关于mmic的偏置电路

prain · 发表于 2019-12-17 14:47

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如图，这是AMMP-6408的偏置电路，画圈这里的线是连接到芯片下面的ExposedPad吗，那EP还要接地吗

prain · 发表于 2019-12-17 16:56

还有引脚1和引脚7闯过RFin那根线怎么做，一般是背线还是跳线呢

cariban · 发表于 2019-12-17 18:27

这个芯片已经是obsolete了，你确定要用它?

prain · 发表于 2019-12-17 22:28

cariban 发表于 2019-12-17 18:27:318 z1 Z4 h0 ^; a( F; {
这个芯片已经是obsolete了，你确定要用它?

刚好合适。。能说说它怎么连吗，拜托了

THL · 发表于 2019-12-18 14:42

画错了嘛，是人就会出错的

看起来你框住的那根线应该是多余的

prain · 发表于 2019-12-18 15:38

THL 发表于 2019-12-18 14:42:10
. V: q( X. o) @画错了嘛，是人就会出错的
3 k" `( _: T: r( Y5 A9 A看起来你框住的那根线应该是多余的

这样啊，那这两个电容就是引脚7的旁路电容了，但引脚1也是Vgg，需要添加和引脚7一样的电容吗。或者说有两个-0. 8V电源分别给这两个引脚供压，只是这上面没画出来。

THL · 发表于 2019-12-18 16:25

prain 发表于 2019-12-18 15:38+ Q/ d* J0 D$ i8 A. o- E G
这样啊，那这两个电容就是引脚7的旁路电容了，但引脚1也是Vgg，需要添加和引脚7一样的电容吗。或者说有 ...

看你具体电路的工作频段吧，我看这个参考电路的去耦电容配置法，一般也就保证1GHz一下的工作性能，1GHz以上就很难说。
这个芯片这种对称结构的设计，最好每一边的电源管脚都能就近配置小容值去耦电容，因为小容值电容的去耦半径更小，工作频率越高越需要这么做，这也是我会得出上面结论的原因。1uf这么大的一般丢到这一个电路的电源总入口处

prain · 发表于 2019-12-18 17:27

cariban 发表于 2019-12-18 16:15:139 _+ }/ j( q& i" U7 }3 m: w2 h' W
本帖最后由 cariban 于 2019-12-18 16:20 编辑 ! h2 g6 m' s# G& r# M

4 Q7 b+ ]6 u8 I[quote]prain 发表于 2019-12-18 15:38) N! `9 e8 W1 Z8 _1 v \
这样啊，那这两个电容就是引脚7的旁路电容了，但引脚1也是Vgg，需要添加和引脚7一样的电容吗。或者说有 ...

https://docs.broadcom.com/docs/AV02-0243EN

datasheet里说得很清楚了，底部的pad就是GND，大功率芯片基本都是这种设计，方便散热。

参考电路注释说了，Pin 2 和Pin 6, Pin 1 和 Pin 7, 两者在芯片内部是连接的，外部连接可以二选一。推荐即使不连的管脚也放一个100pF的电容防止串扰。

建议楼主把这个链接里的文档都过一遍，你需要的答案都在这里面

https://www.broadcom.com/site-search?q=ammp-6408

[/quote]

好的万分感谢

prain · 发表于 2019-12-18 17:27

THL 发表于 2019-12-18 16:25:037 t& [+ W7 x' c
[quote]prain 发表于 2019-12-18 15:38
# v# ?, K) ~4 q" O这样啊，那这两个电容就是引脚7的旁路电容了，但引脚1也是Vgg，需要添加和引脚7一样的电容吗。或者说有 ...

看你具体电路的工作频段吧，我看这个参考电路的去耦电容配置法，一般也就保证1GHz一下的工作性能，1GHz以上就很难说。
这个芯片这种对称结构的设计，最好每一边的电源管脚都能就近配置小容值去耦电容，因为小容值电容的去耦半径更小，工作频率越高越需要这么做，这也是我会得出上面结论的原因。1uf这么大的一般丢到这一个电路的电源总入口处
[/quote]

那要做6-18g配置多大电容比较好呢

THL · 发表于 2019-12-18 19:07

本帖最后由 THL 于 2019-12-18 19:10 编辑

prain 发表于 2019-12-18 17:27' n Z3 k7 T* t3 K$ N1 d
看你具体电路的工作频段吧，我看这个参考电路的去耦电容配置法，一般也就保证1GHz一下的工作性能，1GHz以 ...

6G以上的话，不仅仅是容值的问题，常规的贴片封装电容都很难满足了，寄生参数的影响太大，很难在工作频段内保证去耦电路对芯片来说做到零电容的程度。
具体的相关计算你去参考一下李缉熙写的《射频电路工程设计》这本书，好像在射频电路书籍分享贴子里有下载。
不过你看的时候里面的计算结果和公式最好自己也跟着推算一下，不要忙信各种数据结果，还是有一些翻译和编辑上的错误。

prain · 发表于 2019-12-19 09:12

THL 发表于 2019-12-18 19:07:42
( p+ C4 d" u4 o u, S9 [ 本帖最后由 THL 于 2019-12-18 19:10 编辑
' h# T9 |2 L+ g! N- G% e
* N4 R, G9 G7 ]. O* a, L8 a[quote]prain 发表于 2019-12-18 17:27
( Q4 K8 ^6 y" x# j8 w3 P# F2 P2 [看你具体电路的工作频段吧，我看这个参考电路的去耦电容配置法，一般也就保证1GHz一下的工作性能，1GHz以 ...

6G以上的话，不仅仅是容值的问题，常规的贴片封装电容都很难满足了，寄生参数的影响太大，很难在工作频段内保证去耦电路对芯片来说做到零电容的程度。
具体的相关计算你去参考一下李缉熙写的《射频电路工程设计》这本书，好像在射频电路书籍分享贴子里有下载。
不过你看的时候里面的计算结果和公式最好自己也跟着推算一下，不要忙信各种数据结果，还是有一些翻译和编辑上的错误。
[/quote]

好的谢谢

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