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1、BGA(ballgridarray)0 J# b5 n, @0 k9 f9 l
球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200，是多引脚LSI用的一种封装。) m6 k$ H+ o. ]4 |/ p7 U
封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如，引脚中心距为1.5mm的360引脚BGA仅为31mm见方；而引脚中心距为0.5mm的304引脚QFP为40mm见方。而且BGA不用担心QFP那样的引脚变形问题。" m& T. C% x5 g$ Q9 c" v
该封装是美国Motorola公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初，BGA的引脚(凸点)中心距为 1.5mm，引脚数为225。现在也有一些LSI厂家正在开发500引脚的BGA。BGA的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为，由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。 K4 C! g( |# w- J5 k9 N1 I
美国Motorola公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC和GPAC)。 & ~) |: D0 N; a% k$ \
( x2 d7 |% i6 G2 x% W1 t' T2 b( |6 h. ?# {6 l
& S j$ p/ d1 H 2、BQFP(quadflatpackagewithbumper)! z0 Q8 o2 r9 J' ~/ w! S. X
带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC等电路中采用
5 u! C# M2 |5 i3 Q3 L/ \ 此封装。引脚中心距0.635mm，引脚数从84到196左右(见QFP)。
3 d/ T) v- v# | 3、碰焊PGA(buttjointpingridarray)4 M$ G# } k, P
表面贴装型PGA的别称(见表面贴装型PGA)。: ^3 G* l& o8 ?8 L
4、C－(ceramic)( p8 f: w, d2 |
表示陶瓷封装的记号。例如，CDIP表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。 K$ l& K; V2 v- r8 t! ~6 j5 {
5、Cerdip8 ^, C; B0 C9 s+ @4 e1 {& h# C- K L
用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECLRAM，DSP(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的Cerdip用于紫外线擦除型EPROM以及内部带有EPROM的微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从8到42。在日本，此封装表示为DIP－G(G即玻璃密封的意思)。6 E% N5 h, C/ o& J9 ~
6、Cerquad
# e0 L/ E: Q! S 表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封装DSP等的逻辑LSI电路。带有窗口的Cerquad用于封装EPROM电路。散热性比塑料QFP 好，在自然空冷条件下可容许1.5～2W的功率。但封装成本比塑料QFP高3～5倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、 0.4mm等多种规格。引脚数从32到368。
' X( \3 w* Y6 c/ t I6 v4 c 7、CLCC(ceramicleadedchipcarrier)) b0 n O+ _" N6 I
带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形。
3 B7 |5 R5 }8 W0 N8 V 带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM以及带有EPROM的微机电路等。此封装也称为QFJ、QFJ－G(见QFJ)。5 ?1 n# \ y2 h8 g* ?9 Q
8、COB(chiponboard)* w) y% }$ [5 Q5 H/ X9 `; z7 A6 Y
板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然COB是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB和倒片焊技术。' Y' h& U) u% }# e
9、DFP(dualflatpackage)
/ w f' U& K, E w 双侧引脚扁平封装。是SOP的别称(见SOP)。以前曾有此称法，现在已基本上不用。4 _* X2 M4 T6 ^
10、DIC(dualin-lineceramicpackage)
* Y6 n3 g- `% `" T0 i& R5 e& G+ ? 陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP).
: m* k; I. x6 X: K3 G' _ 11、DIL(dualin-line)
+ O, m0 r# H K' }5 | g1 F2 C DIP的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。! g# V" f( V( d# ^
12、DIP(dualin-linepackage)
2 X& K3 T' X1 l 双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器 LSI，微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从6到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm和10.16mm的封装分别称为 skinnyDIP和slimDIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加区分，只简单地统称为DIP。另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP也称为 cerdip(见cerdip)。6 ^% j6 B7 i: p+ j: ^( m# d
13、DSO(dualsmallout-lint)
d+ I1 J& z1 Y6 E6 u 双侧引脚小外形封装。SOP的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。6 Y% \1 n2 j: v
14、DICP(dualtapecarrierpackage)% X+ G. |5 n q) z* v
双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于利8 U5 Y6 \( P: k# b8 @
用的是TAB(自动带载焊接)技术，封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LSI，但多数为定制品。另外，0.5mm厚的存储器LSI簿形封装正处于开发阶段。在日本，按照EIAJ(日本电子机械工业)会标准规定，将DICP命名为DTP。
& M5 H' t# K; s" S: B% u 15、DIP(dualtapecarrierpackage)8 o7 l: r+ L9 W- }+ Q$ @/ w
