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高性能高可靠性倒装芯片的互连新技术.pdf
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电子器件的市场趋势
, E5 m2 w. i. O7 Y当前，电器和移动AV设备市场上，智能手机和平板PC成长迅猛。智能手机的全球销量从2012年的6.5亿部
# r; x. c3 @/ {. H* K' W. V& D增加到2013年的7.9亿部。预计2015年将达到10亿部。类似地，PC的全球销量从2011年的1.2亿台增加到. H" o6 y# I F
2013年的1.6亿台。预计2017年将达到4.2亿台。这些移动设备要求一年比一年更高的性能、更多的功能和
. J/ }1 `( ], D, ^( k2 n+ m0 o/ g R更低的价格。所以，用在CPU、GPU、DSP、AP和RF中的半导体产品规模更大，速度更高、更加密集。5 N! t2 u' R+ F$ |+ A( r! K
为此晶圆工艺技术正通过加大晶圆尺寸（即从150mm扩大到300mm或400mm）减少成本，并通过更细的 U. D/ M/ r4 N% I: @) y, H; S7 E& T/ { ]
工艺图形（即从90nm到65nm、45nm、40nm、32nm和28nm）改善至更高的集成度、功能性和速度。故1 \, C: j1 i0 \3 _; r6 n
与此同时要求更高的电路密度、更高的性能和更低的价格。
9 l4 J/ v: m2 g! V4 f% w6 h对于集成度较大和速度较高的LSI的成熟技术，有必要开发采用低k材料的隔离技术。但为了满足这些高性2 f7 W3 V$ \( k: K
能，由于用多孔和多层结构，隔离变得越来越薄。结果，LSI就变得易脆。另一方面，为了满足高速要求，
3 B" n; X/ z8 Z9 G0 ~0 LLSI的电流不断增加。除了芯片尺寸不断缩小外，热密度和功耗也不断增加。所以，对于未来的半导体封
; K) r5 T, [" \" R# v8 w' h j装，要求解决这些问题，即层间介质的易脆性、高热、高速和低价格。半导体工艺未来的设计规则将进入- R6 A8 p& _2 I
20nm一代或其下，这将更加脆弱得多。/ u4 `7 R! P( [
20nm一代要求的封装技术) p& J4 j* |5 P2 Q3 G' F! ~
下一代20nm要求的规范为：; i& C' o) o9 Z
低应力，为了易脆低k层' ?1 b) W% u8 |# J1 L: [3 W
高热辐射≥5W，为了高性能LSI
* w4 }: {9 l% F: z E" O高速度≥10GHz，为了高功能性
; e7 r5 C4 w$ d' Y5 f" v) K6 i/ I; j( {" D$ W
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发表于 2019-4-2 08:40
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发表于 2019-4-2 08:48
