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【讨论】滤波电容和耦合电容

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1#
发表于 2009-8-30 21:53 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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1,滤波电容:看了些教程和设计指导书都是说在LAYOUT的时候要让小容值的电容要比大容值的先靠近POWER的输出口(主要指的是5V及以下的DCDC输出),这样滤波效果好,但是为什么呢?不是应该先是用大容值的大电容滤波先的吗??
* [" z2 e8 Q8 Q' |2,书上也说提供给IC电源口的电源要先经过耦合电容,之后再接入IC的电源口,那是滤波,稳压作用,那么问题是,要大容值的电容靠近IC电源口,抑或是小容值更靠近呢?为什么呢?

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2#
 楼主| 发表于 2009-9-1 11:22 | 只看该作者
个人解答:3 L  l! ], Z: T4 ^
1,根据Z=1/(ωc),C容值越小,阻抗越低,高频噪声越容易走该返回路径,回到“地”。所以要小电容更靠近POWER的输出端# ~2 B1 H$ _5 Y9 o& l6 ~, g) c
2,大电容要更靠近IC电容口,可以使其在模式切换的时候有足够的能量维持系统的工作; p, _, J5 f; _( v! J

! z4 p4 p# q) o8 |: X请大家拍板

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3#
发表于 2009-9-1 12:51 | 只看该作者
第一条的回答是不正确的
# s! t, A( o5 {( [你可以找两个不同容值的电容看看他们的阻抗频率曲线

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4#
 楼主| 发表于 2009-9-1 19:57 | 只看该作者
如果不是阻抗问题,那么为什么需要各种大小不同容值的电容?有些电路还是推荐10nf,100nf,1000nf,10uf这样一直排下来呢~
% A+ F2 J. c! p" X何必要小容值的更加靠近DCDC输出呢?. a% k. w* T: a/ q; \* f
负载有关系吗?
$ w( _2 X+ k2 h. ~请高手解答

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5#
发表于 2009-9-1 20:08 | 只看该作者
呵呵) ?+ Q/ c' b, M: _# L4 K
楼主的分析很有意思,自己写的Z=1/(ωc),C越小Z阻抗自然越大了,怎么会说阻抗越低呢?
; t- o# |% U6 f4 {7 F在频率很高和边沿斜率很高的情况下,电容不应当在看作纯粹的电容了,而是要考虑ESL和ESR的效果  L+ c" l8 K, t4 R
现在的工艺中电容容值比较小的时候比较容易做到较小的ESL和ESR,因此在DCDC电源出口先放置小电容可以将DCDC中的高频干扰短路到地

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6#
 楼主| 发表于 2009-9-1 21:06 | 只看该作者
感谢楼上高手指点,工作忙晕了,搞错了。呵呵
2 o7 W7 o0 D* C; S原来由于ESL和ESR的影响需要先放置小电容,而大电容的ESL和ESR因为工艺的问题会相对小电容的大,所以需要大小电容互补~~~

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7#
 楼主| 发表于 2009-9-1 22:54 | 只看该作者
明天要查下阻抗频率曲线" X) W4 Z0 Q% `* x' d; G
因为很多时候电路都是用了人家的Reference sheet,囫囵吞枣的接受,自己没有分析注意细节的东西,出问题才研究,那就晚了

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8#
发表于 2009-9-2 10:41 | 只看该作者
呵呵, G: r% M, r( x- N
楼主的分析很有意思,自己写的Z=1/(ωc),C越小Z阻抗自然越大了,怎么会说阻抗越低呢?
' P& H: D3 K7 \在频率很高和边沿斜率很高的情况下,电容不应当在看作纯粹的电容了,而是要考虑ESL和ESR的效果
% k) \3 E- a4 v: c现在的工艺中电容容值比 ...
! A  f$ q! Z0 W3 TJuger 发表于 2009-9-1 20:08
2 S# T# M: U( o$ B% l& C8 z
  l2 E. `6 j  S$ p- w. X- [" q2 l
最后的说法是不符合客观事实的
: z. V0 q3 |9 B小电容值的电容的ESR一般要比电解电容等大电容的ESR要大
" [0 N/ [( X2 x8 [  k: N不过ESL的确是贴片的电容比引线电容要小很多
+ z3 J2 g4 s% r电容的阻抗z=zESR+i(wL-1/wc)         其中w是角频率,等于2×pi×f
% B  T3 p  f# v* O; X# c( @当后面的wL=1/wc的时候,电容的阻抗最小,其值等于ESR
+ j5 {& i% b) G7 I而这个频率点就是电容的谐振频率f=[1/4*pi*pi*(LC)]1/2( B& f. |) F& ~; d! b8 S# n
可见电容的容值越小,寄生电感越小,其谐振频率就越高,越能滤除高频杂波信号

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9#
 楼主| 发表于 2009-9-3 11:14 | 只看该作者
最后的说法是不符合客观事实的
% ]1 L4 j1 h1 M9 i- n5 g小电容值的电容的ESR一般要比电解电容等大电容的ESR要大
" g: ^& A( T* H; q" [3 ^2 q+ O% B# I不过ESL的确是贴片的电容比引线电容要小很多
8 F. Q0 }3 z& f& \7 ]7 T4 C电容的阻抗z=zESR+i(wL-1/wc)         其中w是角频率,等于2×pi×f+ C) z+ i2 {. Q) G) y8 V
当 ...
4 K- R. }7 g4 [% e袁荣盛 发表于 2009-9-2 10:41

; I( A: x2 ]3 G
* _; P$ P- @; V. H- {4 L' `既然大容值电解电容的ESR既然比其他小容值的小,那么聚合物电容的ESR的大小是介于两者之间吗?
- E" @: M% b7 C& o2 U$ K% F1 S$ p1 D: a请问有相关资料吗?0 Z/ j! b$ b, B; j" M
那样以后我们分析这些问题的时候真的要从基本的入手了
! B3 {5 G( D( m& t& }找了半天,公司那些电容的承认书都是没有频率阻抗特性图的~~郁闷啊

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10#
发表于 2009-9-4 11:29 | 只看该作者
其实在低频的时候放钱放后都没有多大的关系。
) \5 @" e( L, w9 }6 U6 }
  ]; C" d5 |1 m# s" i4 X$ P9 ~主要是在高速信号的时候要考虑到这个问题,上面很多都已经提到了告诉信号的问题。
, y. h+ v( f% b: b) k4 F. f; m2 j9 h4 ]
大家可以去看一下信号完整性,上面对电容的作用做了很深刻的分析。

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11#
发表于 2009-9-7 09:16 | 只看该作者
8楼说的对 其余的不全对

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12#
发表于 2009-11-5 16:03 | 只看该作者
去耦电容有一个概念去耦半径,电容只有放在这区域内才有作用,一般小电容谐振频率高,去耦半径比较小,所以要靠近芯片放置,而大电容谐振频率低,波长长,去耦半径较大。论坛上有关于这方面的帖子,可以找找
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