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失效分析
1 }# K" J% k+ \9 d
- J5 V8 r" ~! s3 u. _/ [失效分析的总章与目录。" K# ^/ }" X' O9 N
. Q8 S- G# Q6 w1 X V" ~6 ^4 j9 Z1 x5 _3 W6 @6 o% y
失效分析基础
- j# t2 ~% T& B) I/ L8 ^
4 l# X! \: i7 h wl 可靠性工作的目的，失效分析的理论基础、工作思路( Z, V* J, B7 W# ]9 q8 T
4 t" e. G: ~ F4 _l 术语定义与解释：失效、缺陷、失效分析、失效模式、失效机理、应力……
7 U2 W; r* s- r, w. p% C* M* b
" m/ s( l. q8 y! A: V4 ol 失效分析的问题来源、入手点、输出物、相关标准
8 M D1 V7 L" h+ @9 {. X1 J- ~) q3 p: K1 @+ ]- @! w5 s0 Z8 Q" `8 C9 l
" b3 N9 l9 n$ `5 l5 r
失效分析技术方法：1 N; `8 ?$ X' r! F3 H! y$ X6 c- j
/ `; ?- G& m; Y+ n* ]) _/ u. D5 |# tA、失效分析的原则5 Y& J' S4 s) U& L3 w% K
, V) }0 i4 ^! ^, t; ^/ n, @
B、失效分析程序
4 i6 T6 u* t0 g- _+ |4 U- l 完整的故障处理流程
- l 整机和板级故障分析技术程序
- l 元器件级失效分析技术程序（工作过程和具体的方法手段介绍）0 M! A- d; d- n- E Z1 q
) I$ b# g% l; W/ D
! b) r: t# {- |1 I4 E2 @C、失效信息收集的方法与具体工作内容8 `6 g6 ]2 k0 F
- l 如何确定失效信息收集的关注点
- l 样品信息需要包括的内容
- l 失效现场外部信息的内容
- l 信息收集表格示例
- l 信息收集为后面技术分析工作贡献的示例% a* z' F" `2 B: A
1 }& e6 U3 ?: c: W9 A/ _
/ I7 E0 q* }6 Q% C3 v yD、外观检查/ S$ U: u1 t3 n' `, n n/ u
- l 外观检查应该关注的哪些方面
- l 外观检查发现问题示例
- l 外观检查的仪器设备工具
+ s% I8 `3 N( h5 K% `) }3 _
1 h) Q1 {+ n& Q
" c; s8 l% s+ w! T, lE、电学测试& F+ O& @7 H" S. W8 W
- l 如何用电测验证失效模式和预判失效机理
- l 电测的具体方法
- l 几种典型电测结果的机理解析
- l 电测时复现间歇性失效现象的示例
- l 在电测中如何利用外部应力与失效机理的关联
- l 电测的常用仪器设备
$ g) }2 T0 a$ a& \9 a
f8 o/ e. n% A& L) ~8 x7 t* F; C ?
