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SDRAM的工作频率是可以编程吗?

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1#
发表于 2009-7-6 10:21 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 hanicesnow 于 2009-7-7 16:29 编辑 : O; _8 O8 ~  C* R' i9 |2 g% ?/ S
0 W: h5 _" ]7 \& ?
一个标称是166MHZ的SDRAM,如果控制器对SDRAM的时钟是可以编程的,
: P+ D5 K5 P# x. y- w# N1 K那这颗SDRAM是不是可以跑在0-166MHZ之间的任何一个频率(不考虑系统性能),请各位高手指点。
0 U# Z1 s. D; b% m' {附件中是DRAM控制器的描述。

未命名.JPG (35.19 KB, 下载次数: 16)

未命名.JPG

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2#
发表于 2009-7-6 11:15 | 只看该作者
可以$ Q+ v' I7 \+ f3 U
不过这个通常是需要看MCU的手册的,按照MCU手册上面的关于MEM CLOCK这部分% m7 v" [* Q+ T6 r

9 S- b! ]* U" f# u- @& w通常在系统启动的时候进行寄存器部分的设置拿三星的2410来说
5 ^: t4 ?9 t( p0 d! z4 R   AREA    Init,CODE,READONLY' F0 [5 j( A9 ^* I
    ENTRY
+ U3 H' A4 h, ^) D    b   HandlerUndef    ;handler for Undefined mode% J( K5 M8 p- w0 |
    b   HandlerSWI      ;handler for SWI interrupt5 C" [. V9 E2 a. q+ ?
    b   HandlerPabort   ;handler for PAbort
3 L* t. @' Y' }7 Q3 U; ?# \; v' P6 u    b   HandlerDabort   ;handler for DAbort* i+ ~  ~. ^9 k& c
    b   .               ;reserved/ _/ L- Z9 n# {! o
    b   HandlerIRQ      ;handler for IRQ interrupt
2 ~9 |! \) C, g* i    b   HandlerFIQ      ;handler for FIQ interrupt
; k" k- \$ _2 j) }+ J5 F初始化中断向量表。。。。
( a8 R2 x: ?: L6 y" ]8 e在初始化堆栈前必须做外部SDRAM内存的硬件初始化,这个时候就会根据硬件手册设置好相应的" ~/ ]- H& J/ u- T9 ?3 U! H( J
....................6 [+ E4 O. T, F. I0 \" i$ _
    ;Set memory control registers
+ _9 f/ G/ i; |# O( e, ^4 }    ldr r0,=SMRDATA6 b9 N% r7 |/ P" i: ^( s+ ]
    ldr r1,=BWSCON      ;BWSCON Address
  P* e5 K: Q3 |    add r2, r0, #52     ;End address of SMRDATA
) q  j: E' _4 z0 X" u# h7 V.................
; D. D& Y. Y  s; ?;@0x207 A) L( ?0 V, \7 m
    b   EnterPWDN7 |, M. V$ |8 F9 d6 Z' V0 I! I0 J
SMRDATA DATA: z2 A6 s4 S& g, O0 t5 g
; Memory configuration should be optimized for best performance
- \0 S4 c0 B8 b" p' D( @# l6 ?: \# ~; The following parameter is not optimized.                     
' M4 i4 t- F- e; Memory access cycle parameter strategy
; \* k% A( q" u6 p; d5 U, `; 1) The memory settings is  safe parameters even at HCLK=75Mhz.( ?) U1 v2 y# k+ r
; 2) SDRAM refresh period is for HCLK=75Mhz.   z, @/ ?! O/ o' G
! V( l3 a- g8 _
    DCD (0+(B1_BWSCON<<4)+(B2_BWSCON<<8)+(B3_BWSCON<<12)+(B4_BWSCON<<16)+(B5_BWSCON<<20)+(B6_BWSCON<<24)+(B7_BWSCON<<28))
2 p* b- [5 c$ X, K    DCD ((B0_Tacs<<13)+(B0_Tcos<<11)+(B0_Tacc<<8)+(B0_Tcoh<<6)+(B0_Tah<<4)+(B0_Tacp<<2)+(B0_PMC))   ;GCS07 y. i0 u  F% [4 b: X
    DCD ((B1_Tacs<<13)+(B1_Tcos<<11)+(B1_Tacc<<8)+(B1_Tcoh<<6)+(B1_Tah<<4)+(B1_Tacp<<2)+(B1_PMC))   ;GCS1
" S0 Z! P' k/ x/ ~5 h9 C    DCD ((B2_Tacs<<13)+(B2_Tcos<<11)+(B2_Tacc<<8)+(B2_Tcoh<<6)+(B2_Tah<<4)+(B2_Tacp<<2)+(B2_PMC))   ;GCS2
8 a8 S5 y6 f3 F# c    DCD ((B3_Tacs<<13)+(B3_Tcos<<11)+(B3_Tacc<<8)+(B3_Tcoh<<6)+(B3_Tah<<4)+(B3_Tacp<<2)+(B3_PMC))   ;GCS30 R8 V+ p  _* ?8 v
    DCD ((B4_Tacs<<13)+(B4_Tcos<<11)+(B4_Tacc<<8)+(B4_Tcoh<<6)+(B4_Tah<<4)+(B4_Tacp<<2)+(B4_PMC))   ;GCS4
4 z: V* C- O/ i( E- k    DCD ((B5_Tacs<<13)+(B5_Tcos<<11)+(B5_Tacc<<8)+(B5_Tcoh<<6)+(B5_Tah<<4)+(B5_Tacp<<2)+(B5_PMC))   ;GCS5) c/ h1 g5 s! R+ _% G
    DCD ((B6_MT<<15)+(B6_Trcd<<2)+(B6_SCAN))    ;GCS6
5 x# M  o# V9 z( h7 f1 E) p) v0 M    DCD ((B7_MT<<15)+(B7_Trcd<<2)+(B7_SCAN))    ;GCS7
4 N0 f5 x4 N; j2 S' r+ o; k# [;   DCD ((REFEN<<23)+(TREFMD<<22)+(Trp<<20)+(Trc<<18)+(Tchr<<16)+REFCNT)    ;Tchr not used bit! ^5 T' }% R0 H* m% `; d6 e
    DCD ((REFEN<<23)+(TREFMD<<22)+(Trp<<20)+(Trc<<18)+REFCNT)      
% R9 `0 V. L2 \/ w
3 Z- C- b" V4 ~. A  w9 d5 z6 {

