|
|
EDA365欢迎您登录！
您需要 登录 才可以下载或查看，没有帐号？注册
x
Everspin 是设计，制造和商业销售离散和嵌入式磁阻RAM（MRAM）和自旋传递扭矩MRAM（STT-MRAM）的全球领导者，其市场和应用领域涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。Everspin在数据中心，云存储，能源，工业，汽车和运输市场中部署了超过1.2亿个MRAM和STT-MRAM产品，为全球MRAM用户奠定了最强大，增长最快的基础。
6 g" v+ ?$ J$ X. F2 @ ' a% U! d( o' q: s
MR25H40是4,194,304位磁阻随机存取存储器（MRAM）设备系列，组织为524,288个8位字。 对于必须使用少量I / O引脚快速存储和检索数据和程序的应用程序，它们是理想的内存解决方案。 它们具有串行EEPROM和串行闪存兼容的读/写时序，没有写延迟，并且读/写寿命不受限制。 与其他串行存储器不同，使用MR2xH40系列，读取和写入都可以在内存中随机发生，而写入之间没有延迟。! L1 B; o+ j/ V8 u2 X6 j5 {: E9 N
; D k1 g" }) {% L% f8 W4 W
MR25H40系列可在各种温度范围内提供高度可靠的数据存储。 MR20H40（50MHz）提供工业温度范围（-40°至+85°C）。 MR25H40（40MHz）具有工业（-40°至+85°C），扩展（-40至105°C）和AEC-Q100 1级（-40°C至+125°C）工作温度范围 选项。两者均采用5 x 6mm，8引脚DFN封装。 该引脚与串行SRAM，EEPROM，闪存和FeRAM产品兼容。
+ `' p, L% ^ q2 I1 [3 Z) s' d" v% D2 t
Everspin MR25H40系列2 E6 N3 U4 A" x( l0 O7 s
Density | Org. | Part Number | Pkg. | Voltage | Temp | 4Mb | 512Kx8 | MR25H40CDC | 8-DFN | 3.3V | Industrial | 4Mb | 512Kx8 | MR25H40CDCR | 8-DFN | 3.3v | Industrial | 4Mb | 512Kx8 | MR25H40CDF | 8-DFN sf | 3.3V | Industrial | 4Mb | 512Kx8 | MR25H40CDFR | 8-DFN sf | 3.3v | Industrial | 4Mb | 512Kx8 | MR25H40MDF | 8-DFN sf | 3.3V | AEC-Q100 Grade 1 | 4Mb | 512Kx8 | MR25H40MDFR | 8-DFN sf | 3.3v | AEC-Q100 Grade 1 | 4Mb | 512Kx8 | MR25H40VDF | 8-DFN sf | 3.3v | Extended | 4Mb | 512Kx8 | MR25H40VDFR | 8-DFN sf | 3.3v | Extended | 4Mb | 512Kx8 | MR20H40CDF | 8-DFN sf | 3.3V | Industrial | 4Mb | 512Kx8 | MR20H40CDFR | 8-DFN sf | 3.3V | Industrial |
. i4 h+ |7 L7 v. Q. h$ w7 ?
' K5 Y0 ~5 A" w
+ ]; p/ A6 l7 b" U* J/ e |
|
/1 
发表于 2020-2-27 14:47
收藏
淘帖
支持！
反对！