$ N# h" N$ B8 CF、X－RAY
; u! k7 q, V2 t2 {8 h" t$ x- l X-RAY的工作原理与设备技术指标
- l 不同材料的不透明度比较
- l X-RAY的用途
- l X-RAY在失效分析中的示例
- l X-RAY的优缺点
- l X-RAY与C-SAM的比较& c k1 Z! x& X5 C
3 Q! i$ Z7 I4 `$ M; q2 b: z
( g& E* D% x) @7 EG、C-SAM
j' X& p- d: z" y$ U. c" s- l C-SAM的工作原理与设备技术指标
- l C-SAM的特点与用途
- l C-SAM、X-RAY在失效分析中联合应证的使用示例
- l C-SAM的优缺点
2 y; y, x3 h% z4 v0 {# G
* N3 i& j: A5 a" }& _
8 s! F6 f$ h3 q7 G, C7 R* @9 uH、密封器件物理分析1 X2 |' I* ?7 i2 u% o/ t
- l PIND介绍
- l 气密性分析介绍
- l 内部气氛分析介绍
- I、开封制样
- l 化学开封的方法、设备、技术要点介绍
- l 化学开封发现器件内部失效点的示例
- l 切片制样的具体方法与步骤
- l 切片制样发现器件和焊点内部失效点的示例! B9 i1 J3 M# T [0 o, C* h7 k
, M. g3 o x* y R ]
% Q8 d/ Z: p% \, v! ?) @) z6 E1 t
J、芯片剥层
( G* j) ~& d* O8 l5 g/ L- l 化学腐蚀法去除钝化层的具体方法，及其特点与风险
- l 等离子腐蚀去除钝化层的具体方法，及其特点与风险
- l 腐蚀钝化层后样品观察区的形貌示例
- l 去除金属化层的具体方法与示例
" R* P/ t( u, M
6 S: ~# l/ m$ Q( l3 L" h7 {
- c: z$ j, e- i! U; E5 F9 z% K
K、失效定位－SEM
& H9 q- P! Y- _1 d& n- l SEM的工作原理与设备特点
- l 光学显微镜与SEM的性能比较
- l 光学显微镜与SEM具体成像区别示例
/ d; X9 f: \( W
$ f* S4 _$ Z. Q5 P% S! T- S0 X& A- Z4 O+ g: X# x$ f
L、失效定位－成份分析: [# k* Y- ~9 w2 t/ N
- l 成份分析中的技术关注点经验
- l EDS、AES、XPS、SIMS、FTIR等成份分析仪器的用法比较
- l 成份分析在器件内部分析中的作用示例
/ L* p$ l6 P2 ?7 w8 W2 h/ O
+ ?( M& |6 `0 U9 M! M) m- ~2 y
: D' H' `4 }6 z L9 h
M、内部热分析－红外热相
( o4 H6 {! ^9 e% }* n8 F3 B; j' s: ^- e/ D6 O; A
N、内部漏电分析－EMMI3 [, X, k/ U4 P1 I" d+ t- o
1 M# c( f4 E6 Q$ m3 n
O、芯片内部线路验证－FIB8 W( |5 r i) o$ q/ g$ h7 ?6 z" u
( `% U+ ]4 j% U6 V6 ~
P、综合分析与结论
2 q: R: j9 i3 y) e9 i- l 综合分析中的逻辑思维能力
- l 结论的特点与正确使用( ]. ~- i, g: _
/ L* D( Z& n8 M5 j
: V) b1 Y! T, I( y& `2 @3 u' nQ、验证与改进建议
5 |% g" ~7 W% H, I- l 根本原因排查与验证
- l 改进建议及效果跟踪. S, O3 J4 ?- A' _
d9 G+ P) E0 D' a/ y" @# S# ~" w; B0 _5 i8 Q6 P
, H3 U/ T1 I. P% q2 G
各类失效机理的归纳讲解与相应案例分析：
0 b! P5 G7 n2 W ~# ~9 ]7 f7 T
9 X1 Y' E6 g* T/ h: H; Z1、失效分析全过程案例
1 [7 k( h- k) [! j- A、失效信息收集与分析
- B、思路分析
- C、过程方法
- D、逻辑推导
- E、试验手段
- F、综合分析
- G、结论与建议# i3 K/ \0 P% |- P- D9 b( J
$ O# M# ~7 h I3 e
5 X3 F: t! Z m2 y* f0 d' o2、静电放电失效机理讲解与案例分析
) S# m; \5 x! y* a/ A6 F- A、静电损伤的原理
