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ISSI生产的32Mb高速低功耗异步SRAM，这种创新的设计加强了ISSI对具有最高质量和性能的SRAM的长期承诺。32Mb SRAM在汽车A3温度范围（-40°C至+ 125°C）下提供12ns的访问时间。7 g, X# E9 n9 [) v3 \- P9 }
; `6 y) {3 l% }" n4 \, n; x+ @- HISSI IS61 / 64WV204816ALL / BLL是高速32M位静态RAM，组织为2048K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。
9 p) V, s( g$ Z+ o
9 V5 y, G( W. j y& j这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术，可生产出高性能和低功耗的设备。
) A! A: @) o" c$ b* C* |6 \
2 N% O6 u" y5 D! X当CS＃为高电平（取消选择）时，器件将进入待机模式，在该模式下，可以通过CMOS输入电平降低功耗。使用芯片使能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的LOW Write Enable（WE＃）控制存储器的写入和读取。数据字节允许访问高字节（UB＃）和低字节（LB＃）。
! S1 ? @4 b) i$ p7 S; R ' G; I+ u9 u6 @$ q; l
该器件采用JEDEC标准的48引脚TSOP（TYPE I）和48引脚微型BGA（6mm x 8mm）封装，应用范围在汽车/工业/医疗/电信/网络等。
$ Q9 p, G9 a* B& j
6 [. ^4 M4 O$ ^; \+ p# `1 B# U8 _1 a8 f4 d
| IS61WV204816BLL (I) | IS64WV204816BLL (A3) | 注释 | 温度支持 | 工业5 n* G( n' ^" S& @
(-40°C to +85°C) | 汽车
; S9 x) ^7 \4 L, a$ i7 G0 S9 j(-40°C to +125°C) | - r0 X: ?, |, a h/ F' {) t
| 技术 | 40nm | 40nm |
% k1 V2 V6 k' @9 Q
| 电源电压 | 2.4V ~ 3.6V | 2.4V ~ 3.6V | 2 ^, _, \% p* `
| 工作电流（最大） | 100mA | 135mA |
/ [8 T c( G r4 O. b7 W2 U
| 待机电流（Typ） | 10mA | 10mA | * \- W( @1 r' Y. W! o* P, H
| 包装 | TSOP-I（48针）1 Q/ B: k" o! L& h, d4 ?3 K
BGA（48球） | TSOP-I（48针）
M( y6 B/ r; t, B3 K, R1 z3 Q$ hBGA（48球） | 引脚兼容7 ]" {" H9 ~+ [. h
16Mb异步SRAM | 速度 | 10ns | 12ns |
; F8 g ^1 }- I; e# e6 j
| 铜引线框 | 是 | 是 | $ O, G) f- b1 h3 a: S J/ K% B
| 无铅PKG | 是 | 是 | 符合RoHS |
' z9 |. Q2 \# f, c) K6 @
& h3 ]! r# o+ L: [/ B- t4 ]SRAM存储器是随机存取存储器之一。每个字节或字都有一个地址，可以随机访问。 SRAM支持三种不同的模式。每个功能在下面的“真值表”中进行了描述。7 O# J k2 o5 m+ |" h# _
m( R1 B) H7 h待机模式7 |+ h Q* m, F+ P
取消选择时，设备进入待机模式（CS＃高）。输入和输出引脚（I / O0-15）处于高阻抗状态。此模式下的CMOS输入将最大程度地节省功率。, e9 {% o" M; H1 `2 i8 b# i b
9 J$ Z9 j" q2 i/ d$ u& x
写模式/ L& Y7 g/ H6 k& z& M4 x
选择芯片（CS＃）且写使能（WE＃）输入为LOW时发生写操作问题。输入和输出引脚（I / O0-15）处于数据输入模式。即使OE＃为LOW，在此期间输出缓冲区也会关闭。 UB＃和LB＃启用字节写入功能。通过将LB＃设为低电平，将来自I / O引脚（I / O0至I / O7）的数据写入地址引脚上指定的位置。且UB＃为低电平时，来自I / O引脚（I / O8至I / O15）的数据被写入该位置。# G* c* h* A2 v( I) z- J
6 F' Z7 r& D$ ?2 c$ V/ a
读取模式
( Y( t4 ]) l0 a1 Q' G9 v选择芯片时（CS＃为低电平），写使能（WE＃）输入为高电平时，读操作出现问题。当OE＃为LOW时，输出缓冲器打开以进行数据输出。不允许在读取模式下对I / O引脚进行任何输入。 UB＃和LB＃启用字节读取功能。通过启用LB＃LOW，来自内存的数据出现在I / O0-7上。且UB＃为低电平时，来自内存的数据出现在I / O8-15上。
' g5 E) N2 ^1 k: {1 o + v) n* s; K! N
在读取模式下，可以通过将OE＃拉高来关闭输出缓冲器。在此模式下，内部设备作为READ操作，但I / O处于高阻抗状态。由于器件处于读取模式，因此使用有功电流。: j7 j. B3 t7 x# ?4 O9 u
- a( k8 j6 I& S8 R/ l' i5 G' W" j. t上电初始化8 d" V0 L. f' r% p
该器件包括用于启动上电初始化过程的片上电压传感器。7 {+ V* @7 r' Y4 X/ V
当VDD达到稳定水平时，器件需要150us的tPU（上电时间）来完成其自初始化过程。
1 J3 n8 c/ H! {7 J$ S/ X初始化完成后，设备即可正常运行。
4 E/ E1 ?; v$ J4 g& A" l7 v( s1 P; ~7 _2 O( e& S
% u' G4 J+ S b, u& ?+ c5 k规格书下载
$ T; f1 ~9 C# s3 X, [7 |2 J h/ r
IS61-64WV204816ALL_BLL.pdf
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发表于 2020-5-27 14:28
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