|
|
EDA365欢迎您登录！
您需要 登录 才可以下载或查看，没有帐号？注册
x
美国ISSI主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。主要为汽车，通信，数字消费者以及工业和医疗等市场提供存储器产品。IS62WV102416DBLL是超低功耗CMOS 16Mbit静态RAM，组织为1M字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术，可生产出高性能和低功耗的设备。 IS62WV102416DALL/DBLL和IS65WV102416DALL / DBLL封装在48引脚TSOP（I型）中。
. p6 N# ~( v6 i9 q2 T- v4 {& [ & @5 i* ~$ @' U! c; ~9 C+ [
功能说明
$ ]# m) h( ^; y( s1 ISRAM是随机存取存储器之一。每个字节或字都有一个地址，可以随机访问。 SRAM支持三种不同的模式。
c1 b- S" W- d. _( G1 v; @ 3 l% N- u* J$ y: c* A- X+ _. D4 r
待机模式
6 z* m3 e. N* w8 L$ `取消选择时，设备进入待机模式（HIGH或CS2 LOW或两者都为HIGH）。输入和输出引脚（I / O0-15）处于高阻抗状态。根据输入电平，此模式下的电流消耗为ISB1或ISB2。此模式下的CMOS输入将最大程度地节省功率。# |; ~6 f, j/ m- J
: `: w. D, }' ?) }0 B
写模式
1 e' R) Y- _( }5 w+ G% J( D# E$ ]3 D选择芯片时（LOW和CS2 HIGH），写使能（）输入LOW时的写操作问题。输入和输出引脚（I / O0-15）处于数据输入模式。即使为LOW，在此期间输出缓冲区也会关闭。并启用字节写入功能。通过启用LOW，来自I / O引脚（I / O0至I / O7）的数据被写入该位置。2 i' G# q7 Z4 F; Y; s) p/ A* q
5 V1 M2 g; O7 M- I( h7 E! \8 h在地址引脚上指定。处于低电平时，来自I / O引脚（I / O8至I / O15）的数据被写入该位置。
% D) [7 J! n7 F; I& b+ o$ N0 l: A , D" s- [1 H; E& K3 f- e% k
读取模式
( \) W; @6 S% ~" W7 }- i( W选择芯片时（LOW和CS2为HIGH），写使能（）输入为HIGH时，读操作出现问题。当为低电平时，输出缓冲器打开以进行数据输出。不允许在读取模式下对I / O引脚进行任何输入。并启用字节读取功能。通过启用LOW，来自存储器的数据出现在I / O0-7上。处于低电平时，来自内存的数据将出现在I / O8-15上。
( }, n. l) }& g- e
0 Q k3 S! ]8 g; K$ O2 g在读取模式下，可以通过拉高来关闭输出缓冲器。在此模式下，内部设备作为READ操作，但I / O处于高阻抗状态。由于器件处于读取模式，因此使用有功电流。' n! R# o# A9 Y$ D6 @
, t/ Z# p3 X% K7 u" {工作温度范围7 y/ T' r% {7 U* R( J6 ?# T
商用工作温度为0°C至+ 70°C ，电压为2.2V 3.3V 3.6V
# \% [ Y+ D$ H! l, F工业工作温度为-40°C至+ 85°C ，电压为2.2V 3.3V 3.6V
x6 ~4 P* I9 [汽车类工作温度为 -40°C至+ 125°C，电压为2.2V 3.3V 3.6V
. V6 T0 }7 w9 x3 f, C; V8 H$ k
$ D9 ?2 H3 ?1 X, l% @, G; ^+ HISSI 低功耗SRAM* D) V+ L) r8 K- q# g: X
6 C0 }2 t3 e6 _# G5 ?! J
62-65WV102416DALL-DBLL.pdf
(1.13 MB, 下载次数: 0)
" E7 j& Z, z! f( a& q
% w- h" j& w1 a) g+ o5 }9 O
|
|
/1 
发表于 2020-5-26 14:43
收藏
淘帖
支持！
反对！