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很多问题需要结合实际情况- l; Z9 N. h! z# t# g3 X9 Y
首先我采用的资料是上面贴出来的，设计也是按此考虑的
. c# d3 v6 r: v% E对于74HC00，属于74HC系列，为CMOS类型，输入电阻很大，为容性
' h4 U# F& `. y: ]5 f- C可以参考资料 http://zhidao.baidu.com/question/10856120.html
! N4 _6 j n0 Z最大输入漏电流 顾名思义就是正常的漏电流是没有这么大的
/ K- D; w1 Z9 X; L, h我贴出的资料中显示Iin为1uA(这里就不考虑0.1uA了)，因此维持静态输入没有问题
% P- ^6 _7 [; e我考虑采用uA级或mA级的稳压二极管考虑的是损耗
$ b* p5 D$ Q- Y/ a8 k3 ~% u: @: Z你这里设计应该是做一个上电的判断，信号会长期维持
% G0 u% N$ c+ h" u, @* X因此损耗主要是由静态损耗构成，电流小了功耗自然小# {" N5 q: A' U, k$ p
- w f( l" ~, A8 @9 N: z3 w当然，如果考虑更多速度而不是损耗的话还是建议采用mA级的稳压二极管设计
/ a. e, }5 C- z% X% l5 G至于同是Iin，一个是20mA一个是1uA所指的内容不一样3 i' H1 k! b3 x0 N" b
前者指极限参数，发生在电平切换的时候2 o# N( j, z# {4 _2 ]1 l
因为输入为容性，因此相当于给电容充放电，电流大速度自然快
& f0 C1 k6 [, z7 W+ w但是电流太大会损坏期间，因此是极限参数
' R; k: I2 f3 i7 s$ A5 v后者是是指静态时的泄漏电流，就像一般电容存在的泄漏电流一样
) S) O/ ?, R4 H. p0 X8 z是由于介质材料等等原因造成 |
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发表于 2009-4-15 09:49
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