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三相逆变器的鲁棒性怎么提高?

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发表于 2020-4-20 11:27 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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变频驱动器(VFD)是工业自动化机械的重要组成部分。它们能够高效地驱动泵、风扇、传送带、计算机数控机床和机器人自动化解决方案,有助于降低工厂的总能耗。若VFD发生故障会直接导致机器停机,进而造成工厂停工和生产损失。因此,VFD的可靠性和鲁棒性是机器制造商和工厂业主的关键要求。
: h- ~4 `2 _" F1 @9 H" A4 S1 E& l图1所示的三相逆变器结构是VFD的核心,能够将整流后的电源电压转换为输出到电机的可变频率和可变电压。逆变器的鲁棒性是确保VFD鲁棒性的关键要素。该项技术由德州仪器研发。$ m8 N$ A) ~3 w/ q  G

8 B: ~. Q$ }! M  c- |/ y带隔离栅极驱动器的三相逆变器; q3 z  q. D0 x: V* v' `
三相逆变器的关键组件是绝缘栅双极晶体管(IGBT)电源开关(通常集成在单个IGBT模块内)和控制IGBT栅极的隔离栅极驱动器。微控制器(mcu)产生彼此互补的高侧和低侧脉冲宽度调制(PWM)信号,在PWM信号转换期间插入死区时间。该死区时间确保顶部和底部IGBT栅极信号不会同时为高电平。4 p7 E9 P6 s: Y0 P" [5 l' i& Q. p
MCU硬件故障或电机控制软件故障可能导致MCU的高侧和低侧PWM信号锁存为高电平。结果通过顶部和底部IGBT的交叉传导,导致直流总线短路。将电流传感器插入直流总线可检测过流情况,并通过栅极驱动器的启用/禁用管脚或将PWM信号驱动到栅极驱动器的缓冲器来禁用栅极驱动器。感测过流和关机之间的延迟通常为几微秒。但是,多次重复该感测序列会降低IGBT开关的可靠性和寿命。IGBT开关为VFD内部最昂贵的半导体元件。3 T8 q8 G3 x) X  d  j
但如果两个栅极驱动器都没有响应伪PWM序列呢?无需使用额外的外部硬件,使用联锁法即可实现。
- ?" Q( X( p5 @' o联锁高侧和低侧栅极驱动器4 G; _5 {# C( n1 Q1 H; x" n
在图2所示的这种配置中,高侧驱动器仿真二极管的阳极连接到低侧驱动器仿真二极管的阴极。高侧驱动器仿真二极管的阴极连接到低侧驱动器仿真二极管的阳极。
0 b( ]: ~% O1 G6 I* [" p" f1 } 8 h* F# ]3 g2 I( S8 c% O, Z$ h
联锁电路配置- ~7 x/ o; h8 b1 U4 V- a
德州仪器在“具有光模拟输入栅极驱动器的200-480 VAC驱动器的三相逆变器参考设计”中测试了联锁电路配置的应用。% g  l" c- h( z6 T9 F1 c7 g1 {
用于200-480 VAC驱动器的三相逆变器参考设计3 A" ]- B8 [0 q. w. G. Q0 ^
立即下载设计1 R) X( Z- ^1 P+ t/ s% ]
如图3所示,在正常工作期间,PWM脉冲是互补的,要么正向偏置UCC23513的输入仿真二极管,要么反向偏置缓冲驱动电压为-5 V的隔离栅极驱动器。高反向电压UCC23513的仿真二极管可处理联锁配置中出现的反向电压。而电流控制电容隔离栅极驱动器不具有高反向电压处理能力,且不能联锁。在死区时间内,仿真二极管两端的电压为0 V。
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) L, w$ Y' |0 b  T: j* X& X: H带联锁的正常PWM操作& J* O, Q8 x7 S) s4 l8 y/ ?/ y
有目的地插入负死区时间可让您检查联锁电路对来自MCU的故障PWM信号的响应。若两个MCU输出均为高电平,则栅极驱动器的输出为低电平。无论输入PWM信号如何,高侧和低侧栅极驱动器的输出都不会同时变为高电平,从而防止交叉传导。5 [4 A, X) e; N( x6 }
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MCU PWM输出
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栅极驱动器的输出
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高侧PWM
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低侧PWM
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高侧PWM3 p$ Z8 T; T) s. g; F
低侧PWM
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1:联锁操作
! m+ U, z0 ^, m4 A* n2 n# G您可将传统的光隔离栅极驱动器联锁,但它们不能带来更多的好处,比如更高的工作隔离电压;更高的共模瞬变抗扰度;在高达150°C的结温下工作,以及诸如较低的传播延迟和较低的脉冲宽度失真等改进的开关参数。
1 e1 j0 x: p( _# J6 _/ S* J3 IUCC23513采用业界标准的六管脚小外形封装,您无需任何额外的原理图或印刷电路板设计更改,即可通过简易交换轻松升级现有VFD中的逆变器。+ C3 Q; w9 Q( M, a' Y$ G; W

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发表于 2020-4-20 13:44 | 只看该作者
MCU硬件故障或电机控制软件故障可能导致MCU的高侧和低侧PWM信号锁存为高电平
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