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HAST在贴片薄膜电阻失效分析中的应用

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  • TA的每日心情
    开心
    2019-11-29 15:39
  • 签到天数: 4 天

    [LV.2]偶尔看看I

    跳转到指定楼层
    1#
    发表于 2019-12-4 18:15 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    x
    $ n% L/ j! R7 O# Q; |

    / ~0 i- c# I5 T- d
    . W8 B; W3 }, r( @9 c9 i
    前言
    8 N* W  t0 |$ C) B

    ; P2 ]6 f8 m- j, P
    3 j8 N& @* S+ ~
    电阻器作为运用最广泛的电子元器件之一,在电子设备中使用数量很大,因而电阻器失效导致设备故障的比率也相当高。特别是贴片精密薄膜电阻(以下简称电阻),因其工艺及结构的特点,近年来因湿热导致阻值漂移甚至开路的案例越来越多,厘清失效原因及机理,已成为迫切需要研究的课题。而传统的40℃、90%RH和85℃、85%RH的温/湿度偏压试验方法(THB)需要花上千小时,已不能满足当今高时效性的需求。

    ' t/ q+ E. ]7 j& a. {* Q
    PCT高压蒸煮试验有结露现象,不能加偏压,故需要进一步改进加速试验。HAST就是为代替传统的温度/湿度试验而开发的方法,目前在微电路及半导体分析中已得到广泛的应用。
    " _  y# }  w) L- l4 ^, N+ b
    本文将HAST应用于电阻失效机理的研究和耐湿热性能的评估中,展示了HAST在电阻失效分析中的实践应用,为电阻的工艺改进及可靠性检验提供了一套快速、有效的测试方法,对电阻品质的改善与提升具有一定的指导意义。

    6 Y+ J, X" O- J3 i
    : K2 N2 m: w0 S6 M% A% ^6 }% l4 O
    ( [1 D) ?( [  @, F
    分析背景

    $ a7 S" b/ ]& p1 U0 ?6 I$ [8 L8 f( ]" R) o% \4 {! L& X
    8 s1 y) P0 [$ y* ?
    某产品客户端失效,经测试发现为电阻开路所致。电阻规格:348KΩ±0.1%,额定功率:0.1W。电阻命名如表1。

    8 h. m& D. v: A9 y9 m' m1 @
    厂商
    A
    B
    电阻
    不良品
    正常品
    同批次
    未使用品
    同料号
    比对品
    命名
    A-NG
    A-OK
    A-原材
    B-原材

    4 B7 m, ~1 a2 H3 p. I% A- ?% S( F+ b+ f; q# @) L& s3 G8 a! u

    & d( V1 n8 Z& D. G. X; |4 X, J
    分析原因

    / C+ l! d" e- W5 m. ?! P  E, ~5 g& L! `$ P
    ( q$ ?+ O+ k& W4 y/ G2 J" p; L* ?0 L
    外观观察
    " [* Z6 l0 {/ q+ V3 u- _# R
    先用实体显微镜(Olympus SZ61TR)对电阻保护层进行外观观察,如图1红色框起处,A-NG陶瓷基体外露,保护层未覆盖至边缘。再用SEM(Hitachi S-3400N)对A-NG、A-OK边缘保护层形貌进行放大观察,如图1a、1b所示,A-NG保护层边缘疏松粗糙。
      r% V" t% S0 X/ _/ F; @1 @

    ; Y5 e5 T4 X5 V- J8 ?$ L
    去除保护层

    1 k! [9 I3 y6 F1 y) z
    先用有机溶剂去除电阻保护层,再用金相显微镜(Olympus BX51M)进行观察。如图2a黄框所示,A-NG边缘位置金属膜缺失,用万用表对缺失膜两端进行电性确认显示开路,故电阻失效的原因为金属膜缺失所致。如图2b所示,A-OK金属膜完整,未见明显异常。

    ! Q  Q5 @- C1 ~* Z! o; t, r5 B
    9 ^& K) R' T) k' W
    原因探讨
    ; W8 Y9 K- q% J  X
    电阻是导体的一种基本性质,与导体的材料、长度、横截面积和温度有关。当阻值为R时,可用公式R=ρL/S表示,其中L、S分别表示导体的长度和截面积;ρ表示导体的电阻率,对某一电阻器而言,L、ρ是已经确定的,阻值随着S的变化而改变。金属膜缺失使电阻S变小,从而导致电阻阻值偏大或开路。

