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请教大神一个铺铜皮的问题。

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1#
发表于 2019-8-16 13:28 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
请教大神一个铺铜皮的问题,非常感谢!
! M$ I  n) {  }* t之前看过一个帖子,RX线下方挖一层是为了降低寄生电容,可以在同等阻抗的情况下拓展线宽,降低插损。可是通常只挖0402期间下面的GDN,走线却不挖,走线也就是到BGA的线为什么不挖呢?6 Q/ H4 s2 B* i

3 g; K+ C0 {6 j6 M: G; l0 ~     5 d/ v* a% d9 u: A! B6 }
! W) N/ |: E, d: ?0 ]) g! O6 ~
  • TA的每日心情
    开心
    2019-11-20 15:05
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    [LV.1]初来乍到

    2#
    发表于 2019-8-16 15:55 | 只看该作者
    因为器件在高频电路中还有一个等效电路,而且这器件的面积相对PCB的走线要大。
    5 ^) E* |- S: z5 N; k寄生电容就是两个极板的面积成成比,两个极板的间距成反比,
    $ G; ]- i: R( O( E( m这样在增加了面积后,而为了保证寄生电容不怎么变化,只有增大两个极板间的间距。
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    开心
    2019-11-19 15:19
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    [LV.1]初来乍到

    3#
    发表于 2019-8-16 15:56 | 只看该作者
    我觉得是0402焊盘宽度比较宽,如果要做阻抗,就必须挖层才能满足阻抗。

    该用户从未签到

    4#
    发表于 2019-8-16 15:57 | 只看该作者
    线宽小的走线不要挖,这需要根据计算的,是的参考不挖的这层地的走线的阻抗需要满足50OHM。如果不挖能满足50OHM就不用挖。

    该用户从未签到

    5#
    发表于 2019-8-16 15:58 | 只看该作者
    到芯片处走线下面挖了就要加宽走线来保证阻抗,你去BGA下面走那么宽试试?

    该用户从未签到

    7#
    发表于 2019-9-2 17:50 | 只看该作者
    本帖最后由 criterion 于 2019-9-6 12:19 编辑
    " ~: V' y; S7 F& [6 L7 K/ n& A1 K8 u- }
    RX线下方挖一层是为了降低寄生电容  l' v$ E. C* F5 W# r/ O
    =>  未必!!1 R/ _4 T6 k" Y8 G; P4 }

    1 A. I# r1 r5 m( B' W9 W
    - X: v6 z( d+ H0 o4 j- b% {
    $ D2 ?& r9 ~( T$ o
      F# f5 Q/ F% }. ]4 h0 X! L- U$ j7 w( D4 `+ z. m$ C
    在同样50奥姆阻抗下
    走线挖空    反而有可能   让寄生电容变大
    " x: I+ D7 K6 H" S

    $ _$ z. c8 S$ d0 E- ^& K
    我们拿实际迭构来做计算
    ; P. m! b$ u& d/ p" L, V- B

    * g! j" p: i- D* N/ V! z

    $ K& ~; p1 ]) i% t# s5 ?
    : m$ s& \4 t7 U; c7 e+ y
    因为原本单位是um   转换成mil (1um = 0.03937mil)
    所以才小数点后面一堆数字

    ; k) o/ U9 v9 B+ X0 }' M. W

    ) v% {# [1 b, z8 I+ m, c' ~4 [

    1 o3 L' Y* q2 k# u# w

    8 w- h* e  m& b4 m) o. Q
    3 y0 w/ \+ U  R% j8 N( P" e5 |1 e. Q' c

    1 a- B( N+ x) n# {% B  @, V
    7 y6 y% z7 C0 W+ N; m
      I* d. N+ _3 Q# x% b" ^' O2 m! t3 r9 Y2 P/ ?
    如果以L2为参考地   不挖空   50奥姆的线宽是3mil