- H# s( ~; K3 d& Q;   DCD 0x32            ;SCLK power saving mode, ARM core burst disable, BANKSIZE 128M/128M
% L' n- @( s+ t) Y8 @  ]' l) v    DCD 0xb2            ;SCLK power saving mode, ARM core burst enable , BANKSIZE 128M/128M - 11/29/20027 T) ]% v* f/ y  j$ H7 a* h
  d5 A' Q- o! \2 t- v
    DCD 0x30            ;MRSR6 CL=3clk
$ D# C7 p4 O7 }# \4 M& Z    DCD 0x30            ;MRSR7
0 S6 F( [. R" ~$ @! p- F- w4 q;   DCD 0x20            ;MRSR6 CL=2clk
; ]5 o( K5 b& ?9 s;   DCD 0x20            ;MRSR7

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3#
发表于 2009-7-6 11:23 | 只看该作者

6 ?- U" b4 a% @6 H1 h( }+ t3 E
1 a& a3 i  u' r/ a. V+ \5 E: j2 B看一下这个吧呵呵,不同的MCU设置SDRAM寄存器的方式也不一样,(MCU的架构MCU的厂家不同都会有区别)
0 @$ O2 X% Q% y6 N之所以给你举2410的例子是应为有中文的文档!易于理解^_^5 |+ p8 e  c) p! F4 o
  x+ N6 e% j  [: b; N* {
你自己看一下理解一下吧,我怕说多了有些乱。

s3c2410-5.rar

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4#
发表于 2009-7-6 12:45 | 只看该作者
最低频率通常有限制的,你看一下颗粒的datasheet,能查到的,一般不推荐低于多少。

