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1、 微分析法
( _$ ^2 S. I" x1 i- f(1) 肉眼观察是微分析技术的第一步,对电子元器件进行形貌观察、线系及
* T' M5 [2 u8 r, G, L) J, m其定位失准等,必要时还可以借助仪器,例如:扫描电镜和透射电子显微镜等进 9 u7 x* J" W3 v4 ^- o) i) k
行观察;5 ~, {% l& r# s4 b" Z1 e: [
(2) 其次,我们需要了解电子元器件制作所用的材料、成分的深度分布等信
2 \# N* Q0 G+ H- W1 N9 _$ v; {7 I9 \息。而 AES、SIMS 和 XPS 仪器都能帮助我们更好的了解以上信息。不过,在
" g @' P) O" M作 AES 测试时,电子束的焦斑要小,才能得到更高的横向分辨率; 2 N9 v$ j$ g" A
(3) 最后,了解电子元器件衬底的晶体取向,探测薄膜是单晶还是多晶等对
( \' Z+ G; k1 k1 \9 t, A7 t. y其结构进行分析是一个很重要的方面,这些信息主要由 XRD 结构探测仪来获取。
( m( v6 x: Y d2 u- A' `* b2、 光学显微镜分析法 + k/ Q* { O/ g+ H4 r
进行光辐射显微分析技术的仪器主要有立体显微镜和金相显微镜。将其两
& ]; x8 s) \5 C- _6 A4 W. _: p. Y者的技术特点结合使用,便可观测到器件的外观、以及失效部位的表面形状、结
. f" M) G- z+ X% Y# F; q构、组织、尺寸等。亦可用来检测芯片击穿和烧毁的现象。此外我们还可以借助
5 x8 R+ S9 E8 @ e% ~, b1 N" N具有可提供明场、暗场、微干涉相衬和偏振等观察手段的显微镜辅助装置,以适
' m. { i6 t( `/ o4 h# [应各种电子元器件失效分析的需要。 3 [- w) x. o( W4 u) A
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附件:
典型电子元器件失效分析方法.pdf
(86.49 KB, 下载次数: 2)
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