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芯片可靠性测试要求及标准解析

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    [LV.1]初来乍到

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    发表于 2021-7-16 09:56 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    本帖最后由 mutougeda 于 2021-7-16 09:57 编辑
    / g5 o/ P5 r$ Z. N, x* N* u* k& D0 U) R% a$ @6 y; G
    芯片可靠性测试要求都有哪些?华碧实验室通过本文,将为大家简要解析芯片可靠性测试的要求及标准。
    0 m8 s2 a) B, h# R9 G3 I( S# O3 Q/ V7 q$ e# v
    大多数半导体器件的寿命在正常使用下可超过很多年。但我们不能等到若干年后再研究器件;我们必须增加施加的应力。施加的应力可增强或加快潜在的故障机制,帮助找出根本原因,并帮助 TI 采取措施防止故障模式。
    - T+ r6 q$ Z" L0 @- {+ d; l4 z0 F9 z
    $ b  d% j7 v4 Z" f5 q5 Q% d1 V在半导体器件中,常见的一些加速因子为温度、湿度、电压和电流。在大多数情况下,加速测试不改变故障的物理特性,但会改变观察时间。加速条件和正常使用条件之间的变化称为“降额”。
    " G4 X2 f9 a# c7 U$ J: X( L. v- b2 L/ E6 |

    * r; }( F% H, j) Z
      V2 D* Y7 B5 I5 ]5 N. h; e+ C高加速测试是基于 JEDEC 的资质认证测试的关键部分。以下测试反映了基于 JEDEC 规范 JEP47 的高加速条件。如果产品通过这些测试,则表示器件能用于大多数使用情况。
    9 y4 j' x$ P- Z3 u$ p( \! U  l4 ]- D# @# Z/ f

    8 v* P& v7 Y6 w
    , L! E( h: E& Z; R7 k5 U温度循环8 o  k3 G" N( ]! @  `: K7 B8 m

    * m. F5 v9 @. ^根据 JED22-A104 标准,温度循环 (TC) 让部件经受极端高温和低温之间的转换。进行该测试时,将部件反复暴露于这些条件下经过预定的循环次数。% _4 t. G/ ]; p" t
    2 R% }# s1 t0 g  [3 z2 [
    高温工作寿命(HTOL)
    1 c1 B# b! i8 G
    - S3 w0 t: \5 F& n7 [HTOL 用于确定高温工作条件下的器件可靠性。该测试通常根据 JESD22-A108 标准长时间进行。& m5 g% G9 K1 [8 G2 c% T
    : M' n4 f4 H$ i8 ?0 @) G2 S
    温湿度偏压高加速应力测试(BHAST)0 G1 q  ~3 t. g  c7 c/ ^
    # t& j; v9 Y. P
    根据 JESD22-A110 标准,THB 和 BHAST 让器件经受高温高湿条件,同时处于偏压之下,其目标是让器件加速腐蚀。THB 和 BHAST 用途相同,但 BHAST 条件和测试过程让可靠性团队的测试速度比 THB 快得多。
    ; N9 s+ B9 t6 y8 P; |8 x  h/ }
    ) ^4 S& C! R/ ]: ?% N- Q1 B" i热压器/无偏压HAST
    & Q" i4 U' I7 X
    2 b$ I4 ]- K) o7 w  c: |! R! ^热压器和无偏压 HAST 用于确定高温高湿条件下的器件可靠性。与 THB 和 BHAST 一样,它用于加速腐蚀。不过,与这些测试不同,不会对部件施加偏压。
    : f" t# d& g8 F( m+ G# x9 [& l* G- e# D2 N7 d5 a9 t
    高温贮存
    ( I5 g. u. ~5 k) @; p! B% ~$ h5 d/ z' [$ Q
    HTS(也称为“烘烤”或 HTSL)用于确定器件在高温下的长期可靠性。与 HTOL 不同,器件在测试期间不处于运行条件下。
    ( H$ s* r  D9 k  M- H: p7 c9 O) g: r3 b: `4 x4 ~9 O
    静电放电(ESD)) ]! Q, y- q" m, Q" b: s( X
    ( v# {: w4 J* @  Y% f& X
    静电荷是静置时的非平衡电荷。通常情况下,它是由绝缘体表面相互摩擦或分离产生;一个表面获得电子,而另一个表面失去电子。其结果是称为静电荷的不平衡的电气状况。2 j3 W: i8 T+ [

    % A. R' |% ~  Z: K- P8 \% g0 ]4 C/ G当静电荷从一个表面移到另一个表面时,它便成为静电放电 (ESD),并以微型闪电的形式在两个表面之间移动。
    - K( i) g9 U, g, g+ W. p% `- ?* ?4 ~8 X8 v. w
    当静电荷移动时,就形成了电流,因此可以损害或破坏栅极氧化层、金属层和结。
    + t! \* @: G* ^! c  i5 D
    $ c( [# w9 [" D, O" y, A0 r& HJEDEC 通过两种方式测试 ESD:4 c+ K3 M- |8 d, W0 D

    0 D# y3 ]8 F$ ?% L+ L1.人体放电模型 (HBM)2 R  J) |* o, ~& G+ `3 m
    + p2 V4 ?( |( @, q2 h& X& o+ C. N. J
    一种组件级应力,用于模拟人体通过器件将累积的静电荷释放到地面的行为。
    $ n! I5 D2 z4 p* [/ o
    + b$ g4 v* v$ ~7 `! T! ?& p
    7 Y! ]5 k/ ^" k! c9 X
    + [. ?3 _; l1 Y! |7 C2.带电器件模型 (CDM)
    1 x. b6 g6 v* H! T0 K$ Q( {
    8 U1 Y# {3 t0 f* `( J/ g一种组件级应力,根据 JEDEC JESD22-C101 规范,模拟生产设备和过程中的充电和放电事件。& L2 i' V% E0 f4 j; x1 H

    1 q/ h; ]5 n9 Y. Q5 x& S2 @
    0 U/ e, |5 y* y9 ^) b9 N4 z5 j/ F5 k6 ?6 [, W" j1 D
    & c3 L' ?3 c" h& Q& E

    ; d) N; |+ q  |% M2 S' N' ^

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    发表于 2021-7-16 13:30 | 只看该作者
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    发表于 2021-7-16 13:31 | 只看该作者
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    [LV.10]以坛为家III

    5#
    发表于 2021-7-16 14:18 | 只看该作者
    dddddddddddddd
    5 l, S. |$ |( n; d
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