芯片简介：VIN=3V~6V的Buck型同步DC-DC芯片，高边管有boot电源，采用国内0.5um BCD...

wushy · 发表于 2020-3-18 15:53

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芯片简介：VIN=3V~6V的Buck型同步DC-DC芯片，高边管有boot电源，采用国内0.5um BCD工艺，使用5V低压mos/12V dmos器件
失效条件：VIN=4V时，一切正常；VIN=5V时，反复上电、反复关断再开启会损坏芯片。

失效芯片的表现：1）功能正常但空载电流变大到几十上百mA；2）功能正常但关断电流变大到几十mA；3）功能不正常，无输出；4）VIN对地短路。每颗损坏的芯片表现不一样，是前面1~4项的一条或两条。

其它，部分损坏芯片VIN ESD烧毁，但是ESD实验可以过4kV，Latch up测试也OK。EMMI实验可以看到VIN ESD器件漏电，其它部位不明显。
SW开关信号上冲下冲比较大，是功率管驱动能力太强了吗？
请各位有碰到过类似问题的大侠指点一下可能出问题的地方，或者测试分析手段。

在此谢过了！

一盆绿箩 · 发表于 2020-3-18 16:00

ESD应该是只在2kv、3kv、4kv这三个点上测了，换电源的话，损坏的概率有不一样，另外用插座和直接焊接也有区别，焊接的话更不易损坏，

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