5 J1 U9 G: c
型号:60N10
# G, @/ R9 O7 k4 w7 Q# ]5 F封装:TO-263
+ V# t2 U3 l1 c; h% q: o$ Z特性:大功率MOS管
. M3 Y0 b0 ?! J& B1 F电性参数:60A 100V
( D# x4 Z; S. r2 j4 `8 X: }栅极阈值电压VGS(TH):4V
6 T6 o- U- w% o$ m1 r) O连续漏极电流(ID):60A
" @* b3 j  I& x5 G5 w! b功耗(PD):160W
( B, A5 o6 h5 E- ]  d0 y6 A& q0 n二极管正向电压(VSD):1.2V8 o# w9 l- j& |5 a9 \
静态漏源导通电阻(RDS(ON)):17mΩ
# X9 ]6 A9 ~6 I( e零栅极电压漏极电流(IDSS):1uA
- J/ t# h* @$ X反向恢复时间(trr):35nS
2 [9 v' f' `) g1 k: b输出电容(Coss):182.5pF1 q# {* a$ i& e8 f' b+ z& ?
贮存温度:-55~+175℃
2 [+ X( Y4 J3 J* l5 K' c4 R引线数量:3
& X- G- m2 i/ |; H/ h7 O
! P( o1 E  s7 W  `, Z) X大功率MOS管60N10的检测方法:
3 t/ i' K# d% f4 _1、准备
! b) N% H8 v/ @4 V  C测量前,在接触MOSFET管60N10的引脚之前将人体短接到地。最好在手腕上接一根电线与大地相连,使人体与大地保持等电位,再把管脚分开,然后拆掉导线。
4 w. p+ T0 N1 P$ D0 j
* g$ i. n: k3 W3 w/ [& v2、判断电极6 n% c; J. U2 P/ I- F; S0 U
万用表置于R×100档,先确定栅极。如果一个管脚和其他管脚的电阻是无穷大的,证明这个管脚就是栅极G。交换表笔重测量,S-D之间的电阻值应该是几百欧到几千欧,电阻值较小时,黑色表笔接的为D极,红色表笔接S极。/ ?: y/ U/ m3 ^$ B! `2 E
6 o8 ]5 u8 @) T1 m6 d+ T
3、检查放大能力(跨导)% P2 r; r/ E, f, L/ g  u: W
将G极置于空中,将黑表笔接D极,红表笔接S极,然后用手指触摸G极,针头应有较大偏转。双栅MOS场效应晶体管有两个栅极G1和G2。为了区分它们,可以用手分别触摸G1和G2极,G2极是针向左偏斜较大的极。6 m: v; r  N+ R3 m( c
目前的MOS管60N10在G-S极之间加了保护二极管,所以平时不用短接各个管脚。' K6 a8 _, D* r* [

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发表于 2022-6-21 10:25 | 只看该作者
看一看学习学习,

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3#
发表于 2022-6-21 13:18 | 只看该作者
就说有时候芯片的逻辑不对。
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