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堆叠封装的问题请教

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1#
发表于 2020-5-15 11:24 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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堆叠封装需要什么样的设备?我想把5~6个裸片封装在一起,如AD,mcu,CAN收发器等,希望高人指点,谢谢4 S0 n( j: Z4 c/ R7 Q, A

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2#
发表于 2020-5-15 13:10 | 只看该作者
首先问你你,你是想封装在一个IC呢还是封装在你的板子上,
) @' G1 u0 v8 t板子上呢,这样做 你买回来裸片
$ S5 p2 U- D2 X% X8 [$ j" l  A那你画板的时候就按照裸片来画,板子要镀金,然后绑定 最后点胶。

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3#
发表于 2020-5-15 13:29 | 只看该作者
3D工艺太复杂了,2D工艺应该不是太难,2层板不够可以做4层板,6层板.

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4#
发表于 2020-5-19 13:57 | 只看该作者
球焊机,和回流焊机

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5#
发表于 2020-5-19 14:18 | 只看该作者
 裸芯片叠层的工艺过程为:2 g0 s$ s9 ?9 Y3 ^* B6 N2 V
    第一步,在芯片上生长凸点并进行倒扣焊接。
$ d, }5 p7 h1 M. U0 K4 P$ G        如果采用金凸点,则由金丝成球的方式形成凸点,在250~400 ℃下,加压力使芯片与基板互连;
9 }7 o" d, Y" h% r6 U+ f        若用铅锡凸点,则采用 Pb95Sn5(重量比)的凸点,这样的凸点具有较高的熔点,而不致在下道工艺过程中熔化。7 l: @2 l3 m3 }% o- b
    具体方法,先在低于凸点熔点的温度(180~250 ℃)下进行芯片和基板焊接,在这一温度下它们靠金属扩散来焊接;
/ h; @0 E$ B& v& Z    然后加热到250~400 ℃,在这一温度下焊料球熔化,焊接完毕。
* n9 A' q. [/ D# t; f$ z# E    第一步的温度是经过成品率试验得到的,当低于150 ℃时断路现象增加;而当高于300 ℃时,则相邻焊点的短路现象增多。
' E: Y" {/ k+ N/ ?, A8 R    第二步,在芯片与基板之间0.05 mm的缝隙内填入环氧树脂胶,即进行下填料。
8 g$ \! Z) U! d9 U+ ^  k    第三步,将生长有凸点的基板叠装在一起,该基板上的凸点是焊料凸点,其成分为Pb/Sn或Sn/Ag,熔点定在200~240 ℃。
4 Z; i9 R. E* r    这最后一步是将基板叠装后,再在230~250 ℃的温度下进行焊接。
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