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本帖最后由 pjh02032121 于 2015-2-1 22:59 编辑 ! V0 |; d# B% g: j( G
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1.关于RDL，看过书后还不是很明白。能否在介绍下。+ K4 K( I1 o3 I4 ]- ~# a
RDL（redistribution layer），wirebond芯片的I/O pin一般是分布在芯片四周，为改变pin的位置，芯片在加工完成后，在芯片的表面再增加一层或多层布线以改变pin的位置，一般是做成flipchip形式。
, d" g" g% y7 C+ Y芯片做RDL一般有两种考虑，一是性能，二是工艺成本。8 q! h' z5 W5 L7 z
想了解RDL的工艺过程，请参考：http://www.chipbond.com.tw/eng_service_03_02.aspx
2 Z" C/ p& T' ]2 ?
% }: v' b x5 K2，是否一定需要定义电源和地环（这里是否是为了设置wirebond导向线）？ring设置里对间距有什么要求（书里有700um和500um）。还有就是第一个ring和第二个ring的间距要求。" W( Y" p. w/ O0 J
Power/Ground Ring不是必须的，跟WB-guide-line也没必然联系。加P/G ring的设计，一般是处理器类的芯片，对PI有要求。
$ s8 l _) B# }" ZRing间距和宽度都是根据封装工艺和基板加工工艺能力来定的，目前间距50um，宽度100都没有问题。Ring做的宽对PI有益。) c" N/ Y9 Q% _" Q0 m
, j( B) ?0 |. h, r( P3，wirebond参数的设置。金线弧形的的设置，国内的封装厂有没有一些标准的弧形（刚入门这行，对工艺不熟悉），或者有没对wirebond工艺详细介绍的书。& A/ F* h E0 Y0 w
apd/sip软件里自带了K&S（最大的wirebond设备制造商）的标准弧形设置，你可以自己查看。0 C$ B/ U6 t. D
封装厂一般都不会看这些标准的，每个都有自己的标准，甚至每个工程师的标准都不同。
6 D+ m5 U d) j1 y除非一些射频或高速的信号对金线弧形有要求外，一般不要给封测厂提额外的要求，省钱省事。
3 W+ X6 p# P& T
* s' ~9 R' [6 D$ G* a. X4.finger的移动有没更好的方法，先select在选中在右键move很麻烦。- c% ^4 u" V( W1 O
你可以在移动完一个finger后，右键advanced/set default...,这样软件会记住你的操作，下次再选择finger就可直接移动了。) {) ]( _: P: y
- [ n- g% O6 c1 F: L5.如果遇到bga有300个PIN，而信号只有80个。ballmap怎么排比较好？ }* ?% j: i% m- J
没特别要求的话，就近原则，finger扇出后直接via到ball，剩下的都电源和地，平均分布一下即可。% g. r2 R- Q w) Z7 I
0 b5 w' N/ c; M0 Y6.finger的大小？（这还是wirebond工艺的不熟悉）一般我们用到的finger是多大的，最小是多少？最大是多少？
1 x) P: I: u1 k4 K: d6 _finger最小有限制，最大没有限制。1 s! ?* @8 G; r
最小一般和金线直径和设备能力相关，现在做金线直径2倍宽度/4倍长度都已经很成熟了。实际设计中，最好参考封装厂的设计规则。
4 g; H9 J8 {% S0 P7 s
. V, a2 W& q0 U7.finger在一个die里是否是用统一的大小。我可不可以把vss的finger做大一点？
! ?- k3 J8 z) v6 w/ j8 J+ c没有必要统一大小。P/G有时候要打多根线在一个finger上，必须做大才有足够的空间打下多根线。
- _& F+ h% z; C9 d: R |
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发表于 2015-1-31 10:31
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发表于 2015-2-1 22:56
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