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失效分析
q/ m w' h+ d' k失效分析的总章与目录。
* M" F) e+ y2 n. N$ ^7 ` W$ _# i3 a
1 I7 K+ c+ Q& j+ L9 w失效分析基础
3 [7 t% U4 |; l9 R9 w1 x, O$ g( T2 f. ]l 可靠性工作的目的，失效分析的理论基础、工作思路
; E/ o/ I) ^* y% {l 术语定义与解释：失效、缺陷、失效分析、失效模式、失效机理、应力……2 t9 A! \" J( n/ i
l 失效分析的问题来源、入手点、输出物、相关标准
+ V# a& p" m% F- u3 i; d" H. h4 {! r3 s5 d5 f, P
失效分析技术方法
; b- y: i' u1 r, VA、失效分析的原则/ _7 U* ]6 b( q3 a; u8 ^
, Z. {2 Y0 W# G/ F9 x; j5 LB、失效分析程序& V: V- _6 F! c; u! A. ^
- l 完整的故障处理流程
- l 整机和板级故障分析技术程序
- l 元器件级失效分析技术程序（工作过程和具体的方法手段介绍）* Q+ C: w" k6 _ N$ c, U9 j
% z( E) ]% t& E* e. X: N
C、失效信息收集的方法与具体工作内容
; | T" Q* u! D( W5 j+ w- l 如何确定失效信息收集的关注点
- l 样品信息需要包括的内容
- l 失效现场外部信息的内容
- l 信息收集表格示例
- l 信息收集为后面技术分析工作贡献的示例/ `) y l9 ^- m
0 ]* \. w0 b7 w1 u8 o+ B1 }D、外观检查
( C# J; M. {& [* x- l 外观检查应该关注的哪些方面
- l 外观检查发现问题示例
- l 外观检查的仪器设备工具
7 C/ j6 b1 [7 U' X. ]
0 p) `1 s5 q7 a* O* F( TE、电学测试# z1 q! f1 s- B
- l 如何用电测验证失效模式和预判失效机理
- l 电测的具体方法
- l 几种典型电测结果的机理解析
- l 电测时复现间歇性失效现象的示例
- l 在电测中如何利用外部应力与失效机理的关联
- l 电测的常用仪器设备5 G0 j: m, Z4 d
: o" \+ M5 D* G/ p, |& S ?
