本帖最后由 criterion 于 2019-9-6 12:19 编辑
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RX线下方挖一层是为了降低寄生电容 l' v$ E. C* F5 W# r/ O
=> 未必!!1 R/ _4 T6 k" Y8 G; P4 }
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在同样50奥姆阻抗下 走线挖空 反而有可能 让寄生电容变大 " x: I+ D7 K6 H" S
$ _$ z. c8 S$ d0 E- ^& K我们拿实际迭构来做计算 ; P. m! b$ u& d/ p" L, V- B
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因为原本单位是um 转换成mil (1um = 0.03937mil) 所以才小数点后面一堆数字
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如果以L2为参考地 不挖空 50奥姆的线宽是3mil
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; x7 K2 G5 U" Q0 t8 M如果以L3为参考地 挖空 50奥姆的线宽是9mil , e& W- V! |9 h- x* }
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如果要比谁的寄生电容大 介电常数就不用算了 因为两者的介电常数都一样 那就看谁的A/d比较大 对吧?
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A是面积 等于W x L 两者的线长都一样 所以若要比谁的寄生电容大 那就看谁的W/d比较大 对吧?
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, w9 W5 Z2 j2 i/ n# }不挖空: w/d = 3/1.83 = 1.64 挖空: w/d =9/4.8 = 1.875 1.875 > 1.64 所以 挖空的寄生效应 反而比较大 故得证 2 C5 i! ^" D5 `8 H; e, q
" y2 k3 i5 t$ |8 g/ T# Y0 x
: U! e5 h/ ]2 G6 V& c# G! `6 i
- A5 z# g2 d, X$ B
挖空是走线跟GND距离拉大没错 但你线宽也会拓宽啊 所以寄生效应 是变大还变小 要透过计算才知道
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