    6 f3 T6 ^, {1 D" c

    : w. E9 |$ L; K8 Y  B. l  p

    3 t" U) d' }$ K: w
    , F. y  b3 X+ K4 f  b, t* C" O! Z& r0 n

    ! t+ g, `2 L7 V+ K5 I# ?" C" T% a3 G' t0 u. C# Q
    7 x0 ?4 Z1 m- l5 K

    $ X* Y4 s+ R4 w' [' i. l7 M! ~( N: @. `' w) p  {$ E- \! `) h9 T

    9 f. l- J  h5 L0 m. Z* @! ^9 _
    8 u0 g* R0 y! X1 {% S
    8 \$ B4 k' |3 ]9 _) r6 @9 l# n6 W; P1 B/ B# u

    ; x7 K2 G5 U" Q0 t8 M
    如果以L3为参考地   挖空   50奥姆的线宽是9mil
    , e& W- V! |9 h- x* }
    , K7 c0 _2 k$ w# j
    ( ^5 |5 ?, J7 F& D6 D( B+ D) H
    ) a: _9 z) X; ~; n  j9 c6 E
    6 U2 A( i$ c, F# w/ p- ?
    ( l1 w( Y& X. L' c

    $ o! i. a2 X" Y0 q  {4 M3 L
    : ]5 i1 o8 v5 P: W' }% {$ p8 R0 p$ f3 n$ Q( E" Y7 n+ B+ G

    ( J& }; T! |- Q( [
    根据电容公式:
    . z: r: k# M* C' T% I3 X
    # n2 k) ?9 H7 j, {0 I: e1 \
    * R  U: Y. |2 |3 w* \

    ( {. K; u) g; M1 h
    4 M, @+ \8 e# }6 f1 Q

    1 b% {1 \! Z& f) I4 A, d% L
    如果要比谁的寄生电容大    介电常数就不用算了   因为两者的介电常数都一样
    那就看谁的A/d比较大    对吧?

    8 k. U1 m6 Y4 b+ L8 l. o

    " w4 U" Z$ r- D' G  C
      G, I% n5 f0 E# s
    : o2 k, I3 S$ d8 R) P# o  A
    % E& q; P) b/ Y1 w5 E3 T. m6 [
    3 j5 c2 g( @9 {4 l7 r$ [% ^
    9 [/ R4 b. W: A" |7 x3 n
    8 M' s8 w9 [( l, X/ U
    6 O( }3 h  S3 U
    # }# \  {: M6 r
    ; {" I  c' d% _; N

    ( h' e' a: A1 J3 I9 g# K$ O, g6 w, O

    & k! i% |+ V4 }! D
    + y$ F! k% n/ ?$ b
    % r5 u! V9 v" f6 s
    9 G6 H- ?% ^0 s" J5 K4 f( M2 B! m
    A是面积     等于W x L
    两者的线长都一样     所以若要比谁的寄生电容大   
    那就看谁的W/d比较大    对吧?

    4 l, ^9 T2 _2 ~3 I
    : Y. Q" B; s* q0 a* O- u- W5 M  b2 t9 P+ A' ?
    " b0 Z& s, j: z7 Z1 l
    & i. w% \0 ?$ @" E6 i( c$ t

    , w9 W5 Z2 j2 i/ n# }
    不挖空:  w/d = 3/1.83 = 1.64
    挖空: w/d =9/4.8 = 1.875
    1.875 > 1.64
    所以   挖空的寄生效应    反而比较大    故得证
    2 C5 i! ^" D5 `8 H; e, q
    " y2 k3 i5 t$ |8 g/ T# Y0 x
    : U! e5 h/ ]2 G6 V& c# G! `6 i
    - A5 z# g2 d, X$ B
    挖空是走线跟GND距离拉大没错    但你线宽也会拓宽啊
    所以寄生效应  是变大还变小  要透过计算才知道

    5 w+ n. ?5 x( T
    / W2 Z& Q- b8 w0 b0 X
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