    0 v! c5 x% y) H2 {+ _3 q$ l# ^
    金属膜缺失原因主要有:
    (1)使用过程中过电应力致使金属膜熔损。(2)因湿热、环境或电流(电压)等因素,使原本存在的金属膜遭受电解反应而破坏、消失,此现象称之为电蚀。

    # R  y4 t7 K" b# K( ?; v! a, X/ x' {$ Y- l, s7 U/ M
    # y, Y4 I$ W3 x: n
    机理研究
    # Z4 ?: T: ]. H7 G6 _- `
      u% [8 G3 L7 z( U
    , Z6 z% T; Z+ V( M( I8 D
    为进一步厘清失效真因和机理,模拟不同条件下的失效现象,论证失效机理。
    2 m- j! s0 H+ K& b
    (1) EOS试验
    采用直流电源供应器(Chroma 62024P-600-8)进行测试,测试电压分别为600V、1000V,持续时间(5±1)s。

    1 V7 V0 L5 P- {) G& P' d
    (2) HAST试验
    采用高加速寿命试验箱(Hirayama PC-422R8D)进行测试,测试条件:温度130℃、湿度85%RH、真空度0.12MPa、偏压10V、时间96H。测试标准:JESD22-A110E。HAST的目的为评估电阻在高温、高湿、偏压的加速因子下,保护层与金属膜对湿气腐蚀抵抗的能力,并可缩短器件的寿命试验时间。

    1 x, P" X( J) N) `
    试验条件及结果见表2,EOS、HAST试验后电阻均出现阻值偏大或开路的现象。
    3 b& M- \& h( K7 j% d
    试验
    实验条件
    实验结果
    影响因素
    EOS
    600V
    阻值偏大
    过电应力
    1000V
    开路
    过电应力
    HAST
    130℃/85%RH
    2 @) w/ s, N3 H0 R9 X0 I/0.12MPa/10V/96H
    阻值偏大、开路
    高温、高湿、偏压
    表2
    6 D1 a$ [2 w* V! \4 v4 ^4 r
    图3为试验不良品去除保护层图片,如图3a、3b所示,EOS试验不良品金属膜均有不同程度的熔损,电压越大膜熔损越严重,阻值变化越大甚至开路,此现象与A-NG金属膜缺失现象不同。如图3c所示,HAST试验不良品可见电阻边缘位置金属膜缺失,与A-NG失效现象一致,失效机理为电阻在高温、高湿、直流负荷的作用下发生电蚀。
    5 b7 @, V3 Y7 N/ J% M
    电蚀失效主要以薄膜电阻为主,常见的失效机理有2种:(1)在金属膜沉积后,印刷保护层之前这段时间有杂质污染,成品通电时造成电蚀。(2)保护层有外伤或覆盖不好,杂质和水汽进入导致电蚀。

    * Q5 h6 z" z- p+ ]% T
    为进一步研究失效机理,寻求改善方向,对以上2种失效机理进行深入探讨,选取A-原材、B-原材进行结构分析与比对。图4为电阻的结构图,电阻的金属膜是以Ni-Cr合金溅镀沉积而成的薄膜,基板为氧化铝,保护层材料为环氧树脂。
    2 x2 d" r/ c) n, R4 |0 }/ X- A. p! q
    : m/ g% a0 X, z/ w/ ^2 d" w6 C
    杂质污染检测
    . D, ?7 V. X2 \, S) U6 u! e
    当陶瓷基体及金属膜中含有K+、Na+、Ca2+、Cl-等杂质时,电解作用加快,阻值迅速增加,失效速度加快。为验证A-NG金属膜表面有无杂质污染,对去除保护层后的金属膜进行EDX(HORIBA EX-250)成分分析,如图5a、5b分别为缺失膜与正常膜区域的元素检测结果,后者可见金属膜Ni、Cr元素,未发现K+、Na+、Ca2+、Cl-等杂质元素,排除金属膜表面杂质污染导致电蚀的猜测。

    % V) R: i# P& z. r- F+ J& j$ G; |. ~

    % y, V' a1 m2 n* t: h/ L
    电阻保护层剖析
    0 f- o7 }" a8 R* Q* H' C
    保护层外观形貌观察
    ; |7 `" K# a! f* C; ^6 T
    用SEM对A-原材、B-原材保护层形貌进行观察,如图6a红色箭头所示,A-原材保护层表面有大量孔洞。如图6b所示,B-原材保护层表面均匀致密。