F、X－RAY3 o$ F. A* Z0 f/ C2 }/ X: }
- l X-RAY的工作原理与设备技术指标
- l 不同材料的不透明度比较
- l X-RAY的用途
- l X-RAY在失效分析中的示例
- l X-RAY的优缺点
- l X-RAY与C-SAM的比较
" h/ ]9 j- R0 s! o* G" l/ T; P, a
$ M& K0 }) f9 b4 V0 h) _: C" k9 YG、C-SAM3 X6 F+ ?. t3 Q: ~" F" x
- l C-SAM的工作原理与设备技术指标
- l C-SAM的特点与用途
- l C-SAM、X-RAY在失效分析中联合应证的使用示例
- l C-SAM的优缺点1 f' g- G% S% n `+ E) O( B
|1 g% Q/ v" R: B4 B
H、密封器件物理分析5 H c* x+ h' ], Q/ {+ p/ F
- l PIND介绍
- l 气密性分析介绍
- l 内部气氛分析介绍
- I、开封制样
- l 化学开封的方法、设备、技术要点介绍
- l 化学开封发现器件内部失效点的示例
- l 切片制样的具体方法与步骤
- l 切片制样发现器件和焊点内部失效点的示例1 C0 z+ t+ ^$ k4 h
% f* w. T$ U' v$ b& |" aJ、芯片剥层
3 W" R; o7 x1 [: _- l 化学腐蚀法去除钝化层的具体方法，及其特点与风险
- l 等离子腐蚀去除钝化层的具体方法，及其特点与风险
- l 腐蚀钝化层后样品观察区的形貌示例
- l 去除金属化层的具体方法与示例5 s5 D3 g0 z" t6 E) x Z
8 L+ l5 M$ O6 F9 yK、失效定位－SEM
6 v. }9 j" V% X% a- l SEM的工作原理与设备特点
- l 光学显微镜与SEM的性能比较
- l 光学显微镜与SEM具体成像区别示例
7 d+ R1 S, h0 g; ]) m2 T) D9 q
) l6 a2 n! M; a
L、失效定位－成份分析
3 [. q$ Q7 v; K/ b- l 成份分析中的技术关注点经验
- l EDS、AES、XPS、SIMS、FTIR等成份分析仪器的用法比较
- l 成份分析在器件内部分析中的作用示例3 i: {, p: e( }: Q
7 Q6 l1 S5 a& W0 F$ zM、内部热分析－红外热相! k- r' N6 k: ?
) [( J, m; f+ ^
N、内部漏电分析－EMMI* ]4 A" M8 n' K2 Q% K
( Q/ L( J! o9 r4 t
O、芯片内部线路验证－FIB& A( Z8 H5 H. V+ d+ b9 L a O3 F! f1 e
) n2 Z. ]0 ]' U" b r( ~0 d) `P、综合分析与结论+ ^( B% h1 \& v6 w! l7 V. V
- l 综合分析中的逻辑思维能力
- l 结论的特点与正确使用
4 {; l+ s, f) I6 z+ Q
7 z# n! }+ i; B: F. Y% j1 f8 u
Q、验证与改进建议* q2 D" f2 o. p# r& Q' P
- l 根本原因排查与验证
- l 改进建议及效果跟踪
! H. x0 e( ?: E
% w* W' {- ]1 H- D# @/ T& p- S- Y+ b: l
各类失效机理的归纳讲解与相应案例分析
6 H9 M6 j3 N$ [9 v" `
8 ]+ U7 n4 a% f+ W8 b1 |1、失效分析全过程案例
- }3 P) H) D# O- b0 [- L5 m% d- A、失效信息收集与分析
- B、思路分析
- C、过程方法
- D、逻辑推导
- E、试验手段
- F、综合分析
- G、结论与建议
' i) l4 W5 J* F/ H
+ b/ I0 t: F! O8 @4 k% \) [2、静电放电失效机理讲解与案例分析
2 T! p% {7 e5 p5 F: V* A- A、静电损伤的原理
- B、静电损伤的三种模型讲解
- C、静电损伤的途径
- D、静电放电的失效模式
- E、静电放电的失效机理
- F、静电损害的特点
- G、静电损伤的案例（比较器、单片机、微波器件、发光管、功率管）! A8 u0 r; D: i. X. M0 N
# ]& |- B& z2 }+ R0 J* N" W3、闩锁失效机理讲解与案例分析
" C: R/ Y( ?0 ]! a+ N' W1 k1 P- A、闩锁损坏器件的原理
- B、闩锁损坏器件的特征
- C、闩锁损坏器件的案例（开关器件、驱动器件等）
- D、闩锁与端口短路的比较
- E、CMOS电路引起闩锁的外部条件
- F、静电与闩锁的保护设计; M% z/ g( A+ V4 y D, T5 r' P; v
! G% |7 I- _1 d$ s
4、过电失效类失效机理讲解与案例分析2 {! e. h% g& d. l( C/ V! B/ w$ X
- A、过电的类型及特点（浪涌、过电压、过电流、过功率等）
- B、对应不同类型的过电的失效案例
' p. w: Z- \4 x# R5 d. v$ e& R
2 u6 t4 [* s4 H3 q S7 X. }( u3 v$ b5、机械应力类失效机理讲解与案例分析( `0 c# \) k% n2 \8 z7 G% e8 I0 h) j
- A、机械应力常见的损伤类型
2 x+ \! }$ |( X
9 ~0 o/ L# {. u+ x- ]8 o0 a; \' o
6、热变应力类失效机理讲解与案例分析0 V5 w4 E, h5 |# i/ m# N
- A、热变应力损伤的类型和特征) t: Q0 K2 D- u( ?& f2 J- c# d9 M! q% ]
/ k$ h8 ~0 c; P* P8 I7、结构缺陷类失效机理讲解与案例分析
- }" h- z# P4 @- A、热结构缺陷的类型和特征
- B、发现缺陷的技术手段7 t! m& N1 q/ W. g1 S. h
& u6 e# A% s! G1 y8 R
8、材料缺陷类失效机理讲解与案例分析7 ^) B: V4 e$ }- j" x) W
- A、绕线材料缺陷
- B、钝化材料缺陷
- C、引线材料缺陷
- D、簧片材料缺陷9 ~9 {- Q* {5 S, O
% j. a5 k, p5 _0 K9、工艺缺陷类失效机理讲解与案例分析
. k( A+ M' \* B/ B9 T- v- A、工艺缺陷的类型和主要特征，发现手段1 ?4 D, J, j0 r7 l/ U8 T3 f. X J
$ X) K* D/ n0 [' V: }) r
10、应用设计缺陷类失效机理讲解与案例分析
( r1 Z3 d& _( ~" }. T; [& X* ]9 U0 D- S: s0 Q& S" A
11、污染腐蚀类失效机理讲解与案例分析
, Q: W8 W/ e6 v. i- A、污染的来源与类型，腐蚀的主要原理) u$ B/ h4 e2 W; b
6 K r! t+ z/ C- G( R8 U0 i- f" c12、元器件固有机理类失效机理讲解与案例分析- h( ?1 {3 E: E; {8 D2 N0 R) {
- A、不同类型的元器件固有失效机理的归纳
s2 o6 C8 T( Y1 O- Q
- n. T! f6 ~* P( {# n13、面目全非的样品的分析
, f: l" I3 W7 f* a) ~- M( @6 X; a
! z0 N: B4 m4 @6 ~5 z来自于—工业和信息化部电子工业标准化研究院! d: D+ D7 h7 P: o
; s2 v6 }7 O6 f- k8 \
《电子产品及元器件失效分析技术与经典案例解析》专题研讨
7 t: A- @0 O# V1 W- N3 w+ `# u/ U0 E- f
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发表于 2020-2-5 16:06
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