同上。! d6 n6 G7 I! x+ h0 ?5 v1 k6 h5 p2 N
日本电子机械工业会标准对DTCP的命名(见DTCP)。
1 { R ]8 t2 B 16、FP(flatpackage)
0 ?: h+ n' F2 ?$ C3 H; C 扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP或SOP(见QFP和SOP)的别称。部分半导体厂家采用此名称。2 A* N0 e0 _( m: t U: y1 C
17、flip-chip) Z# \, ~8 u; T
倒焊芯片。裸芯片封装技术之一，在LSI芯片的电极区制作好金属凸点，然后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有封装技术中体积最小、最薄的一种。但如果基板的热膨胀系数与LSI芯片不同，就会在接合处产生反应，从而影响连接的可靠性。因此必须用树脂来加固LSI芯片，并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。
z6 a! {' g0 A9 W$ a 18、FQFP(finepitchquadflatpackage)0 v8 E+ d/ Y+ j- Y5 Q) [$ F
小引脚中心距QFP。通常指引脚中心距小于0.65mm的QFP(见QFP)。部分导导体厂家采用此名称。
+ v4 a3 g; f3 { 19、CPAC(globetoppadarraycarrier); Q9 h* c3 y$ G3 M
美国Motorola公司对BGA的别称(见BGA)。/ {/ K4 O9 r4 k7 \% f" w A8 D1 l* x8 a" G
20、CQFP(quadfiatpackagewithguardring)* |) e* m5 M$ y# G
带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料QFP之一，引脚用树脂保护环掩蔽，以防止弯曲变形。
# |9 N. z9 _1 l 在把LSI组装在印刷基板上之前，从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L形状)。这种封装在美国Motorola公司已批量生产。引脚中心距0.5mm，引脚数最多为208左右。; }/ @6 {0 C4 C8 ^8 p
21、H-(withheatsink)
' [, u, m, q% N4 o" h f 表示带散热器的标记。例如，HSOP表示带散热器的SOP。
. x' S4 m) y5 G' r8 } 22、pingridarray(suRFacemounttype)
0 |. D/ Q1 b& @+ f 表面贴装型PGA。通常PGA为插装型封装，引脚长约3.4mm。表面贴装型PGA在封装的底面有陈列状的引脚，其长度从1.5mm到2.0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法，因而也称为碰焊PGA。因为引脚中心距只有1.27mm，比插装型PGA小一半，所以封装本体可制作得不怎么大，而引脚数比插装型多(250～52，是大规模逻辑LSI用的封装。封装的基材有多层陶瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。
2 _3 a& ^4 i( c# x \* E 23、JLCC(J-leadedchipcarrier)
6 o' k% A5 E8 y J形引脚芯片载体。指带窗口CLCC和带窗口的陶瓷QFJ的别称(见CLCC和QFJ)。部分半导体厂家采用的名称。% K' [) { c! e* b- L. c: j
24、LCC(Leadlesschipcarrier)
2 ]1 R* M1 b. B! x3 d9 G$ ^ 无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是高速和高频IC用封装，也称为陶瓷QFN或QFN－C(见QFN)。
( I# q7 {6 D( U7 b5 `. i( O 25、LGA(landgridarray)9 K V& T! G& `! J
触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现已实用的有227触点(1.27mm中心距)和447触点(2.54mm中心距)的陶瓷LGA，应用于高速逻辑
6 v6 ^. i. V x, e2 \' C# Z2 ~ LSI电路。LGA与QFP相比，能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外，由于引线的阻抗小，对于高速LSI是很适用的。但由于插座制作复杂，成本高，现在基本上不怎么使用。预计今后对其需求会有所增加。" ^7 |6 e- Z( F9 N
26、LOC(leadonchip): ?, j4 }- S6 y6 w$ S/ [
芯片上引线封装。LSI封装技术之一，引线框架的前端处于芯片上方的一种结构，芯片的中心附近制作有凸焊点，用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的结构相比，在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm左右宽度。
! n6 ~* U; ]& P7 T" U 27、LQFP(lowprofilequadflatpackage)
0 G3 Z6 [; D t! V; k8 Q2 g 薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm的QFP，是日本电子机械工业会根据制定的新QFP外形规格所用的名称。
. Q; D/ U. J# l3 y$ A 28、L－QUAD5 C& N1 }# n$ m% B
陶瓷QFP之一。封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高7～8倍，具有较好的散热性。封装的框架用氧化铝，芯片用灌封法密封，从而抑制了成本。是为逻辑 LSI开发的一种封装，在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208引脚(0.5mm中心距)和160引脚(0.65mm中心距)的LSI逻辑用封装，并于1993年10月开始投入批量生产。+ t" S1 ^, E6 t4 s
29、MCM(multi-chipmodule)
3 G- R8 Q ^; _, b3 u3 C 多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可分为MCM－L，MCM－C和MCM－D三大类。# w P, @) ?$ p1 I. }
MCM－L是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高，成本较低。
% K$ a) C/ P# D* J MCM－C是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件，与使
& w4 l" T4 M: F 用多层陶瓷基板的厚膜混合IC类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM－L。
1 f1 j+ q: m9 l$ Z! t; x MCM－D是用薄膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al作为基板的组件。
" ?4 Y8 U5 `/ _4 Z, q 布线密谋在三种组件中是最高的，但成本也高。
" ^/ k' B0 F, u9 v |
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发表于 2020-7-1 10:52
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