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IC封装电性仿真优化的方向

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发表于 2014-3-6 21:54 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 pjh02032121 于 2014-5-7 16:45 编辑
( w+ V; P$ Q- B  w' B2 a% ?; Z
市场的需求,推动技术进步,数据传输的速率越来越高,尤其是光传输技术的发展,光模块也做的越来越小,使得光通信技术慢慢从网络产品过度到桌面产品上来。& `) b2 O# J9 F4 d; a  }% B
动辄十几~几十Gbps的传输速率,给SI设计带来挑战。以前不需要关注的芯片封装,现在也必须考虑进来。5 L) B9 C8 v2 z" W* u
参考:0 N3 Y7 ]3 R+ _. v$ [
https://www.eda365.com/thread-55226-1-1.html* E7 Z) s  x: U# d6 H) t- h8 K
https://www.eda365.com/thread-48362-1-1.html: j8 W3 ^; s+ N% f- d1 s) I. Y
https://www.eda365.com/thread-78287-1-1.html
% K" b5 G6 f- l: A: c7 Y, E* _) D3 ?+ c, a0 A
电性优化的目的,本质上来说就是最大提升传输效率,减少传输损耗。
0 u, I$ C, A& v封装是芯片到PCB的过渡,这里的信号传输路径处处存在着不连续(如下图),优化这些不连续点使其保持电性上的连续性,就是封装SI优化的目的。. T5 S; X* \: D/ N
& `+ O9 K* }! n- `2 \7 t
0 h* b, c$ o  ^1 Y& A6 ^
优化的方向在哪里?我们从上图的结构上一个一个的来。
& b& m1 p0 N& l) V4 U先阅读一下这个帖子,不知哪为大牛所写,非常经典。帖子中提到的,本帖不在赘述。# k% b( K. {! V. R4 ^
==>>https://www.eda365.com/thread-96268-1-1.html7 H6 z. f- U. x' B
' T  p9 j  m* q% `
结构:
: Y0 M! G' z, C芯片pad:
- y8 X- x6 [7 l# _/ `" y8 a: y1. 信号/地间距
0 W. X, H% j! _9 z8 V$ Y( D% E. T% N2. 信号地分配方式  t$ [3 f" V: [( K* I
芯片pad与bonding wire的位置一一对应,pad的位置、信号分配方式决定了bonding wire的位置、分配,这对信号的传输影响。& o0 s5 n1 i* T1 K5 s8 Q$ g7 K
; O' O2 P1 s% e
Bond wire:
) }4 A0 i/ H4 ~. m7 C1. 打线长度4 R; f- o' u1 Q) c0 }2 p
2. 打线线型$ E- P, b  X2 V
3. 金线线径8 b1 }0 e; v* n0 A4 i
3. 打线数量
% e2 u, H  x( M, M% `6 m1 K4. 金线阻抗匹配5 O( s; q! N9 x
下图是从芯片上的50ohm的cpw打金线到基板50ohm微带,对比bonding wire的线型、打线数量对传输特性的影响,结论自己去总结。
" Q" ~5 N/ Y4 b$ U3 Q5 V
8 O& s# t/ K* N6 t5 d: n
% Q. s4 O, e  j/ J/ t% o: F接下来对比,对金线进行阻抗匹配前后,传输特性的对比,这个影响有点大。
! ]: N5 R3 [' M& H/ v0 d* R- }& M
7 i: v" G2 A/ b" T8 D ; _' a/ {% C3 c" ?2 T0 l0 i

6 e! }1 r0 P( t% q  R
" J+ r" n4 q; D$ O' O, V' c过孔:1 o2 @/ d5 ]7 l  J5 E
1. 孔大小( q5 ]$ D- E( {& O0 ], d! ^
2. 孔壁厚度+ y7 m, Y" V/ c' [; h
3. 孔pad大小/ z; C2 i! X/ V0 C! t
4. 孔anti-pad大小, o1 _' v, _; R- @. |) t9 v3 }
5. 地孔的数量、距离等
7 X: A0 D; A7 i! P不多说了,有人做了PCB过孔的研究,基板上雷同。
; d2 y! L" _$ x1 T9 I' c请参考:* r6 Z1 Q- x3 }* `+ h0 i5 E0 n
8-WA2_Paper_Vias_structural_Details_and_their_.pdf (2.3 MB, 下载次数: 15583) , e# ^2 ]& }9 D7 D  k
https://www.eda365.com/thread-90238-1-1.html
( F8 Z+ A: w9 V7 N8 z. [https://www.eda365.com/thread-77031-1-1.html3 O: ^' c0 q4 i
https://www.eda365.com/thread-77010-1-1.html
( \0 `4 y0 Q2 O' B5 ]+ N! `9 i" Z' m/ g+ q) |4 Y' I! I3 _- [* g
6 t4 e3 x* h- i+ D7 _* k
Substrate+PCB界面:# w1 n: H$ P- h$ Y$ W5 X
1. Solder ball大小$ ]9 r& S! K: M* }4 J
2. Solder ball高度; Q' N7 o9 ~& r4 \
3. Solder ball间距
# Z: W$ j4 r& e2 h4. Solder ball S/P/G配置  e. c" l% d9 N' Y  m
4. Solder ball焊盘(Substrate + PCB)/ s9 }* @6 r* Z
下图,4+2+4的BGA基板,互连到PCB。对基板和PCB的焊盘阻抗金线优化(2)和降低Solder Ball的高度(3)对传输特性影响,结论自己总结。
' ^* k6 `* a  O  z. S' r / W+ ]; S) n* d4 f8 Y) U

