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失效分析的一般程序

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发表于 2020-3-4 13:54 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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1、收集现场场数据
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2、电测并确定失效模式
( t! `  d; H- O. ^, \( Z
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& v! V) B0 r$ A  e8 ]电测失效可分为连接性失效、电参数失效和功能失效。
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! S- [4 k! I' k4 Q1 Y7 |9 R
连接性失效包括开路、短路以及电阻值变化。这类失效容易测试,现场失效多数由静电放电(ESD)和过电应力(EOS)引起。 ! q: z: l2 x( o# D6 }+ d  s

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电参数失效,需进行较复杂的测量,主要表现形式有参数值超出规定范围(超差)和参数不稳定。 4 u8 x( B; {9 i8 N0 s
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# f4 W5 Q) @$ N  r3 @/ o+ D
确认功能失效,需对元器件输入一个已知的激励信号,测量输出结果。如测得输出状态与预计状态相同,则元器件功能正常,否则为失效,功能测试主要用于集成电路。
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* m' p# Y% W5 o* h  V
三种失效有一定的相关性,即一种失效可能引起其它种类的失效。功能失效和电参数失效的根源时常可归结于连接性失效。在缺乏复杂功能测试设备和测试程序的情况下,有可能用简单的连接性测试和参数测试方法进行电测,结合物理失效分析技术的应用仍然可获得令人满意的失效分析结果。
  p7 b! i% C0 x; r
" F) B1 O; l1 n

' h: v# V" B+ W$ J5 \9 u% w0 o  `7 ]

6 ~2 L7 I; L$ r3、非破坏检查 ( t# n& x, U% i- t( q" X/ t8 \

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0 z# W2 W2 X0 o8 p

5 B% |" ~! s) Q7 L/ f- p  t

8 g! N$ \8 V9 t  {2 `X-Ray检测,即为在不破坏芯片情况下,利用X射线透视元器件(多方向及角度可选),检测元器件的封装情况,如气泡、邦定线异常,晶粒尺寸,支架方向等。
, z/ t3 c2 i7 T" k& r& o5 L7 \# Z" M( F  B  M, Q# t. J

- K! _7 V6 K! U& l$ }  _
& Y9 ~) R) k# Q# T0 g  Y# U9 i' e9 m
" x" x1 L7 p( R8 E& l2 {
适用情境:检查邦定有无异常、封装有无缺陷、确认晶粒尺寸及layout
5 f: h( A- i  x( B2 E# W, H- a- ?

( m8 H9 R+ }# M7 {优势:工期短,直观易分析劣势:获得信息有限 8 t3 Z8 n: f+ v: a0 J$ m0 L

; K' F# D2 ~6 ^- I8 D  J4 v

9 u& C4 [3 k( J, p! Q* G局限性:) M6 \; g9 v% k8 v$ ^4 ?
7 b( |2 f7 |( p+ Z7 Y! x9 |

' B' f/ D2 h7 b* |; j5 f1、相同批次的器件,不同封装生产线的器件内部形状略微不同;/ I- ~1 l" ?( v, H1 q3 p' [

0 o/ @5 T1 `- Z2 t' D9 X

! _3 f, A2 H2 V8 E" O3 A2、内部线路损伤或缺陷很难检查出来,必须通过功能测试及其他试验获得。& E0 i$ j3 F/ k2 ~# H, D( A5 Q$ K

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  F. D9 F4 N; i- Q0 U" [+ R2 [( D5 m
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