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5#
 楼主| 发表于 2009-7-7 14:44 | 只看该作者
多谢两位,兄弟受益匪浅啊。我仔细看了下SDRAM的规格书,在时钟周期一栏,定义了最小时间,但是时钟的最大时间没有定义,也就是我没有找到最低频率。找了几个规格书都没有。
" g( O; I8 z# D9 f请问高手,这个最低频率一般由什么决定的,
. b  F% C" X5 j& i* ^是系统性能吗?要求数据处理的快,那么SDRAM就工作频率就高。
# C0 C# I4 b/ V还是有其它的东西限制着这个最低频率?

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6#
发表于 2009-7-8 12:44 | 只看该作者
物理限制当然有一些的,如果你跑几K的速录,用个电容设计就可以,何必用MOS+电容的结构呢。" i" ?. D" j) H' q1 n& w8 d, @
) ]( p7 R) e. [: w5 ?2 _7 {( i
选RAM还不主要因为你软件的需求,要跑多快,多大带宽吗?如果DDR2 667能搞定,就不要用DDR2 800的颗粒。

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7#
发表于 2009-7-8 13:13 | 只看该作者
物理限制当然有一些的,如果你跑几K的速录,用个电容设计就可以,何必用MOS+电容的结构呢。2 ?1 C5 i) J2 V) ]/ A
$ Y, Z9 k' v/ ?6 h
选RAM还不主要因为你软件的需求,要跑多快,多大带宽吗?如果DDR2 667能搞定,就不要用DDR2 800的颗粒。/ u6 _4 _9 f) J; q
liqiangln 发表于 2009-7-8 12:44
, _5 P8 ^$ Z3 {8 H# J% B- K: e) e9 M

% l  `) U1 O: y# u; @7 \hehe翻译一下,SDRAM都看最快能跑多少,没有人看最慢的呵呵,设计的时候如果用低速率的SDRAM还便宜能够满足系统设计的要求。为什么还要用速率高的。。。。。。

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8#
 楼主| 发表于 2009-7-8 13:53 | 只看该作者
本帖最后由 hanicesnow 于 2009-7-8 15:18 编辑
& N7 O& E7 g& R4 K: I: G' O2 `4 e% \5 W' f2 l8 Y* ^; z$ @/ }
多谢两位,学习了。

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9#
发表于 2009-7-8 16:01 | 只看该作者
设计的时信号控制线上面加22欧的电阻试试。

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10#
发表于 2009-7-14 18:16 | 只看该作者
楼上的,貌似加电阻不会改变频率的哦。

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11#
发表于 2009-7-15 08:33 | 只看该作者
楼上的你没有看到他编辑了一次么?
, Y5 n$ a1 s, `. y& I7 `" {: E他的问题最终是EMC问题,在内存旁边总有一个频场,我认为加电阻能够解决这个问题。

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12#
发表于 2009-9-17 11:21 | 只看该作者
学习!

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13#
发表于 2009-9-24 11:36 | 只看该作者
一般的SDRAM的时钟DDR1 有133 266 400 , q* z2 @2 L0 }) L( N
DDR2 533 667 800
( H3 E* c; T% U) Q0 n/ H你要使用合适的频率就要更主频有很大关系的
$ J1 }* ?0 a* ?! I0 X+ {如ARM中就必须是MPLL :HPLL 就要1:3 或这个1:2 + Y: B& k  e! M7 ~" b
这个要根据你的芯片的寄存器设置 不是想怎样改 就能改的

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14#
发表于 2011-3-29 23:38 | 只看该作者
:):):):)

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15#
发表于 2011-3-31 21:32 | 只看该作者
不错,学习了
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