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各位大侠
- e$ B$ Q) l, g/ r现在碰到一个问题
% d1 E" g! c, N& y' ~! J. q就是ddr2内存接续的问题# d) ^3 }6 g* [) ]- u2 R
现在系统cpu是三星的32位的s3c2450（ARM9核心），支持ddr，mobile ddr和ddr2
) t' [& ` R/ Z' C' i2 j The S3C2450 Mobile DRAM Controller supports three kinds of memory inteRFace - (Mobile) SDRAM and mobile
0 T/ u, X* m- t! O7 JDDR and DDR2. Mobile DRAM controller provides 2 chip select signals (2 memory banks), these are used for up
( Q6 p. B3 G2 jto 2 (mobile) SDRAM banks or 2 mobile DDR banks or 2 DDR2 banks. Mobile DRAM controller can’t support 3
& h/ x0 M# [" C1 G; m% B0 m# z8 @& @kinds of memory interface simultaneous, for example one bank for (mobile) SDRAM and one bank for mobile: d: D4 B" a" G) r1 C8 W
DDR.
: R$ s1 ~2 T) O* M$ f5 xDDR2 Features* ^5 S4 r% X# O
− Support DDR2 having 4-bank architecture, don’t support 8-bank architecture.
( z: C2 v, a. U& K$ `− Support 16-bit external data bus interface O( X/ _; {% b- J( x
− Support AL(Additive Latency) 0, don’t support posted CAS, it needs EMRS setting.
1 e* }. l! K Q; m5 U$ l2 s− Don’t support ODT and nDQS function, it needs EMRS setting.$ J& |* q Z& w4 E% @0 Y
− All other features are same to the features of SDR/mDDR: }1 T& [ B" C- c; m
# c; n3 S5 {4 }& t8 B$ v
但是我看他们接续的时候: j. q/ _% v4 G$ D, I* y9 w
接续了两个ddr2 （32M*16），而内存上只有十六位数据线9 }1 X) c0 E# v
于是他们就将两个内存芯片的数据线分为高十六位和低十六位
. k1 P0 x: ~$ O7 Y; P2 z7 J: X q0 [1 [
我的问题就是
+ Q0 u- F- k. U* m) q2 g2 N1，要是接两个内存芯片的话必须这么接么？这么接有什么好处？
, d B$ b( |$ {8 {: Y* }2，要是接两个芯片的话可不可以将两个芯片的数据线都接续到一起？
( N. d% s/ f* j' H3，我现在是用了两个ddr2 （32M*16），但是我要是用一个ddr2 （64M*16）的话这两种方式谁更快一点，原因？
6 e6 w9 m; B: j9 Q4，现在内存标称频率还有待于选择，比如说我现在可以用ddr2 667的内存，也可以用ddr2 533的内存，要是都工作在533MHz的话5 b; |( ~/ U( D/ S9 K9 A7 v
ddr2 667的电磁干扰（EMI）会不会更大一点啊？ |
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发表于 2009-10-24 11:32
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