- B、静电损伤的三种模型讲解
- C、静电损伤的途径
- D、静电放电的失效模式
- E、静电放电的失效机理
- F、静电损害的特点
- G、静电损伤的案例（比较器、单片机、微波器件、发光管、功率管）, `2 n5 }2 \1 P5 x) `
4 P8 V% ?; C4 Q3 f6 |3 X
! Q4 H, X+ ?6 \- l. @* U% R3、闩锁失效机理讲解与案例分析, D3 r. U5 z$ E/ T0 c
- A、闩锁损坏器件的原理
- B、闩锁损坏器件的特征
- C、闩锁损坏器件的案例（开关器件、驱动器件等）
- D、闩锁与端口短路的比较
- E、CMOS电路引起闩锁的外部条件
- F、静电与闩锁的保护设计
1 {: X% ?- e9 j2 B4 }, S0 X
8 J1 T8 _" D# u4 ~& w( u4 D3 e/ j6 |9 `; a, ?, h
4、过电失效类失效机理讲解与案例分析$ ^2 P' S S% ~& @9 l5 D
- A、过电的类型及特点（浪涌、过电压、过电流、过功率等）
- B、对应不同类型的过电的失效案例
! ^3 m& R7 X* Y0 M
8 v' x; k) p" j- X
! U4 y" z5 R0 t' ]5、机械应力类失效机理讲解与案例分析
6 _& w% ? v8 _2 b& U. ~- A、机械应力常见的损伤类型
& k) T) R( A, b9 z% u
! T" m+ I$ s0 I1 ^4 `! `( G/ ?# G0 `) h; x" \( n5 J0 Q
6、热变应力类失效机理讲解与案例分析3 A2 o+ O" {8 o! ` S& Q! o# d
- A、热变应力损伤的类型和特征 O! Q- ]6 w t! j
7 O4 ?; z8 L& u5 {3 }- A# S2 p+ U
7、结构缺陷类失效机理讲解与案例分析" p0 }2 @6 e/ B8 e, S
- A、热结构缺陷的类型和特征
- B、发现缺陷的技术手段
: D* o1 I$ x+ G
% a% K9 L% ]. o. B# I$ t; y& t5 c' ~* W2 V
8、材料缺陷类失效机理讲解与案例分析
$ p2 \0 |1 M+ q0 t8 J) w* B- A、绕线材料缺陷
- B、钝化材料缺陷
- C、引线材料缺陷
- D、簧片材料缺陷
) ^( i9 a9 F- i2 _, b; l
- M9 g7 \. ?8 j z" G
D( ?; G( ^* S4 q& `9 o7 x: i4 k9、工艺缺陷类失效机理讲解与案例分析
/ X9 ~( d6 z) S9 ^ S% m E G1 S- A、工艺缺陷的类型和主要特征，发现手段8 Q/ ^: b; K" V' B1 @" ^
; K& `0 I1 z0 T" u7 Z9 C8 V
- C/ n3 a2 {1 p: u3 V0 k
10、应用设计缺陷类失效机理讲解与案例分析
5 a6 p5 A% J6 N" [ J) l. i7 O+ _) X7 w( D$ z
11、污染腐蚀类失效机理讲解与案例分析
- e& I1 `; E) K6 O/ L8 J- A、污染的来源与类型，腐蚀的主要原理
- p: |: Y. q: `1 ]
# r' h$ q9 w9 y2 o0 a& ]- C) C: v" x
12、元器件固有机理类失效机理讲解与案例分析
! f3 Q5 J q) X) H3 W3 p5 _- A、不同类型的元器件固有失效机理的归纳
$ O* L8 g! z6 u- u1 b6 |/ A
$ V6 N: v# C6 R& t9 m
3 j/ r; v7 H$ d! n& s+ `
13、面目全非的样品的分析
) A$ A' V" G: m
/ x; E d8 H! v8 J, y. Q8 u来自于—工业和信息化部电子工业标准化研究院
/ `7 j% c* e$ x. |: _3 h
6 V4 W+ q4 q+ q7 D3 C5 _! \《电子产品及元器件失效分析技术与经典案例解析》专题研讨! i6 F" P" f/ k1 M
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! ^0 H+ S; P w# [* C" Y1 U( B- E
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发表于 2020-2-24 17:28
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