    8 O( ^% r* l! d
    7 e1 j4 _/ ]* Z9 p. n- Z' `
    电阻保护层表面结构观察
    , H# L+ M" @0 k# q
    金属膜缺失位于边缘位置,对电阻去除正面端电极后观察其边缘结构。如图7a红色框所示,A-原材边缘陶瓷基材外露。比对可知:A-原材、B-原材保护层边缘结构设计不同,后者边缘保护更充分。
    / F! w$ d- y3 k$ i3 O" [

    ) ]6 u  \& Q3 ^6 l; [' x4 _
    电阻保护层内部结构观察
    + ]* E- P) Q- g* B
    对电阻进行微切片制样,用SEM观察保护层内部微观结构,再进行EDS成分分析。如图8a,A-原材保护层中间与两端厚度差异明显,中间局部可达62.64um,两端厚度在10.58um~19.19um之间,内部填充物颗粒粗大,其主要成份为C、O、Mg、Si。如图8b,B-原材保护层相对较薄,中间与两端无明显差异,厚度约为32.75um,可见不同组分的两层结构,填充物颗粒细小,其主要成份分别为C、O、Al、Si和C、O、Mg、Al、Si、Cr、Mn、Cu。比对可知:A-原材保护层边缘薄,且填充颗粒粗大,水汽易侵入,与失效发生在边缘位置的现象相符。B-原材保护层结构致密,且两层结构可更好的保护金属膜免遭湿气的侵入。
    ! i& d! O9 m0 y- r* c
    电阻HAST能力比对

    8 l. i4 k" N, j7 ^, m
    选取A-原材、B-原材各10pcs进行HAST试验,比对不同厂商电阻耐湿热能力。把电阻焊接在测试板上,然后插入HAST试验箱,设置条件:130℃/85%RH/
    0.12MPa/10V/96H。规格要求试验前后电阻的阻值变化率(ΔR/R)≤±(0.5%+0.05Ω)。测试结果如图9所示,A-原材ΔR/R皆超出规格,其中1pcs测试开路,B-原材ΔR/R皆满足规格要求。测试结果表明,A-原材耐湿热能力差,其结果与保护层比对结果相对应。A-原材保护层存在孔洞及边缘保护不到位等缺陷,在高温、高湿的环境条件下,金属膜容易被湿气侵入,在电负荷作用下发生电蚀,从而导致阻值漂移或开路。

    & V6 E7 }7 e4 T( ~0 o2 p4 O* b

    , b* X. [* g+ e; ^: h& L) c* s1 f0 ^! X; N. d& Q4 i* v- P# Q# d
    . M3 S% ~8 p) o* z
    结论
    % M; W9 c: [* R

    1 N, a4 j* ~$ k: s9 B1 ?& I; E$ d- N" b( N: A
    本文从电阻失效分析着手,通过试验模拟探寻失效机理,并通过不同厂家电阻比对寻求改善方向,得出如下结论:
    . ?6 H! g5 a; U, ?7 ^
    1) 电阻失效的原因为金属层缺失所致。

    5 @6 D3 u; P' r, ]. B* f" Y4 V
    2) EOS、HAST试验结果显示:A-NG失效现象与HAST试验失效样品一致。失效机理为电阻在高温、高湿、直流负荷的作用下发生电蚀。

    / S: l! a; s* X, D# w1 u
    3) 对A-NG缺失膜与正常膜区域成份进行检测,未发现K+、Na+、Ca2+、Cl-等杂质元素,排除金属膜表面杂质污染导致电蚀的猜测。

    ( r, n* N* e: m8 r
    4) 对比A、B厂商电阻,A厂商电阻保护层存在空洞及边缘保护不到位等缺陷,容易被湿气侵入。通过HAST比对电阻耐湿热能力,进一步印证以上结论。为有效的提高电阻的耐湿热性能,建议从电阻保护层的工艺、厚度以及材质方面加以改善:a.选择填充颗粒细小的材料,减少湿气进入通道;b.调整保护层的厚度,使中间与边缘厚度相对均匀;c.使用耐湿热的保护材料。

    5 B* H3 q9 o/ I: R
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