4 c' ]1 [/ |0 r. @# a! _. H0 A' Z
工艺:3 P$ C  A) _( k9 n6 f! B
表面处理工艺,蚀刻工艺,影响比较复杂。8 m* |+ v; L! Y# \! G  l
简单参考:5 Y  O' y* O; @( R/ b
https://www.eda365.com/thread-83331-1-1.html
/ b2 e- U2 m. C% w6 B5 e# c6 fhttp://bbs.rfeda.cn/read-htm-tid-84397.html
! f$ ^3 ~3 J- E 6-WA4_Paper_EM_Modeling_of_Board_Surface_.pdf (942.48 KB, 下载次数: 99)
( `0 Y' p$ u2 K3 M2 M+ N$ W; S" `- [) y8 n8 o
材料:
$ Q$ B5 g& ^8 _# [2 G, |# A1.  Substrate + PCB;
6 U9 O# o, f" ]( S, c( ?( |2.  Mold compound;; L1 s% y7 E) M/ s6 v6 N# i
基板板材,PCB板材,有机材料都有很多低损耗的材料可供选择,高端的可用陶瓷材料LTCC、HTCC等。
. D4 X! J- O% m1 c# j8 _molding compound低损耗的不多,高频的一般不用,多为真空封装或充惰性气体保护。

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参与人数 1贡献 +5 收起 理由
honejing + 5 很给力!

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 楼主| 发表于 2015-5-21 20:42 | 只看该作者
bufengsui 发表于 2015-5-21 10:471 j. G) S5 }3 ~/ R
很好的一个帖子,学习了很受益,对高速封装有了一个全面的认识。想请教一下版主两个问题:1、金线阻抗匹配 ...
$ a! V0 H2 j* U. W0 O
射频微波阻抗匹配原理,具体理论叙述和仿真操作,在徐老师的新书《HFSS射频设计仿真实例大全》中有详述。5 {: ~7 F2 w* c! }' [7 ]2 X
  q4 s5 z4 x$ F6 r  g' m% s* W
S/P/G的配置比例与位置(与信号速度相关),主要是考虑SI和PI,DesignCon2013有paper专门讨论这个问题的,你可以找找看。) a5 z; I% T' F5 [, S. l

点评

你好,能麻烦发我一下DesignCon 2013关于S/P/G配置的文章吗?邮箱,谢谢啦!  详情 回复 发表于 2015-5-22 09:59

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发表于 2015-6-3 11:18 | 只看该作者
bufengsui 发表于 2015-5-22 09:59! R$ L+ z$ B- m& _9 B2 g% G
你好,能麻烦发我一下DesignCon 2013关于S/P/G配置的文章吗?邮箱,谢谢啦!
9 u( n' f2 g( Z  L$ z) M2 D3 a- W
你好:' f2 W! E+ t$ e
徐兴福老师一书中键合线匹配电路的理论是写的二项式匹配,二项式匹配基于小反射理论,匹配电路的阻抗是依次变大或者变小的。而很明显图中的阻抗不是依次变化的。还请版主指点一下,怎样确定匹配电路的阻抗和长度?. H1 g3 m9 [8 w2 _! W

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发表于 2015-5-22 09:59 | 只看该作者
pjh02032121 发表于 2015-5-21 20:42; j# d; C: x$ @3 V" }
射频微波阻抗匹配原理,具体理论叙述和仿真操作,在徐老师的新书《HFSS射频设计仿真实例大全》中有详述。 ...
; s8 v7 g0 L# y& I0 t1 f; c
你好,能麻烦发我一下DesignCon 2013关于S/P/G配置的文章吗?邮箱872780754@qq.com,谢谢啦!

点评

你好: 徐兴福老师一书中键合线匹配电路的理论是写的二项式匹配,二项式匹配基于小反射理论,匹配电路的阻抗是依次变大或者变小的。而很明显图中的阻抗不是依次变化的。还请版主指点一下,怎样确定匹配电路的阻抗和  详情 回复 发表于 2015-6-3 11:18

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3#
发表于 2014-4-18 16:22 | 只看该作者
楼主 好贴 顶

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5#
发表于 2014-7-18 13:16 | 只看该作者
您好,能请教下bondwire部分这个阻抗优化的机理吗?
1 }2 Z: m) B/ Z9 d

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6#
发表于 2014-7-28 10:31 | 只看该作者
有没有封装的EMC/EMI 这方面仿真的?

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7#
发表于 2014-8-19 11:07 | 只看该作者
这个太给力了

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8#
发表于 2014-11-12 00:07 | 只看该作者
楼主太给力了,点赞

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10#
发表于 2015-2-13 11:04 | 只看该作者
我也想知道对金线进行阻抗匹配的原理~哪位大师指点下?

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11#
发表于 2015-3-13 08:57 | 只看该作者
不是一般给力

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12#
发表于 2015-3-19 14:15 | 只看该作者
专业的给出封装研究方向
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